本次與大家分享的是世健和ADI聯(lián)合舉辦的《世健·ADI工業(yè)趴:放飛思路,解封你的超能力》主題活動的二等獎文章:《采用ADI公司ADF4107芯片研制C波段頻率合成器》。
作者:RF-劉海石
01
背景
本文主要是采用ADI公司的ADF4107頻率合成器芯片,設(shè)計一款C波段本振源,主要用于Ku波段衛(wèi)星下變頻。具體應(yīng)用詳情客戶沒有透露太多,這個我也明白,因?yàn)檫@個是某研究所的項目,只說了頻率范圍是4.8-5.2GHz。這款產(chǎn)品目前在應(yīng)用中,下面我們分享下怎么設(shè)計這個頻率合成器。
02
產(chǎn)品簡介
首先在這里簡單敘述下鎖相式頻率合成器的原理。
鎖相環(huán)是一個相位負(fù)反饋系統(tǒng),利用鎖相技術(shù)來產(chǎn)生所需要的頻率,是第二代頻率合成技術(shù)。早期的間接頻率合成器是利用模擬鎖相環(huán),它在輸出較高的頻率時,需要大量的混頻器和分頻器,以及帶通濾波器,因此它的缺點(diǎn)很明顯,而且很難彌補(bǔ)。數(shù)字鎖相環(huán)彌補(bǔ)了模擬鎖相環(huán)的這些缺點(diǎn),數(shù)字鎖相環(huán)由鑒相器,分頻器,環(huán)路濾波器,壓控振蕩器等幾部分組成。
下面是一個單環(huán)整數(shù)分頻鎖相環(huán)的框圖。如圖1所示:
圖1.單環(huán)整數(shù)分頻鎖相環(huán)框圖
由上圖很容易看出數(shù)字鎖相環(huán)主要由鑒相器,環(huán)路濾波器,壓控振蕩器和分頻器組成?,F(xiàn)代的鎖相環(huán)芯片內(nèi)部包括電荷泵電路。
基本原理:參考晶振產(chǎn)生穩(wěn)定的基準(zhǔn)頻率,然后被參考分頻器R分頻,分頻后的頻率就是鑒相頻率,作為鑒相器的一個輸入信號。鑒相器檢測鑒相頻率與N分頻器輸出頻率的相位差,輸出平均值與該相位差成比例的直流電流。鑒相器輸出的脈沖電流經(jīng)過濾波和積分產(chǎn)生調(diào)節(jié)電壓,該電壓驅(qū)動外接的壓控振蕩器,來增加或者減小輸出頻率,直到鑒相器的平均輸出為零。
環(huán)路濾波器就是低通濾波器,有兩種方式:
2、有源濾波器,通常由電阻、電容和運(yùn)算放大器組成。
具體詳細(xì)設(shè)計,請參考鎖相環(huán)書籍或者其它文獻(xiàn),這里不多敘述了。
接下來,設(shè)計如何實(shí)現(xiàn)一個C波段的頻率合成器,該頻率合成器技術(shù)指標(biāo)如下:
頻率范圍:4.8GHz---5.2GHz
頻率步進(jìn):1MHz
雜散抑制:≤-50dbc
諧波抑制:≤-50dbc
相位噪聲:≤-60dbc/Hz@ 1kHz
≤-75dbc/Hz@ 10kHz
≤-110dbc/Hz@ 100kHz
輸出功率:≥10dbm
工作溫度:-40~+50℃
03
設(shè)計方案
鑒相器選擇
鑒相器選擇,在所用的頻率范圍內(nèi),盡量低的歸一化噪聲基底,具有良好的雜散指標(biāo),市面上的種類也比較多,如Analog Devices、Hittite、Maxim、Ti等品牌。本產(chǎn)品輸出頻率在C波段,經(jīng)過對比,決定采用ADI公司的ADF4107芯片,該芯片具有高達(dá)7GHz的帶寬,在芯片內(nèi)部集成了一個低噪聲數(shù)字鑒相器,內(nèi)部一個精密的電荷泵,可編程預(yù)分配器,一個前置雙模分頻器,和可編程計數(shù)器。單電源供電,供電電壓2.7~3.3V,市面很多降壓芯片都可以滿足。采用3線串口控制,使用起來非常方便。如圖2所示。ADF4107芯片內(nèi)部示意圖:
圖2.ADF4107內(nèi)部示意圖
VCO選擇
VCO選擇,本產(chǎn)品選的的壓控振蕩器芯片為:Z~communications公司的V950ME08-LF,技術(shù)參數(shù)如下:
1、輸出頻率:4450----5350MHz
2、工作電壓:+5V
3、工作電流:30mA
4、輸出功率:0dbm
5、壓控靈敏度:120MHz/V
6、壓控范圍:0~9.5V
7、相位噪聲:-87dbc/Hz@10KHz
下面是廠商給出的壓控頻率曲線,如圖3所示:
圖3.壓控振蕩器的壓控曲線
環(huán)路濾波器
環(huán)路濾波器在鎖相環(huán)電路中作用至關(guān)重要,它與鎖相環(huán)各項指標(biāo)密切相關(guān)。調(diào)整環(huán)路濾波器的元件參數(shù),可以有效的改善鎖相環(huán)的相位噪聲和雜散指標(biāo)。由于ADF4107的電荷泵最大在5V左右,根據(jù)VCO壓頻曲線,輸出頻率在5.2GHz時,壓控電壓在7V以上,所以需要采用有源環(huán)路濾波器。
設(shè)計環(huán)路濾波器時可以借助ADI公司提供的仿真軟件ADISimPLL 來進(jìn)行設(shè)計,如圖4所示:
圖4.ADISimPLL軟件仿真電路圖
通過ADISimPLL軟件仿真得出的環(huán)路濾波器參數(shù)只是一個初始值,在實(shí)際電路中,按照這個初始值制作的鎖相環(huán)路很有可能出現(xiàn)不能鎖定,或者達(dá)不到系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)等問題,一次必須對環(huán)路參數(shù)進(jìn)行反復(fù)調(diào)整使之達(dá)到最佳。
下圖是仿真的相位噪聲,如圖5所示:
圖5.仿真相位噪聲曲線
圖5是仿真出來的相位噪聲,中心頻率4.9GHz,相位噪聲為-80dbc/Hz@1kHz。
由于技術(shù)要求頻率合成器輸出功率>10dbm,VCO輸出只有0dbm,在經(jīng)過功率分配,最終輸出只有-3dbm,所以在VCO輸出端口增加推動放大器,放大器采用ADI公司的ADL5545。如圖6所示:
圖6.ADL5545芯片介紹
如圖6可知,該放大器的帶寬覆蓋了30MHz~6GHz,輸入輸出端口內(nèi)匹配到50歐姆,這也省去了外部調(diào)節(jié)匹配的麻煩,為產(chǎn)品設(shè)計節(jié)省了寶貴的時間。P1db:+18dbm@900MHz,就在5GHz的頻段P1db也在10dbm以上。電路簡單,+5V單電源供電,很好的兼容了系統(tǒng)設(shè)計。
具體參數(shù)如圖7所示:
圖7.ADL5545芯片測試圖
如圖7所示,給出的頻率范圍是4GHz~6GHz,正好所設(shè)計的頻率合成器落在這個頻率范圍內(nèi),如圖知:在4.8GHz~5.2GHz,該放大器增益大概有17db,P1db在10dbm以上,OIP3大于30dbm,證明該放大器的線性度良好,所以采用此放大器進(jìn)行設(shè)計。
04
如圖8所示,為本項目設(shè)計的C波段頻率合成器電路圖。頻率合成器采用ADF4107芯片,外圍電路參考技術(shù)手冊。參考晶振采用KDS溫補(bǔ)晶振,如需更高精度,可以采用恒溫晶振。VCO采用Z~communications公司的V950ME08-LF,前面已經(jīng)介紹了,這里不再敘述了,環(huán)路濾波器采用有源濾波,用ADI公司的AD820運(yùn)算放大器設(shè)計,可以參考ADI SimPLL軟件進(jìn)行設(shè)計,最后功率放大采用ADI公司的ADL5545進(jìn)行放大,連起來就是一個完整的頻率合成器電路。單片機(jī)電路我沒有給出(我用的是STC單片機(jī)),可以用不同型號的單片機(jī)去控制,3線串口,很簡單。
圖8.頻率合成器電路圖
在這里主要說下,在VCO輸出與放大器之間加入了π衰減,主要調(diào)節(jié)射頻輸出的增益,要保證ADL5545的線性度。
05
背景
該PCB采用RO4350B高頻板材設(shè)計,介電常數(shù)3.66,板材厚度0.762mm,如圖9所示:
圖9.頻率合成器PCB
外殼采用6061鋁合金,CNC加工,屏蔽盒內(nèi)部隔檔,防止互相串?dāng)_。
屏蔽盒尺寸:長800mmX寬55mmX高23mm,如圖10所示:
圖10.頻率合成器實(shí)物
06
實(shí)際測試
采用R&S頻譜儀進(jìn)行相位噪聲測試如圖11所示:
圖11.相位噪聲測試圖
如圖11所示,中心頻率4.9GHz,測試相位噪聲:-111dbc/Hz@100k。
交付客戶,客戶自己測試的頻率合成器相位噪聲,如圖12所示:
圖12.客戶測試相位噪聲
中心頻率4.9GHz,測試相位噪聲:
-65.9dbc/Hz@1k
-77.7dbc/Hz@10k
-110dbc/Hz@100k
通過以上測試對比,基本滿足客戶需求,這個源的指標(biāo)還可以提升,但是需要反復(fù)調(diào)整環(huán)路濾波器,需要大量的時間。
07
總結(jié)調(diào)試中遇到的問題
在本次設(shè)計中,最大的工作量就是調(diào)試環(huán)路濾波器,因?yàn)榄h(huán)路濾波器決定了頻率合成器的好壞,也可以說環(huán)路濾波器是頻率合成器的核心。所以需要反復(fù)調(diào)整,達(dá)到最佳。
下面按照實(shí)際電路來分析,如圖13所示:
圖13.環(huán)路濾波器電路圖
1、環(huán)路帶寬的調(diào)整
圖13電路中,C1和C3對環(huán)路帶寬的影響最大,電容增大,帶寬變窄,電容減小,帶寬變寬。
2、帶內(nèi)插損的調(diào)整
圖13電路中,R1對帶內(nèi)插損影響最大,電阻值增大,插損變大,電阻值減小,插損減小。
3、帶內(nèi)波動的調(diào)整
圖13電路中,R3和C2對帶內(nèi)波動的影響較大,增大電阻,帶內(nèi)波動減小,但是電阻和電容同時也會影響環(huán)路帶寬和插損,所以要結(jié)合起來調(diào)整。
還有個重要的問題。
在設(shè)計的時候在電路中加了MAX232,作為上位機(jī)和頻率合成器的通信,調(diào)試的時候發(fā)現(xiàn),MAX232振蕩產(chǎn)生了開關(guān)頻率,然后調(diào)制到載波兩端,一開始以為是鑒相器泄漏的,繼續(xù)調(diào)整環(huán)路,經(jīng)過反復(fù)調(diào)整都沒有改善,后來才發(fā)現(xiàn)是MAX232振蕩的原因,所以PCB板上把MAX232去掉了,最終解決了這個問題。
建議:頻率合成器內(nèi)部最好不要用DC-DC電源直接給頻率合成器或者VCO供電,認(rèn)可犧牲效率也要用線性電源,除非能把開關(guān)頻率徹底抑制,否則就會調(diào)制到載波兩端,很難弄掉。
以上是如何設(shè)計一個頻率合成器的所有過程,至于一些細(xì)節(jié)理論問題還需參考書籍和文獻(xiàn),最主要的就是環(huán)路濾波器的調(diào)試,方法我已經(jīng)分享了。調(diào)試就要看基本功了。
免責(zé)聲明:本文僅代表作者個人觀點(diǎn),與主辦方ADI、Excelpoint世健以及EEworld無關(guān)。
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
455文章
50714瀏覽量
423131 -
ADI
+關(guān)注
關(guān)注
146文章
45819瀏覽量
249743 -
合成器
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
273瀏覽量
25356
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論