一、FAB工藝流程入門

?1.這里的FAB指的是從事晶圓制造的工廠。半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體通常使用"FAB"這個(gè)詞，它和其他電子制造的“工廠”同義。在平時(shí)溝通的語(yǔ)境中，F(xiàn)AB還可以被指代為“車間”，比如:在FAB工作的工程師上班時(shí)說(shuō)：我進(jìn)FAB了，其實(shí)指的是我進(jìn)車間了。業(yè)界對(duì)于多個(gè)FAB，通常使用FAB1、FAB2…這樣的編號(hào)來(lái)擴(kuò)展。?2. FAB的車間是潔凈室，進(jìn)去要穿無(wú)塵服和專門的無(wú)塵鞋（配套的還有一次性網(wǎng)帽、口罩、手套），因此每個(gè)潔凈室外面都會(huì)配套一個(gè)衣帽間，衣帽間和車間中間有風(fēng)淋門隔擋，進(jìn)去車間要測(cè)靜電和過(guò)防護(hù)門吹掉身上的灰塵才可以進(jìn)入。

上次去產(chǎn)線是真的。

?3. 車間里面都是各種設(shè)備，每臺(tái)設(shè)備會(huì)貼有設(shè)備ID，用以唯一識(shí)別它是它自己?？傮w上面可以分為兩種：?一種是加工類：就是對(duì)晶圓進(jìn)行增材、減材、改性的設(shè)備；?另一種是檢查類:包括檢查缺陷、量測(cè)參數(shù)和測(cè)試電性。?檢查其實(shí)可再細(xì)分為檢測(cè)、量測(cè)和目檢三種，?檢測(cè)主要是針對(duì)缺陷進(jìn)行掃描，比如顆粒、圖形缺陷這些；?量測(cè)主要是量出參數(shù)值，比如:膜厚、應(yīng)力、電阻值、套準(zhǔn)偏差這些；用顯微鏡和人眼看通常歸到目檢。?4.加工設(shè)備和檢查設(shè)備配套組合在一起為工藝加工服務(wù)。工藝是車間內(nèi)資源的有序組織形式，晶圓制造是一個(gè)循環(huán)加工的過(guò)程。主要是把立體的電路圖形在襯底上給制造出來(lái)，因?yàn)槭橇Ⅲw的所以就會(huì)有層（Layer）的概念，但是每一層的工藝是差不多。這些差不多的工藝，通常被概括為四大模組：薄膜、光刻、刻蝕、注入（擴(kuò)散），每次工藝過(guò)后通常都會(huì)搭配量測(cè)或者檢測(cè)工序，用以確定工藝的結(jié)果，比如，薄膜后就會(huì)要量一下膜厚，光刻和刻蝕后會(huì)要量一下線寬，擴(kuò)散后會(huì)量一下片阻值之類，有些關(guān)鍵層還會(huì)要掃缺陷。全部做完，要測(cè)電性。

二、四大模組

模組是分工的產(chǎn)物，旨在讓人能夠聚焦于特定的一些工藝而不是全部工藝，達(dá)到熟能生巧，以確保工廠的穩(wěn)定。

模組，其實(shí)就是把類似和相關(guān)的工序組成一個(gè)集合的概念，這樣就可以分配給相對(duì)的部門去負(fù)責(zé)，他們只做這一部分對(duì)應(yīng)的工作。比如：刻蝕工藝工程師就專門做刻蝕這一部分工作，不要做薄膜的工作。

模組是一個(gè)基于工廠管理的概念，而不是一個(gè)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)分類，因此四大模組顯然是不能夠概括所有工序，只能大體上用于了解制造的過(guò)程。要對(duì)晶圓制造過(guò)程有一個(gè)相對(duì)結(jié)構(gòu)化的理解還得去分析這個(gè)產(chǎn)品本身。

在電子世界里，二進(jìn)制是萬(wàn)物的基礎(chǔ)，通過(guò)1和0可以表征復(fù)雜的控制和運(yùn)算邏輯，而二進(jìn)制與物理世界的對(duì)應(yīng)關(guān)系就是“開(kāi)”和“關(guān)”，一臺(tái)計(jì)算機(jī)就可以理解成是由一系列開(kāi)關(guān)組成的電路的集合。

一按開(kāi)機(jī)鍵，就改變了電流，它被芯片翻譯為0和1的的指令到存儲(chǔ)器進(jìn)行轉(zhuǎn)換（通過(guò)門電路），然后輸入到CPU的控制單元進(jìn)行轉(zhuǎn)換，再輸入到CPU的運(yùn)算單元（一堆門電路組成的電路，實(shí)現(xiàn)讀取指令，分析指令，讀取指令值（如開(kāi)機(jī)） ，執(zhí)行指令），算完之后，輸出給外設(shè)（輸出指令結(jié)果），比如顯示器，顯示器里面的每個(gè)晶粒通電，于是屏幕亮起。

其他的各種指示燈同理，依次亮起。這就是為什么計(jì)算機(jī)啟動(dòng)的起點(diǎn)一定是要開(kāi)機(jī)，通過(guò)外部給予一個(gè)觸發(fā)的原因。同樣，很多軟件的運(yùn)行，也一樣至少需要一個(gè)外界給予觸發(fā)，觸發(fā)之后就可以通過(guò)事先組合好的“0和1指令”（開(kāi)關(guān)）去自運(yùn)作。

這些開(kāi)關(guān)顯然不是一個(gè)一個(gè)裝上去，而是一個(gè)模塊一個(gè)模塊組合好之后作為部件再組合在一起的。所謂，芯片就是把這些開(kāi)關(guān)（實(shí)際上還有其他元器件，但是理解時(shí)可以忽略括號(hào)里面的這句話）集成在一起的模塊，也就是集成電路。為了配合開(kāi)關(guān)更好運(yùn)作，還要有一些電壓，電阻，電感，電容的界限值控制，確保其功能ok和壽命足夠。

集成電路里面的一個(gè)開(kāi)關(guān)，通常就是一個(gè)晶體管，比如MOSFET。

開(kāi)關(guān)與開(kāi)關(guān)之間還要有金屬互聯(lián)才能作用，這就是電路。

一堆開(kāi)關(guān)通過(guò)金屬互聯(lián)組成一個(gè)復(fù)雜的網(wǎng)，就形成了復(fù)雜的邏輯電路和控制電路，于是電腦就可以通過(guò)觸發(fā)后就自動(dòng)運(yùn)作，各種電器就可以通過(guò)觸發(fā)后就自動(dòng)運(yùn)作。

當(dāng)然，如果要存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的話還要有電容，電容在微觀世界里，就是兩片金屬板，充電就是1，放電就是0，一系列的電容搭配上mosfet就形成了內(nèi)存芯片。

FAB廠干的活就是在襯底上來(lái)制造出這樣的電路：開(kāi)關(guān)（晶體管）+其他器件（如電容）+連接導(dǎo)線（金屬互聯(lián)），做完之后，不能裸露，因此還需要有個(gè)保護(hù)層，就是鈍化處理。

做好之后就交付給下游封測(cè)廠去切割和封裝與測(cè)試，變成可交付給電子廠的部件，比如CPU（包括控制單元，運(yùn)算單元等）、內(nèi)存條等等。

襯底是制造電路的原材料，它是光滑的原片，F(xiàn)AB廠會(huì)在上面進(jìn)行圖形化，然后通過(guò)增材減材和改性處理，把一堆類似的電路立體式地制造在上面，變成可出貨的成品。

開(kāi)關(guān)有兩種，一種是通電就打開(kāi)，一種是斷電才打開(kāi)，我們要同時(shí)做兩種開(kāi)關(guān)，就是所謂的CMOS（CMOS能耗比單純的PMOSFET和NMOSFET這是工程演進(jìn)的一個(gè)結(jié)果。

從電子管到晶體管鍺晶體管，Si晶體管，PMOSFET和NMOSFET，CMOS，是對(duì)性能和應(yīng)用側(cè)場(chǎng)景問(wèn)題不斷解決和迭代的過(guò)程，現(xiàn)在先進(jìn)制程大部分是采CMOS工藝加工），其大致晶體管制造、金屬層堆疊、鈍化層保護(hù)的工藝流程如下:

a 晶體管制造（CMOS）

STI：隔離出一個(gè)一個(gè)井的邊界，讓開(kāi)關(guān)只在這個(gè)邊界里面加工。

NW/PW：注入離子，形成N井和P井

柵極制造：形成N井和P井的柵極

源極和漏極制造：注入離子形成源漏極，N井注入P，P井注入N，形成兩個(gè)PN結(jié)。

N是negative，P是positive，N就是引入負(fù)電荷，也就是多余的電子，P是引入多余的正電荷，就是空穴。

電子和空穴稱之為載流子。源極到漏極的方向是載流子的運(yùn)動(dòng)方向，也就是載流子是從源流入到漏（源頭流入一個(gè)漏洞，再通過(guò)漏洞流到電源）

?PMOS就是正（P）電荷從源流到漏，?NMOS就是負(fù)（N）電荷從源流到漏

電流是正電荷的流動(dòng)方向，因此NMOS和PMOS的電流方向相反。

而NMOS和PMOS里面的N和P指的是溝道里面載流子是電子還是空穴來(lái)定義的，溝道的作用是聯(lián)通源和漏，因此源和漏極里面填充的是啥和溝道內(nèi)的電性又是一樣的，所以，源極和漏極是引入N的就是NMOS，是P的就是PMOS。

bravo ！

因?yàn)镻MOS和NMOS電流方向是相反的，所以，把它兩的漏極連起來(lái)，就會(huì)得到一個(gè)從PMOS的源極到漏極再?gòu)腘MOS的漏極到源極的CMOS電路。

也就是一個(gè)非門電路：輸入端A低壓，輸出端B就是高壓；輸入端A高壓，輸出端B就是低壓。

?不同的連接和組合方式，形成基本的門電路，?不同門電路組合可以實(shí)現(xiàn)四則運(yùn)算，構(gòu)建起電子世界運(yùn)算的基礎(chǔ)，?再加上電容器的使用，則存儲(chǔ)的問(wèn)題也被解決。

能計(jì)算又能存儲(chǔ)，那么運(yùn)算器和存儲(chǔ)器就可以被制造出來(lái)。它們不同的組合和連接，就可以得到不同的芯片，比如內(nèi)存芯片，CPU芯片。

低阻值層：柵極、源極和漏極表面要生成一層低阻值物，用于后續(xù)金屬互聯(lián)層的鏈接點(diǎn)。

上面的加工過(guò)程并不是一個(gè)一個(gè)開(kāi)關(guān)去加工的，而是全部一起加工，因此以sti邊界為例，就是先涂滿膠，再把邊界要加工的邊界顯示出來(lái)，然后去掉邊界的膠，再整個(gè)處理。

這樣沒(méi)膠的是我們要的，有膠的是我們不希望被加工到井邊，用膠覆蓋住的井里，加工完再把膠去掉，這樣邊界就加工出來(lái)了，后續(xù)再在這個(gè)邊界里面用類似的批量處理方法去一起加工出出一堆由源極、漏極和柵極組成的開(kāi)關(guān)，一堆比如可以是幾千萬(wàn)個(gè)或幾億個(gè)，乃至百億個(gè)。

這些晶體管連在一起就形成一個(gè)die（一個(gè)井），也就是所謂的裸芯片，也叫管芯。

STI是Shallow Trench Isolation的縮寫，意思是淺槽隔離。STI邊界是指相鄰STI結(jié)構(gòu)之間的界限或分界線。較光滑和均勻的STI邊界可以減少電場(chǎng)濃度和電流泄漏，提高芯片的可靠性和性能。

一個(gè)die有多少個(gè)晶體管以及它們?cè)趺催B，通常是芯片設(shè)計(jì)公司會(huì)做好，變成版圖，然后再交給FAB廠，這就是所謂的"集成"電路的概念。

b 金屬層堆疊

底部器件制造完成之后，晶圓上就有非常多的MOSFET，它們彼此之間被絕緣氧化物隔離開(kāi)，密密麻麻，但是又彼此獨(dú)立。

為了讓它們能夠彼此協(xié)作進(jìn)行工作，就要將這些MOSFET鏈接起來(lái)，這些鏈接物通常是鎢，銅，也可以是其他金屬。

連起來(lái)的這些晶體管，導(dǎo)通就是1，不導(dǎo)通就是0，由柵極進(jìn)行控制。電路越復(fù)雜堆疊層數(shù)就會(huì)越多，比如幾層到十幾層。die就是一個(gè)芯片，根據(jù)尺寸不一樣，一片晶圓上可以做幾十到幾萬(wàn)個(gè)die，最后要切下來(lái)封裝。

6寸，8寸，12寸不同，還和溝道長(zhǎng)度有關(guān)系，尺寸越大，做得越小，就可以產(chǎn)出越多，成本就越低。si基現(xiàn)在8寸，12寸為主，6寸及以下要慢慢淘汰，第三代半導(dǎo)體，比如SIC和GaN目前8寸能夠量產(chǎn)的廠商還是個(gè)位數(shù)，6寸和4寸還有市場(chǎng)。

這里的寸指的是晶圓的尺寸，是用來(lái)表示晶圓大小的一種單位。不同尺寸的晶圓可以用來(lái)生產(chǎn)不同的芯片，而不同尺寸的芯片則具有不同的性能和成本。

c 鈍化層保護(hù)

制造完成前面的器件層和金屬層之后，還要加一層保護(hù)，比如SiO2或者SiN將其包裹起來(lái)，再開(kāi)幾個(gè)金屬鏈接點(diǎn)用于后續(xù)封裝使用（用于外部觸發(fā)）?；旧蟇afer制造過(guò)程就完成，可以交給封測(cè)廠進(jìn)行切割和封裝測(cè)試。

總體而言，晶圓來(lái)料表面是光滑平坦的，要在上面加工出錯(cuò)綜復(fù)雜的器件和金屬互聯(lián)線路，需要經(jīng)過(guò)增材、減材和改性處理才行。

這些過(guò)程主要和化學(xué)腐蝕與離子轟擊有關(guān)。

?其中增材就是薄膜相關(guān)工藝，?減材就是刻蝕，?改性就是注入相關(guān)工藝，

還有就是上述三個(gè)處理過(guò)程發(fā)生的具體位置通常要在晶圓上畫出來(lái)，以指示加工的范圍，則是光刻的工作。

?ET：刻蝕，用化學(xué)或物理的方法做減材處理，分為干刻和濕刻，要刻得剛剛好，不能過(guò)刻也不能不足，刻蝕率和選擇比就很重要。選擇比越大越好?？涛g速率通常是固定值比較好，為了得到這個(gè)值就要經(jīng)常做monitor，前量后量，再用公式算出來(lái)?？涛g前通常會(huì)長(zhǎng)一層氧化膜做阻擋層?？涛g考慮的指標(biāo)通常有:?Etch rate(刻蝕速率)，?selectivility（選擇比，相對(duì)刻蝕速率），?uniformity（均勻度，坑坑洼洼），?profile（刻蝕圖形規(guī)則度:斜著刻，弧形還是垂直刻） ，?end point（終點(diǎn)的選擇，到了就停止再刻，比如要sio2）?TF：薄膜，在晶圓上面長(zhǎng)膜，分pvd和cvd兩種，膜厚，均勻度，平坦度很重要。要獲得好的均勻度和平坦度，要在真空環(huán)境下來(lái)完成，為什么呢？因?yàn)檎婵窄h(huán)境，把金屬氣化之后就會(huì)變成無(wú)序四面八方去運(yùn)動(dòng)，就會(huì)更均勻。?DF：擴(kuò)散/注入，擴(kuò)散通常是把離子打到比較淺，再高溫加熱讓它擴(kuò)散到深處，注入是直接用能量打進(jìn)去，不要加熱，屬于可以常溫下下處理的一種工藝。要控制能力，劑量和角度。?PH：黃光，車間里面這個(gè)區(qū)域的燈都是黃色的，包括涂膠，曝光，顯影三大工序，膠分為正膠和負(fù)膠（負(fù)膠是曝光部分顯影后會(huì)留下來(lái)，正膠則相反，可以把負(fù)當(dāng)作“附”著來(lái)輔助記憶），

原理是：光刻膠中含有感光劑，被照射后會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使得被照射部分和未被照射部分，接觸到顯影液時(shí)候的溶解速度相差三個(gè)數(shù)量級(jí)（比如3000）倍左右。

曝光時(shí)候，能量，焦距和曝光時(shí)間很重要，會(huì)影響尺寸和圖形的品質(zhì)，在確定參數(shù)時(shí)，都會(huì)先做FEM（focus enerage matrix）。

光刻比較在意的有這樣幾個(gè)結(jié)果參數(shù)：

?分辨率，也就是一毫米寬的距離可以畫多少條清晰的線；?Overlay，也就是不同層之間的對(duì)準(zhǔn)；?缺陷，做完光刻，不能有殘留。還有就是感光速率，太慢效率就低了，成本會(huì)變高;?另外就是膨脹，溫度會(huì)熱脹冷縮，影響對(duì)準(zhǔn)。

如前文所述，四大模組制造產(chǎn)品，過(guò)程當(dāng)中也是要穿插檢測(cè)進(jìn)行測(cè)量，防止不良造成后段工序出現(xiàn)問(wèn)題，比如：

?光刻不同層之間要確定套準(zhǔn)偏差在規(guī)格以內(nèi)，?刻蝕要關(guān)注刻蝕后的臺(tái)階，?薄膜要量膜厚等等。

做完之后，看產(chǎn)品，有些還有背金，就是把整個(gè)Wafer背面做減薄處理。

最后出貨前，還要進(jìn)行電性檢測(cè)，以評(píng)價(jià)器件特性。

電性無(wú)外乎就是，電容、電阻、電流、電壓，一講就知道，只是把這些參數(shù)放到MOSFET的場(chǎng)景去而已。

如果把一個(gè)晶體管想象成一個(gè)開(kāi)關(guān)，分為源，漏，柵極。柵極加電壓，電流就會(huì)從源極流到漏極。這樣一個(gè)簡(jiǎn)單場(chǎng)景，它的理想狀態(tài)是:

?a.我要知道施加到柵極的電壓是一個(gè)固定值，同一個(gè)開(kāi)關(guān)不能變來(lái)變?nèi)ィ@個(gè)是Vt，另一個(gè)是Vt+n，否則容易出現(xiàn)，開(kāi)關(guān)沒(méi)打開(kāi)的情況，這個(gè)Vt就是所謂的閾值電壓（Threshold Voltage），也就是產(chǎn)生強(qiáng)反轉(zhuǎn)所需的最小電壓。這個(gè)值是客戶根據(jù)使用場(chǎng)景設(shè)計(jì)時(shí)候就定好的，比如手機(jī)和汽車上用的MOS（開(kāi)關(guān)），肯定就不一樣。因此，F(xiàn)AB做出來(lái)的結(jié)果要接近客戶的設(shè)計(jì)值。?b.當(dāng)Vt確定后，往柵極加電壓，就要可以控制電流，這個(gè)加上去的電壓和被控制的電流它們之間的關(guān)系以及自己的穩(wěn)定性也要被規(guī)范。柵極電壓叫Vg，v是電壓，g是GATE，柵極的意思。

根據(jù)原理，當(dāng)柵極電壓Vg

?c.那加了一個(gè)固定的Vg電流是不是穩(wěn)定的呢，不是的，實(shí)際會(huì)受環(huán)境影響漂來(lái)漂去，比如溫度高溫度低之類。那就卡一下最大電流，就是所謂的飽和電流。

也就是在柵壓(Vg)一定時(shí)，源/漏(Source/Drain)之間流動(dòng)的最大電流Idsat，這里I是電流的意思。

?d.開(kāi)時(shí)候有電流，關(guān)時(shí)候就要沒(méi)電流，這才是一顆正經(jīng)開(kāi)關(guān)，可是實(shí)際上也是很難的，所以只能追求它越小越好。Ioff，這里I是電流的意思，ioff叫關(guān)態(tài)電流。

Vg=0時(shí)的源、漏級(jí)之間的電流，一般要求此電流值越小越好。Ioff越小, 表示柵極的控制能力愈好, 可以避免不必要的漏電流(省電)。

?此外，還有Vbk(breakdown)、Rs、Rc等等用以評(píng)價(jià)器件特性。而這些特性其實(shí)與前面工藝過(guò)程息息相關(guān)，比如Vt就與poly CD、Gate oxide Thk. (柵氧化層厚度)、AA(有源區(qū))寬度及Vt imp條件有關(guān)。

測(cè)量電性的是Wat和CP，其中，WAT是抽測(cè)（模擬器件，選幾個(gè)點(diǎn)），CP是全檢，會(huì)用到的探針卡，測(cè)到的ng的芯片，要用墨點(diǎn)掉，就是把晶圓上ng的那一些芯片打一個(gè)墨點(diǎn)，這個(gè)工步叫ink，封裝廠到時(shí)候就不會(huì)去封裝這些帶墨點(diǎn)的die，以及外觀檢驗(yàn)和Packing真空包裝出貨。

后道和前道的信息流要確保通暢，才能有效防止不良品不會(huì)流到最終消費(fèi)者手中。因此工廠里面就要有CIM系統(tǒng)來(lái)做制造輔助管理。

NG是指不良的芯片，而INK是指對(duì)不良芯片進(jìn)行標(biāo)記或識(shí)別的過(guò)程。

?CIM系統(tǒng)：計(jì)算機(jī)集成制造系統(tǒng)，它不是一個(gè)系統(tǒng)，而是與制造過(guò)程強(qiáng)相關(guān)的一系列系統(tǒng)的總稱，包括:?MES系統(tǒng)、?EAP系統(tǒng)、?RMS系統(tǒng)、?PC系統(tǒng)、?SPC系統(tǒng)、?YMS系統(tǒng)、?RTS系統(tǒng)、?RTD系統(tǒng)、?AMHS系統(tǒng)等。?MES：生產(chǎn)執(zhí)行系統(tǒng)，用于管理車間的生產(chǎn)過(guò)程，起到防呆和追溯的作用，是工程師使用最多的系統(tǒng)，工藝，設(shè)備和制造崗位幾乎每天都要用到它。?EAP系統(tǒng):設(shè)備自動(dòng)化控制，上料后，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)從上位系統(tǒng)，比如MES、RMS、APC獲取run貨信息給設(shè)備下指令加工，加工后把機(jī)臺(tái)數(shù)據(jù)采集起來(lái)傳給不同的系統(tǒng)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析和控制。?SPC系統(tǒng):每次加工完成會(huì)有量測(cè)值，要進(jìn)入到這個(gè)系統(tǒng)去進(jìn)行分析，分析結(jié)果有異常就會(huì)自動(dòng)限制機(jī)臺(tái)和lot的流動(dòng)與運(yùn)行。?APC:參數(shù)調(diào)優(yōu)，比如根據(jù)光刻套準(zhǔn)偏差計(jì)算補(bǔ)償值，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)整機(jī)臺(tái)參數(shù)。?YMS系統(tǒng):不同的Layer，要系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行疊圖分析，形成最終MAP圖，喂給機(jī)臺(tái)進(jìn)行加工，實(shí)現(xiàn)MAP Control。?RTS和RTD:實(shí)現(xiàn)算法自動(dòng)派工，達(dá)到車間效率最佳和平準(zhǔn)化生產(chǎn)。?AMHS：自動(dòng)物料搬運(yùn)，用天車實(shí)現(xiàn)Lot運(yùn)送。

晶圓廠體現(xiàn)的是制造的最高水準(zhǔn)，每天海量的數(shù)據(jù)，靠人工無(wú)法處理，基本上都需要IT系統(tǒng)來(lái)完成，通過(guò)人機(jī)系統(tǒng)的協(xié)同，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定和高質(zhì)量的交付。

晶圓廠體現(xiàn)的是制造的最高水準(zhǔn)，工業(yè)化目前最高水準(zhǔn)的體現(xiàn)。

工業(yè)軟件追求的是一個(gè)穩(wěn)定和防呆，通常技術(shù)比較舊，難用，界面密密麻麻一堆參數(shù)，功能模塊有幾百個(gè)。

曾經(jīng)去產(chǎn)線，看到的ATE的機(jī)臺(tái)上面有個(gè)一個(gè)極簡(jiǎn)的指導(dǎo)文檔被粘貼在機(jī)臺(tái)上，每個(gè)案件也被標(biāo)注了step。

一個(gè)FAB通常要配一個(gè)一定規(guī)模的IT團(tuán)隊(duì)對(duì)其進(jìn)行維護(hù)和不斷地二開(kāi)。

半導(dǎo)體廠追求的full auto，日常工作很多都要通過(guò)系統(tǒng)來(lái)完成，比如做實(shí)驗(yàn)，就要在系統(tǒng)開(kāi)單，解Hold也要在系統(tǒng)做動(dòng)作等等。

因此模組工程師除了學(xué)習(xí)工藝和設(shè)備相關(guān)技能外，還要學(xué)習(xí)不同的系統(tǒng)操作。這些系統(tǒng)有些是國(guó)產(chǎn)，有些是舶來(lái)品，有些是外購(gòu)有些是自研。

但是好在它們都是圍繞著晶圓制造的業(yè)務(wù)在服務(wù)，因此，功能服務(wù)對(duì)象是差不多，術(shù)語(yǔ)也大體一致，比如Secsion，你在這一家系統(tǒng)看到和其他家系統(tǒng)看到，它的意思都是一樣的。

一片Wafer從投片到出貨，會(huì)經(jīng)過(guò)幾百步驟乃至幾千步。

前面的襯底制備，和后面的成品檢測(cè)外，中間的步驟就是一層一層的薄膜、光刻、刻蝕、擴(kuò)散的循環(huán)，每一個(gè)層就是所謂Layer，層與層之間要對(duì)準(zhǔn)，否則就有可能影響器件特性。

而影響層與層對(duì)準(zhǔn)的可能是工藝參數(shù)，比如涂膠時(shí)候的轉(zhuǎn)速導(dǎo)致涂膠不均勻進(jìn)而影響曝光之類。大概工藝影響的鏈條是這樣:

?工藝參數(shù)（Recipe參數(shù)）、?工藝特性（cd/ovl、profile…）、?器件特性（Wat可檢出電性:Vt、Ron、Loff、Rcvia、Rsheet、Continuty…;CP可檢出電性:RT／HT、Vt、Ron、Ioff…）、?產(chǎn)品使用性（可靠性），

日常分析的理想狀態(tài)就是要去把握它們之間的Corelation分析。

如果在具體產(chǎn)品的制造過(guò)程中，如果我們知道機(jī)臺(tái)的某個(gè)參數(shù)，比如：壓力、功率，它會(huì)影響到最終CP的哪個(gè)具體器件特性，比如擊穿電壓之類。

就可以將其集成到CIM系統(tǒng)里面進(jìn)行卡控。日積月累形成制造系統(tǒng)知識(shí)庫(kù)，讓車間的抗擾動(dòng)能力不斷加強(qiáng)，以提高良率、效率和降低單件成本。

基于這樣的目的，要有一堆人用系統(tǒng)的術(shù)語(yǔ)理解，從事不同的崗位，共同努力才能實(shí)現(xiàn)。

三、術(shù)語(yǔ)總結(jié)

3.1 與人相關(guān)

3.1.1 工作崗位

?CE:負(fù)責(zé)對(duì)接客戶的工程師?TD、RD:技術(shù)研發(fā)部門?PIE:制程整合工程師，類似產(chǎn)品經(jīng)理和PM的角色，和客戶對(duì)接了解客戶需求帶回廠內(nèi)，協(xié)調(diào)各個(gè)部門，評(píng)估量產(chǎn)可行性，關(guān)注最終產(chǎn)品的電性是否符合。?PE:工藝工程師，簡(jiǎn)稱工藝根據(jù)規(guī)格要求設(shè)定機(jī)臺(tái)的Recipe，提升生產(chǎn)效率和良率。?工作日常:刷郵件有沒(méi)有被highlight，有沒(méi)有領(lǐng)導(dǎo)或者別部門的待處理事項(xiàng)；?夜班交接事項(xiàng):Hold lot處理、機(jī)臺(tái)、產(chǎn)品相關(guān)事項(xiàng)的處理；?開(kāi)會(huì):Issue的處理、action item的進(jìn)度；?處理 Hold lot、異常、各種項(xiàng)目協(xié)助工作；?hold 比例下降項(xiàng)目、良率提項(xiàng)目等?EE:設(shè)備工程師，簡(jiǎn)稱設(shè)備 保持機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定:日常保養(yǎng)，確保不發(fā)生問(wèn)題 發(fā)生問(wèn)題了，去找出原因并解決。Down機(jī)要寫報(bào)告，新機(jī)臺(tái)的安裝和調(diào)試 hold lot reduction，cip continue improve plan，parts 管理 ，sop制作，fdc 監(jiān)控逐漸衰退的trendchart，提前更換零件等等。

這些都是一些管理、維護(hù)和改善系統(tǒng)的概念，可能涉及到生產(chǎn)、運(yùn)營(yíng)、維護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。以下是對(duì)這些概念的基本解釋：

?Hold Lot Reduction：這是指減少庫(kù)存的一種策略。通過(guò)精確地預(yù)測(cè)需求，并保持合理的庫(kù)存水平，可以降低庫(kù)存持有成本并提高資金的流動(dòng)性。

?CIP Continue Improve Plan：這可能是指持續(xù)改進(jìn)計(jì)劃（Continuous Improvement Plan）。這通常是一種不斷優(yōu)化流程、減少浪費(fèi)、提高效率的策略。

?Parts Management：這是指零件或部件的管理。包括零件的采購(gòu)、存儲(chǔ)、分發(fā)等環(huán)節(jié)。有效的零件管理可以確保生產(chǎn)的順利進(jìn)行，同時(shí)還可以降低庫(kù)存成本。

?SOP (Standard Operating Procedure) Creation：這是指制定標(biāo)準(zhǔn)操作程序。SOP是指導(dǎo)員工如何進(jìn)行日常工作的文件，可以確保工作的標(biāo)準(zhǔn)化和一致性。

?FDC (Failure Trend Chart) Monitoring：這是指對(duì)失敗趨勢(shì)圖的監(jiān)控。通過(guò)追蹤和分析故障模式的趨勢(shì)，可以提前發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，并采取相應(yīng)的措施防止故障的發(fā)生。

?Replacement of parts in advance：提前更換零件是預(yù)防性維護(hù)的一部分。這通常涉及到預(yù)測(cè)設(shè)備或系統(tǒng)的壽命，并在其達(dá)到壽命之前提前更換零件，以避免生產(chǎn)中斷或設(shè)備故障。

?PP:生產(chǎn)計(jì)劃?IE:工業(yè)工程師?廠務(wù)工程師?MFG:制造部?YE:缺陷改善工程師 工作日常:Defect Map，Defect trendchart分析，Setup KLA Recipe，hightline Module，追蹤process產(chǎn)生的問(wèn)題，進(jìn)行early Alert:DN以減小impact scope。比較關(guān)注缺陷，發(fā)現(xiàn)問(wèn)題highlight Module，請(qǐng)他們改善。缺陷改善工程師（YE）的工作日常包括以下內(nèi)容：

Defect Map分析：這是一種可視化工具，用于顯示缺陷的分布情況，可以幫助YE了解哪些區(qū)域或產(chǎn)品線存在更多的缺陷。

Defect trendchart分析：通過(guò)分析缺陷趨勢(shì)圖，YE可以了解缺陷隨時(shí)間的變化情況，從而確定是否需要采取措施來(lái)解決這些問(wèn)題。

Setup KLA Recipe：這可能涉及設(shè)置或優(yōu)化自動(dòng)檢測(cè)缺陷的腳本或程序。KLA（Key Laboratory of Advanced Technology）可能是一個(gè)實(shí)驗(yàn)室或研究機(jī)構(gòu)，其研究的技術(shù)可能涉及自動(dòng)化檢測(cè)。

hightline Module：這可能是一個(gè)系統(tǒng)或工具，用于高亮顯示或標(biāo)記缺陷，以便更容易地識(shí)別和解決問(wèn)題。

追蹤process產(chǎn)生的問(wèn)題：這意味著YE需要找出是什么導(dǎo)致了這些問(wèn)題，以及如何在生產(chǎn)過(guò)程中預(yù)防它們?cè)俅伟l(fā)生。

進(jìn)行early Alert：DN以減小impact scope。這可能涉及到盡早發(fā)現(xiàn)并報(bào)告問(wèn)題，以便有足夠的時(shí)間來(lái)制定和實(shí)施解決方案，從而最大限度地減少對(duì)產(chǎn)品或服務(wù)的影響。

?TO:生產(chǎn)技術(shù)員 線上作業(yè)員，按照SOP進(jìn)行作業(yè)。

SOP指的是標(biāo)準(zhǔn)操作程序

3.1.2 職位

臺(tái)廠在高端電子代工占據(jù)全球半壁江山，公司都很大，幾萬(wàn)人到幾十萬(wàn)人不等，整個(gè)職位等級(jí)比較規(guī)整，他們貌似基本上實(shí)現(xiàn)了全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化，一個(gè)協(xié)理出來(lái)，大概就知道是什么層級(jí)的管理層。

相對(duì)而言，大陸企業(yè)的職位體系就各個(gè)公司都有很大差異，一個(gè)經(jīng)理你就不好知道他是什么樣的管理層。

半導(dǎo)體行業(yè)受臺(tái)灣影響比較大，整個(gè)職位體系就與臺(tái)廠相近。

臺(tái)廠典型職位等級(jí)是:線長(zhǎng)（班長(zhǎng)）、組長(zhǎng)、課長(zhǎng)、部長(zhǎng)、專理、副理、經(jīng)理、處長(zhǎng)、協(xié)理、副總、總經(jīng)理、副總裁、總裁（臺(tái))。

大陸半導(dǎo)體廠基本上也是裁剪使用這一套，基本上會(huì)有這些職務(wù):班長(zhǎng)、課長(zhǎng)（科長(zhǎng)、課經(jīng)理）、經(jīng)理（部經(jīng)理）、處長(zhǎng)、總裁這樣，其中省去了一些大陸不習(xí)慣的專理和協(xié)理這種稱呼。

3.2 與設(shè)備相關(guān)

?Equip:機(jī)臺(tái)?Equip Group:機(jī)臺(tái)組，代表的是一種加工的能力（Capability），比如:AA層 Photo 涂膠，代表這個(gè)能力組的設(shè)備可以加工此層的涂膠，它具備這個(gè)能力。能力組的屬性還有許多，比如Recipe等。設(shè)備和能力組是多對(duì)多的關(guān)系，代表一個(gè)機(jī)臺(tái)用不同的參數(shù)就可以完成不同的加工，也就是具有不同的能力，按S95標(biāo)準(zhǔn)是使用Capability比Group更準(zhǔn)確。?Recipe: 配方/菜單，用以定義機(jī)臺(tái)某一組加工參數(shù)和job process的集合。比如:感應(yīng)到片子、抽最上面一片，進(jìn)腔體1，抽真空至xx，過(guò)2min，移動(dòng)到腔體2，使用xx參數(shù)加工xx時(shí)間，破真空…，把片子放回原Slot（槽位）。這樣一個(gè)包含傳動(dòng)、流程和過(guò)程參數(shù)組成的集合就叫Recipe。?subEquip: 子設(shè)備，如chamber和loadport?Chamber: 腔體?Loadport: 上料口?job: 機(jī)臺(tái)內(nèi)部的加工過(guò)程，包括步驟以及每個(gè)步驟的腔體和對(duì)應(yīng)參數(shù)和時(shí)間等的一個(gè)集合?打標(biāo)機(jī): 用激光技術(shù)在Wafer上面刻上ID?刷洗機(jī): 打標(biāo)會(huì)產(chǎn)生顆粒，因此需要進(jìn)行刷洗?顯微鏡: 洗的干不干凈，可以用顯微鏡看?涂膠機(jī): PR Coat，通過(guò)旋轉(zhuǎn)在Wafer上勻膠，分正負(fù)光刻膠兩種，正膠見(jiàn)光死，負(fù)膠見(jiàn)光活?曝光機(jī): 給光刻膠曝光，將Mask的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，光刻膠是高分子有機(jī)物，叫光致抗蝕劑。比如負(fù)膠被光照到地方會(huì)發(fā)生交鏈反應(yīng)，原本線型結(jié)構(gòu)變成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，到顯影液中就不會(huì)去掉而被保留。正向光刻膠，則被照的地方會(huì)發(fā)生降解，而更容易被顯影液溶解。?大面積透光為明場(chǎng)光罩板（Clear Mask），大面積不透光為暗場(chǎng)光罩板（Dark Mask），GDSII定義的圖形區(qū)不透光則對(duì)應(yīng)為Clear Mask，反之則為Dark Mask?顯影機(jī):給光刻膠顯影，讓圖形顯示出來(lái)?DUV、EUV***，是讓圖形縮小的設(shè)備。?Season片: 機(jī)臺(tái)啟動(dòng)后，投個(gè)Season片進(jìn)行暖機(jī)。不同機(jī)臺(tái)或者Chamber的暖機(jī)機(jī)制差別很大，有些是For Recipe的，比如從A Recipe切換到B Recipe就要暖機(jī); 還有是For idle時(shí)間的暖機(jī)，比如停機(jī)多久就要暖機(jī)。當(dāng)然，出了暖機(jī)還有冷機(jī)，就是比如切換到某個(gè)Recipe 必須冷卻一段時(shí)間才能Run貨。?Constraint：機(jī)臺(tái)限制，包括有正向約束，反向約束，goloden，唯一正向約束，其中，黃金約束是同組設(shè)備哪些可Run，哪些禁Run。?parts：零部件?ring：環(huán)，零部件的一種?target：靶材

3.3 與物料相關(guān)

?Substrate: 襯底，是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，是FAB廠從供應(yīng)商采購(gòu)的原材料，它也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。?背面刻號(hào): 襯底來(lái)料背面通常會(huì)有供應(yīng)商刻的追溯ID，是一串?dāng)?shù)字和字母組成的流水碼，叫T7 Code?Spec: 參數(shù)，來(lái)料關(guān)注的一些技術(shù)參數(shù)，比如厚度，電阻率之類的關(guān)鍵參數(shù)信息。還有工藝加工過(guò)程的參數(shù)也是叫Spec。參數(shù)通常會(huì)設(shè)置規(guī)格，超規(guī)格一般的處理是Hold?PN: 料號(hào)，不同供應(yīng)商，不同材料參數(shù)的襯底會(huì)有不同的料號(hào)，和Raw material一樣的意思，站在供貨方角度叫PN，站在收貨方角度就叫原材料。?EPI: Epitaxy外延片，經(jīng)過(guò)MOCVD工藝，可以在襯底上長(zhǎng)一層幾微米的單晶，可以與襯底為同一材料，也可以是不同材料（同質(zhì)外延或者是異質(zhì)外延），由于新生單晶層按襯底晶相延伸生長(zhǎng)，從而被稱之為外延層。?Wafer: 晶圓，口語(yǔ)叫片子，是一個(gè)統(tǒng)稱，應(yīng)該是包含外延，加工過(guò)的襯底和裸片?DIE: 晶圓上面的一個(gè)芯片，也叫管芯，比如一片6寸的晶圓上可以制造3000個(gè)Die?Lot:若干個(gè)晶圓組成的一個(gè)批次叫Lot，比如8片一個(gè)Lot，25片一個(gè)Lot這樣，通常根據(jù)產(chǎn)品，這個(gè)數(shù)量有一個(gè)常規(guī)值。通常會(huì)用一個(gè)ID進(jìn)行標(biāo)識(shí)。?NPW片:非產(chǎn)品片的總稱，包括:結(jié)構(gòu)片、監(jiān)控片（Monitor）、QC片、Season暖機(jī)片、Dummy片?QC片: 定期檢測(cè)機(jī)臺(tái)參數(shù)是否OK,比如刻蝕速率、顆粒是否OK，就會(huì)投QC片子進(jìn)去加工來(lái)檢測(cè)參數(shù)?offline:與Lot加工處理不相關(guān)的定義為offline，比如設(shè)備PM、NPW的處理過(guò)程、輔助工具的處理過(guò)程的一些數(shù)據(jù)監(jiān)控?Inline: 與LOT加工直接相關(guān)的或者是監(jiān)控LOT的參數(shù)屬于Inline。?SPC:統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制，用以監(jiān)控生產(chǎn)過(guò)程的穩(wěn)定性，是一套IT系統(tǒng)。包括:控制圖查詢、異常查詢等。比如膜厚，會(huì)監(jiān)控單點(diǎn)規(guī)格和均值。超管控（OOC/OOS）會(huì)觸發(fā)郵件報(bào)警和Hold，還有一些判異規(guī)則:比如連續(xù)七點(diǎn)上升或下降之類也會(huì)有相應(yīng)處置。

SPC Rule通常要結(jié)合實(shí)際使用，比如tf的工藝特性是隨著時(shí)間推移，某些參數(shù)會(huì)逐漸下降，那么就可以啟用連續(xù)下降的Rule。但是有些是非正態(tài)分布和連續(xù)的值，比如缺陷數(shù)，這些就卡一個(gè)spec就行。在應(yīng)用spc的時(shí)候，終極目標(biāo)是持續(xù)減少普通原因，抓住特殊原因，但是也要兼顧工程師loading。

客戶給一個(gè)規(guī)格，比如99~100，工廠能不能做到，就要去抓在線數(shù)據(jù)，算出中心值和分布情況標(biāo)準(zhǔn)差，然后和客戶要求的上下限放在一起形成控制圖。天天這樣算太麻煩，于是就有指標(biāo)來(lái)協(xié)助，比如cp和cpk。

?cp常識(shí)理解就是制程能力，能力越強(qiáng)，波動(dòng)范圍越小，也就是cp值越大，波動(dòng)范圍越小。純公式理解也是這個(gè)結(jié)論，客戶要求的規(guī)格Range/實(shí)際的6西格瑪。波動(dòng)小，代表分母小了，因?yàn)榉肿硬蛔兯詂p就大。一般大于1.33是好的。

但是波動(dòng)大小之外還要考慮中心點(diǎn)均值，所以還要看cpk值。

?OOC/OOS:針對(duì)規(guī)格或控制圖的兩對(duì)控制線，比如目標(biāo)值是100，ooc是-99.5和100.5（管控線）、oos是-99和101（規(guī)格線），OOC和OOS主要是Range的不同。理論上oos就要報(bào)廢的，可是實(shí)際工作中，由于人性，大家設(shè)置規(guī)格時(shí)候都會(huì)層層給自己buffer，所以也會(huì)出現(xiàn)超過(guò)之后，還往下放的情況，只是開(kāi)一個(gè)DRB做監(jiān)控。?Batch:若干個(gè)lot和NPW組成的集合，產(chǎn)品+非產(chǎn)品一起進(jìn)去加工，出來(lái)后，把NPW拿去測(cè)顆粒（Particle），用來(lái)判斷產(chǎn)品上的顆粒水平，NPW是光片上面沒(méi)圖形測(cè)得更準(zhǔn)。比如:爐管通常都是多個(gè)Lot一起組成Batch放在晶舟投進(jìn)去加工。?Hold: 把片子鎖住不讓往后流片，執(zhí)行此動(dòng)作的系統(tǒng)是MES?Hold Ratio：hold lot占WIP的比例，用來(lái)考核Module處理Hold lot的指標(biāo)，通常會(huì)有不同部門都有自己的target，不能高于多少?wip：work in process，在制品?Release: 解鎖，片子可以繼續(xù)往后流?skip：跳步?ship：出fab的最后一步?Future hold: 提前設(shè)置好片子要Hold在未來(lái)的哪個(gè)工序?MES: 生產(chǎn)執(zhí)行系統(tǒng)，用于管理生產(chǎn)過(guò)程的IT系統(tǒng)， 包括:?對(duì)生產(chǎn)過(guò)程和物理設(shè)施的建模、?過(guò)程監(jiān)控和追溯等功能，對(duì)下連接EAP、橫向?qū)覹MS、SPC系統(tǒng)和物流系統(tǒng)、對(duì)上連接ERP系統(tǒng)，也會(huì)和OA系統(tǒng)對(duì)接?issue: 產(chǎn)線出現(xiàn)的問(wèn)題，Triger Issue的因素很多，大概包括以下幾個(gè)來(lái)源:工程師發(fā)現(xiàn)、系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)、客戶發(fā)現(xiàn)。通常系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)的影響程度最小、工程師次之，客戶發(fā)現(xiàn)最受重視，大部分是這樣，不一定全是。?OP meeting：跨部門的生產(chǎn)會(huì)議。參會(huì)成員包括:Module、制造部、質(zhì)量、TD、PIE、YE、MPC、計(jì)劃、市場(chǎng)、廠務(wù)等，一般是一級(jí)領(lǐng)導(dǎo)參會(huì)。每天議題固定，主要包括:投片和產(chǎn)出進(jìn)展、重點(diǎn)批次的進(jìn)展和提前準(zhǔn)備通知、昨晚的Down機(jī)情況以及一些AR的跟進(jìn)。其他部門的一些重要議題等。發(fā)生重大Issue一般要準(zhǔn)備報(bào)告來(lái)op匯報(bào)。是工廠里面重要的拉通對(duì)齊和highlight會(huì)議。?Particle: 顆粒，就是金屬顆粒，灰塵這些附著物，會(huì)影響器件性能，這是半導(dǎo)體殺手。?OTD：on Time delivery，準(zhǔn)時(shí)交貨率

3.4 工藝方法相關(guān)

?PWQ:為了更好地回避晶圓之間工藝參數(shù)的漲落對(duì)確定工藝窗口的影響，可以在同一片晶圓上改變曝光能量和聚焦度，再用缺陷檢測(cè)的方法來(lái)確定最佳曝光條件。這一工作被稱為工藝窗口的再驗(yàn)證（process window qualification, PWQ）?split：分批?merge：合批?optimize?parameter 的 correlation確認(rèn)?SRC：split runcard，分片單，做實(shí)驗(yàn)時(shí)候要從主FLOW上開(kāi)分片單，跑不同條件?PRS：process Release standard，工藝放行標(biāo)準(zhǔn)，開(kāi)發(fā)新工藝時(shí)候，Release要有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。?Str：split testing release，小批量驗(yàn)證?mstr：mass split testing Release，大批量驗(yàn)證?BSL：baseline，基線，基準(zhǔn)，baseline機(jī)臺(tái)指的是作為基準(zhǔn)的設(shè)備，比如第一臺(tái)研發(fā)成功的設(shè)備，后續(xù)的就屬于擴(kuò)機(jī)設(shè)備，而baseline spec就是確定了作為基準(zhǔn)的規(guī)格，這個(gè)是一個(gè)形容詞，可以用在很多場(chǎng)景，這里只舉例兩個(gè)而已。?CD：關(guān)鍵尺寸?inspection：檢查?ADI：after develop inspection，顯影后檢查?AEI：刻蝕后檢查，e是刻蝕，ai和adi一樣?monitor：監(jiān)控，比如做QC監(jiān)控機(jī)臺(tái)長(zhǎng)膜是否正常

3.5 工作場(chǎng)景相關(guān)

?測(cè)機(jī) 做Daily Monitor，用以監(jiān)控機(jī)臺(tái)的THK（厚度）、PA（顆粒）、U％（均勻度），并形成offline Chart。?缺陷監(jiān)控 用KLA缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)掃發(fā)現(xiàn)Defect，于是Highlight defect 給PE owner，工程師就要確認(rèn)SPC 有沒(méi)有OOC和OOS，或確認(rèn)FDC的log有否異常，若發(fā)現(xiàn)機(jī)臺(tái)有問(wèn)題，就會(huì)PM，PM時(shí)可能要Calibration 某些部件，PM之后，要確認(rèn)BaseLine后，才可以Release給MFG。?Prob Card:探針卡，Wafer生產(chǎn)完成之后，出貨前要做CP測(cè)試，用于連接Wafer和測(cè)試機(jī)臺(tái)（tester）的治具。?MAP:晶圓制造是By Layer制造，中間生產(chǎn)的關(guān)鍵層會(huì)去掃Defect，最后成品會(huì)測(cè)Wat和CP，最終結(jié)果會(huì)把幾層的結(jié)果做疊圖，形成Map，再Ink掉fail Die。?解Hold lot 產(chǎn)線出現(xiàn)Issue，MES hold lot，工程師確認(rèn)發(fā)現(xiàn)是Q time 超 ,初步判定不會(huì)產(chǎn)生Defect，也不會(huì)影響良率，于是做Release 處理，避免影響Hold Ratio?PCRB:Program Change Review Board，項(xiàng)目變更審查委員會(huì) FMEA、PSM、DOE、SPC、Hold Rate、Rework Rate、PCRB、YE、8D Report?weekly:一周一次?bi-weekly:兩周一次?MO:Miss operation double confirm?cip:continue improve plan?bsk:best known method 最佳方法?AI/AR:action item/request 應(yīng)執(zhí)行項(xiàng)目?fyi:For your information?ndr:non-conforming disposition report 異常單，全稱忘記了 有問(wèn)題開(kāi)單處理?OCAP:out of control action plan失控行動(dòng)計(jì)劃，比如EDC OOS了，第一步是確認(rèn)量測(cè)數(shù)據(jù)有沒(méi)有錯(cuò)，第二步是重新量，第三步是針對(duì)機(jī)臺(tái)和片子的處理等等，這樣的一個(gè)流程方案。?DRB:Disposition Review Board，針對(duì)lot，比如超Spec了往下放就要開(kāi)drb進(jìn)行追蹤。?Event abnormal review:重大的品質(zhì)事件要開(kāi)EAR，比如某個(gè)工序持續(xù)出現(xiàn)同樣的defect map。?mrb:material review board，重大物料異常要開(kāi)MRB，大批量用錯(cuò)原材料，用錯(cuò)光刻膠等等?DRB，EAR、MRB:大概就是異常的處理流程，DRB是確認(rèn)要不要追蹤電性，比如介質(zhì)厚度便薄可能會(huì)影響電容，就要追蹤一下子，這個(gè)lot owner層級(jí)可處理。出現(xiàn)重大事件，就要啟動(dòng)EAR和MRB處置流程，這個(gè)流程層級(jí)更高，要提交8D報(bào)告。?FMB：Factory Monitoring Board

3.6 術(shù)語(yǔ)應(yīng)用進(jìn)階

一個(gè)Lot，通常沒(méi)一層都要做鏡檢、掃Defect，測(cè)CD、Defect會(huì)出MAP圖，比如刻蝕不凈和殘膠等，CD可監(jiān)控OOC、OOS進(jìn)而知道在線工藝穩(wěn)定情況，WAT會(huì)模擬器件測(cè)值，CP全測(cè)，為ink做數(shù)據(jù)支撐，defect疊圖分析也可支撐ink，最終得到shipping Yield。

?Lot：在半導(dǎo)體制造中，一個(gè)Lot通常指的是一批經(jīng)過(guò)相同處理步驟的晶圓。鏡檢：這是一種通過(guò)顯微鏡對(duì)半導(dǎo)體表面進(jìn)行仔細(xì)觀察的方法。它用于檢測(cè)各種缺陷，如刻蝕不凈和殘膠等。?掃Defect：這可能是一種使用激光或其他能量源來(lái)檢測(cè)和識(shí)別半導(dǎo)體表面或體內(nèi)的缺陷的技術(shù)。?測(cè)CD：這里的CD可能是指關(guān)鍵尺寸（Critical Dimension），它是一個(gè)衡量半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)尺寸的參數(shù)。通過(guò)測(cè)量CD，可以監(jiān)控在線工藝的穩(wěn)定性，以及判斷是否符合設(shè)計(jì)要求。?Defect會(huì)出MAP圖：MAP圖可能是一種表示缺陷分布的可視化工具，類似于地圖。它可以幫助分析和理解工藝中可能出現(xiàn)的問(wèn)題。?WAT：半導(dǎo)體硅片在完成所有制程工藝后，針對(duì)硅片上的各種測(cè)試結(jié)構(gòu)所進(jìn)行的電性測(cè)試。通過(guò)對(duì)WAT數(shù)據(jù)的分析，我們可以發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體制程工藝中的問(wèn)題，幫助制程工藝進(jìn)行調(diào)整。?CP全測(cè)：這可能指的是對(duì)每個(gè)芯片進(jìn)行全面的晶圓測(cè)試，以確保其符合規(guī)格和性能標(biāo)準(zhǔn)。?為Ink做數(shù)據(jù)支撐：這里的Ink可能指的是在晶圓上標(biāo)記或識(shí)別不良芯片的過(guò)程。數(shù)據(jù)支撐可能指的是為這個(gè)過(guò)程提供必要的數(shù)據(jù)或分析，以幫助確定哪些芯片需要被標(biāo)記或隔離。?defect疊圖分析也可支撐Ink：這意味著通過(guò)對(duì)缺陷進(jìn)行詳細(xì)分析，可以進(jìn)一步支持芯片的標(biāo)記或隔離過(guò)程。?最終得到Shipping Yield：這是指最終產(chǎn)品的良品率或出貨率。經(jīng)過(guò)所有這些步驟和分析后，就能確定最終產(chǎn)品的質(zhì)量和良品率。