今天想來簡(jiǎn)單聊一聊DPT技術(shù)-double pattern technology，也就是雙層掩模版技術(shù)，在目前先進(jìn)工藝下，這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用的很普遍了。

我們知道，在光刻的時(shí)候，需要制造出芯片各個(gè)層的掩模版mask。就像刻印章一樣，掩模版上留下金屬走線的路徑，把掩模版蓋在wafer上后，光照下來就只能照在wafer沒有被蓋住的空的地方，mask蓋住的地方?jīng)]有收到照射。用這種方法就相應(yīng)能刻蝕出各個(gè)層的金屬走線了。

這只是我一個(gè)大致的理解，具體的工藝流程肯定還要復(fù)雜的多，這里只是想快速回顧一下mask的作用。

那么，什么是DPT呢？顧名思義，它就是說同一層金屬會(huì)設(shè)置兩個(gè)掩模版，mask1和mask2，在光刻的時(shí)候，兩個(gè)掩模版輪番上陣，每一個(gè)掩模版只有大概一半的金屬走線信息。

為什么要這樣做呢？因?yàn)樵谙冗M(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下，光刻的分辨率也是有一定極限的，比如互相平行的兩段金屬線，他們之間的間距必須大于10納米才可以被刻出來，但是我們?cè)谄渌涛g步驟時(shí)可以支持到比如3納米，如果全部都按照10納米的間距來制造，就會(huì)有一定的面積被浪費(fèi)掉。

因此人們想了個(gè)辦法，我們可以同時(shí)制作兩個(gè)mask，兩個(gè)mask互相偏移5nm，而每個(gè)mask還是按10nm的規(guī)則來做。

這樣的話，我們就可以在第0nm、第10nm、第20nm的位置用mask1來刻金屬線，而在第5nm、第15nm、第25nm的位置用mask2來刻金屬線。

這樣子，最終的結(jié)果就是我們可以得到間距最小為5nm的金屬層，比只用一個(gè)mask足足省下了一半的面積，這就能省下更多成本。

但是，我們不會(huì)對(duì)每一層都使用DPT技術(shù)，一般只會(huì)針對(duì)M1或M2來用。首先出于經(jīng)濟(jì)的考量，多制作一層mask也是有成本的，這種技術(shù)一般都要用在刀刃上。越底層的金屬width、pitch越小，單就繞線資源來說是比頂層豐富的。

其次，對(duì)于高層金屬可能也不適合用DPT，應(yīng)為它本身線寬可能會(huì)很大，pitch卻并沒有成比例變大，還要考慮一些線會(huì)上NDR，在線很寬，pitch相對(duì)窄的情況下就沒有條件使用DPT。

對(duì)于我們后端來說，應(yīng)用DPT時(shí)，最重要的是要注意net和via的mask屬性。

首先要注意使用DPT的層確實(shí)上了mask，一般就看一段shape是不是mask1或者mask2，如果沒有mask，可能在寫出GDS的時(shí)候就不會(huì)寫這一段shape。

其次要注意最相鄰的兩段shape不能是同一種mask。不過一般來說，只要tool設(shè)置正確，這些mask的設(shè)置tool都會(huì)幫我們自動(dòng)完成。只是有的時(shí)候PV會(huì)出問題，回過頭可能要看看是不是DPT沒有上好。