近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)域的杰出表現(xiàn)，榮獲兩項(xiàng)權(quán)威大獎(jiǎng)：“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”和“中國(guó)GaN功率器件十強(qiáng)”。這一榮譽(yù)充分展示了安世半導(dǎo)體作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強(qiáng)大實(shí)力，以及其在三代半領(lǐng)域的深厚積累。

安世半導(dǎo)體一直致力于投資和研發(fā)自有氮化鎵工藝技術(shù)。目前，其遍布全球的自有化生產(chǎn)基地已經(jīng)能夠提供真正車規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證的產(chǎn)品，展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力。新一代的安世半導(dǎo)體氮化鎵（HEMTs）在導(dǎo)通電阻、開關(guān)穩(wěn)定性以及動(dòng)態(tài)性能等方面均表現(xiàn)出色，引領(lǐng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

2023年5月，安世半導(dǎo)體在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列中推出七款新型E-mode器件，成為業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型和增強(qiáng)型氮化鎵器件的供應(yīng)商。這一創(chuàng)新再次證明了安世半導(dǎo)體在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

未來(lái)，安世半導(dǎo)體將繼續(xù)深耕氮化鎵和碳化硅領(lǐng)域，持續(xù)推出創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)，以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。我們期待安世半導(dǎo)體在基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域繼續(xù)保持其全球領(lǐng)導(dǎo)地位，并引領(lǐng)行業(yè)向更高標(biāo)準(zhǔn)邁進(jìn)。