肖特基二極管（Schottky diode）和普通二極管（ordinary diode）是兩種常見的二極管，它們在結構和工作原理上有著一些區(qū)別。本文將詳細探討這兩種二極管的區(qū)別。

一、結構差異
1.1 普通二極管的結構
普通二極管又稱普通硅二極管，它由p型半導體和n型半導體材料構成。p型半導體的摻雜濃度比n型半導體高，形成p-n結。在結中，p型半導體的“空穴”和n型半導體的“電子”相互擴散，形成一個電場，使得電子往p型半導體流動，而空穴則往n型半導體流動，實現(xiàn)了電流的單向導通。

1.2 肖特基二極管的結構
肖特基二極管也稱為肖特基勢壘二極管，它由n型半導體和金屬材料（通常是鋁或銀）構成。在金屬與n型半導體相接觸的邊界處，形成了肖特基勢壘。由于金屬對電子的導電性能很好，肖特基二極管具有更低的導通電阻和更快的開關速度。

二、普通二極管和肖特基二極管的工作原理差異
2.1 普通二極管的工作原理
普通二極管在正向偏置（正極接到p側，負極接到n側）時，電流可以順利通過，形成通電狀態(tài)。而在反向偏置時，由于勢壘電場的存在，電流無法通過，形成截止狀態(tài)。

2.2 肖特基二極管的工作原理
肖特基二極管在正向偏置時，由于勢壘較低，電子能夠更容易地通過金屬與n型半導體之間的界面，形成通電狀態(tài)。而在反向偏置時，受到勢壘的限制，電流很難通過，形成截止狀態(tài)。由于普通二極管在正向偏置時存在一定的開啟電壓，而肖特基二極管的開啟電壓較低，因此肖特基二極管具有比普通二極管更快的開關速度。

三、電特性差異
3.1 正向壓降差異
普通二極管在正向偏置時，會有一個較為固定的正向壓降。而肖特基二極管的正向壓降較低，一般約為0.3V，因此具有較低的功耗特性。

3.2 導通特性差異
普通二極管在導通時，阻抗相對較大。而肖特基二極管由于使用金屬作為接觸材料，具有更低的導通電阻，并能夠更快地響應電壓信號變化。

肖特基二極管和普通二極管在結構、工作原理、電特性和應用方面都存在差異。普通二極管適用于一般低頻電路，而肖特基二極管更適用于高頻和高速開關電路。兩種二極管的選擇應根據(jù)具體應用場景的要求來確定。