阻抗和損耗管控
阻抗管控
第一個:阻抗值的確認。很多人疑惑為什么要進行阻抗值確認?這是因為有些同樣的信號,阻抗的要求卻不一樣,比如HDMI,有些芯片設(shè)計規(guī)范的要求是100ohm,而有些芯片規(guī)范的要求卻是85ohm,這個時候就需要信號完整性工程師根據(jù)應(yīng)用和鏈路整體情況,確認一個阻抗值。疊層設(shè)計中,不可能一份設(shè)計,同一信號設(shè)置兩個阻抗。也可以通過增加匹配電阻等方式完成阻抗的匹配,防止信號的反射,保證信號的質(zhì)量。
第二個:阻抗類型的確認。將產(chǎn)品設(shè)計所用到的阻抗羅列出來,確認阻抗類型一定要完整,不能遺漏。實際工作中,會經(jīng)常遇到過此類的問題,特別是那種臨時增加需求或者更換芯片類型的,需要特別注意。
如果疊層設(shè)計還在進行中,出現(xiàn)阻抗類型遺漏,只要添加進去就可以了。如果遺漏的情況發(fā)生在疊層設(shè)計結(jié)束,設(shè)計已經(jīng)進行多半,這時候發(fā)現(xiàn)阻抗有問題,這種情況會比較麻煩,疊層設(shè)計的流程重新走一遍,進行中的設(shè)計還得需要變更,特別是走線密集的內(nèi)存部分,如果線寬線距變動比較大,修改會很麻煩。所以,阻抗類型遺漏的情況要盡量避免。
審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
原文標題:阻抗和損耗管控&影響阻抗的參數(shù)&CAF問題
文章出處:【微信號:信號完整性學習之路,微信公眾號:信號完整性學習之路】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
相關(guān)推薦
電源損耗一般集中在以下一些方面:1.MOS管的開通損耗及導(dǎo)通損耗。2.變壓器的銅損和鐵損;3.副邊整流管的損耗;4.橋式整流的
發(fā)表于 09-18 09:13
MOS管的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFCMOS管的開關(guān)損耗更是
發(fā)表于 11-09 11:43
為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一
發(fā)表于 11-26 17:28
1. MOS損耗MOS管是開關(guān)電源中常見器件之一,在評估開關(guān)電源效率的時候,對于MOS管的選型十分重要,如果選擇的MOS不合適,電路該部分的發(fā)熱會非常嚴重,影響效率。因此,在考慮到設(shè)計開關(guān)電源的效率
發(fā)表于 07-29 06:01
如何計算MOS管的損耗?
發(fā)表于 11-01 08:02
通過輸出阻抗的有源組合降低匹配損耗
摘要:在高速傳輸線應(yīng)用
發(fā)表于 02-23 11:29
?1079次閱讀
變壓器空載損耗、負載損耗、阻抗電壓的計算
空載損耗:當變壓器二次繞組開路,一次繞組施加額定頻率正弦波形的額定電壓時,所消耗的有功功率稱空載損耗
發(fā)表于 04-30 09:18
?2707次閱讀
變壓器空載損耗、負載損耗、阻抗電壓的計算
空載損耗:當變壓器二次繞組開路,一次繞組施加額定頻率正弦波形的額定電壓時
發(fā)表于 12-11 10:22
?1244次閱讀
回波損耗,又稱為反射損耗。是電纜鏈路由于阻抗不匹配所產(chǎn)生的反射,是一對線自身的反射。不匹配主要發(fā)生在連接器的地方,但也可能發(fā)生于電纜中特性阻抗發(fā)生變化的地方,所以施工的質(zhì)量是提高回波
發(fā)表于 01-06 08:58
?1.6w次閱讀
阻抗損耗的設(shè)計制造挑戰(zhàn)說明。
發(fā)表于 05-19 15:12
?5次下載
本文檔介紹一種測量電纜的差分特性阻抗(120歐姆)及插入損耗的方法
發(fā)表于 10-28 18:06
?3506次閱讀
電力變壓器短路阻抗及負載損耗的測量方法? 電力變壓器是電力輸配系統(tǒng)中不可或缺的設(shè)備,用于變換電壓以實現(xiàn)電力的輸送和分配。為了確保變壓器的工作穩(wěn)定和正常,必須對其短路阻抗和負載損耗進行測
發(fā)表于 12-29 11:11
?2530次閱讀
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在電子設(shè)備中扮演著重要角色,然而其在實際應(yīng)用中的損耗問題也是不容忽視的。為了減少MOS
發(fā)表于 05-30 16:41
?1333次閱讀
鏈路的阻抗和損耗通常得一可安天下!傳輸線阻抗控制±10%是常規(guī),光阻抗控制到±5%這一項就已經(jīng)讓你們感覺不太可能了,那在±5%阻抗控制的基礎(chǔ)
發(fā)表于 07-23 17:28
?203次閱讀
開關(guān)電源中的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在工作過程中會產(chǎn)生多種損耗,這些損耗
發(fā)表于 08-07 14:58
?1236次閱讀
評論