- 支持一體化實(shí)驗(yàn)室建設(shè):5nm集成電路“虛實(shí)聯(lián)動(dòng)”線下實(shí)驗(yàn)室建設(shè)。
- 支持科研課題與文章發(fā)表
- 支持教育部A類學(xué)科競(jìng)賽
產(chǎn)業(yè)場(chǎng)景:自動(dòng)化建造系統(tǒng)、EUA光刻機(jī)、商用仿真器14納米級(jí)別……
一、人工智能與集成電路應(yīng)用實(shí)驗(yàn)(16學(xué)時(shí))
實(shí)驗(yàn)1 求解回歸問題:多項(xiàng)式回歸與高斯過程回歸方法
實(shí)驗(yàn)2 求解數(shù)據(jù)分類問題:KNN、SVM與隨機(jī)森林方法
實(shí)驗(yàn)3 求解圖像分類問題:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與深度學(xué)習(xí)方法
實(shí)驗(yàn)4 求解優(yōu)化問題:差分進(jìn)化算法的使用
實(shí)驗(yàn)5 應(yīng)用機(jī)器學(xué)習(xí)方法解決微電子器件相關(guān)問題
實(shí)驗(yàn)6 應(yīng)用機(jī)器學(xué)習(xí)方法解決半導(dǎo)體工藝相關(guān)問題
實(shí)驗(yàn)7 應(yīng)用機(jī)器學(xué)習(xí)方法解決集成電路相關(guān)問題
實(shí)驗(yàn)8 人工智能與集成電路應(yīng)用綜合實(shí)驗(yàn)
課程1:人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)基礎(chǔ)
課程2:深度學(xué)習(xí)基礎(chǔ)
課程3:人工智能應(yīng)用于微電子器件
課程4:人工智能應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝
課程5:人工智能應(yīng)用于集成電路
課程6:人工智能綜合應(yīng)用
二、先進(jìn)節(jié)點(diǎn)工藝器件聯(lián)合分析實(shí)驗(yàn)(8學(xué)時(shí))
實(shí)驗(yàn)1 電阻和二極管工藝器件聯(lián)合分析實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)2 JFET和MESFET工藝器件聯(lián)合分析實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)3 雙極型晶體管工藝器件聯(lián)合分析實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)4 MOSFET工藝器件聯(lián)合分析實(shí)驗(yàn)
三、集成電路計(jì)算機(jī)輔助技術(shù)實(shí)驗(yàn)(16學(xué)時(shí))
實(shí)驗(yàn)1 集成電路計(jì)算機(jī)輔助技術(shù)入門
實(shí)驗(yàn)2 集成電路無源元件器件模型參數(shù)提取實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)3 JFET與MESFET器件模型參數(shù)提取實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)4 二極管器件模型參數(shù)提取實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)5 雙極型晶體管器件模型參數(shù)提取實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)6 MOSFET器件模型參數(shù)提取實(shí)驗(yàn)
課程1:SPICE仿真與建模
課程2:器件SPICE模型簡(jiǎn)介
課程3:BJT的SPICE模型
課程4:MOSFET的SPICE模型
課程5:BSIM4模型
四、集成電路測(cè)試與分析實(shí)驗(yàn)(16學(xué)時(shí))
實(shí)驗(yàn)1 集成電路測(cè)試基礎(chǔ)與測(cè)試設(shè)備使用實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)2 常用電路性能指標(biāo)的測(cè)試方法實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)3 理想運(yùn)算放大器及反饋電路測(cè)試與分析實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)4 基準(zhǔn)電流源測(cè)試與分析實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)5 帶隙電壓基準(zhǔn)測(cè)試與分析實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)6 多級(jí)CMOS運(yùn)算放大器測(cè)試與分析實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)7 超低溫漂帶隙電壓基準(zhǔn)測(cè)試與分析實(shí)驗(yàn)
以上為四個(gè)實(shí)驗(yàn)?zāi)K內(nèi)容,主要用于研究生,能滿足科研需求,亦可以用于本科高階段學(xué)習(xí)使用。
如需其他配置方案,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。
提供一站式微電子與集成電路專業(yè)建設(shè)綜合解決方案。
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