EDS是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)重要過(guò)程，戰(zhàn)略性地位于制造步驟和封裝階段之間。

在半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，電子裸片分選（EDS，Electrical Die Sorting）工藝測(cè)試晶圓上芯片的電氣特性。這一階段對(duì)于確保高產(chǎn)量下的可靠設(shè)備至關(guān)重要。

然而，EDS 是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，在生產(chǎn)過(guò)程中可能會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的生產(chǎn)速度減慢。

量子技術(shù)，尤其是量子退火方法，在解決組合優(yōu)化問(wèn)題方面已在各行各業(yè)獲得廣泛應(yīng)用。在

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，可能的工藝組合數(shù)量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，量子技術(shù)可以找到以前用經(jīng)典計(jì)算方法無(wú)法實(shí)現(xiàn)的最佳解決方案。方案結(jié)合了量子計(jì)算技術(shù)和豐富知識(shí)和數(shù)據(jù)。

EDS 過(guò)程

測(cè)試表明，利用率和交付延遲率等關(guān)鍵性能指標(biāo)得到了顯著改善，同時(shí)計(jì)算時(shí)間也縮短了。

什么是EDS (Electrical Die Sorting)？

EDS是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)重要過(guò)程，戰(zhàn)略性地位于制造步驟和封裝階段之間。它的主要目的是通過(guò)確保每個(gè)芯片在進(jìn)入后續(xù)階段之前符合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)來(lái)提高半導(dǎo)體良率。EDS 涉及幾個(gè)關(guān)鍵步驟。

1 電氣測(cè)試和晶圓老化

電氣測(cè)試 (ET) 涉及測(cè)量集成電路元件的直流電壓和電流特性，以評(píng)估標(biāo)稱(chēng)運(yùn)行情況。ET 之后，晶圓老化過(guò)程會(huì)加熱晶圓并使其承受交流和直流電流，以識(shí)別缺陷、弱點(diǎn)和潛在問(wèn)題，從而顯著提高產(chǎn)品可靠性。

2 熱/冷測(cè)試

此階段在不同于正常溫度的溫度下測(cè)試芯片，以識(shí)別有缺陷的芯片?？尚迯?fù)的芯片會(huì)被標(biāo)記以供日后修正，確保它們?cè)诓煌臏囟确秶鷥?nèi)完美運(yùn)行。

3 維修/最終測(cè)試

在熱/冷測(cè)試中被認(rèn)為可修復(fù)的芯片進(jìn)行修復(fù)。最終測(cè)試證實(shí)了這些修復(fù)的有效性。

4 標(biāo)記

EDS 流程的最后一步涉及標(biāo)記有缺陷的芯片，包括未通過(guò)熱/冷測(cè)試、修復(fù)不當(dāng)或晶圓上不完整的芯片。有缺陷的芯片被排除在裝配之外，從而節(jié)省了材料、設(shè)備、時(shí)間和勞動(dòng)力。

5 全規(guī)模生產(chǎn)

EDS 對(duì)于在晶圓級(jí)分揀有缺陷的半導(dǎo)體芯片、解決制造或設(shè)計(jì)步驟中的問(wèn)題以及提高封裝和測(cè)試階段的效率至關(guān)重要。通過(guò)及早清除有缺陷的芯片，EDS 大大提高了半導(dǎo)體的生產(chǎn)率，而良品率則是一項(xiàng)關(guān)鍵的性能指標(biāo)。

審核編輯：劉清