場效應(yīng)晶體管用于電路設(shè)計，因為它們能夠提供非常高的輸入阻抗水平以及顯著的電壓增益水平。

與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計方式與雙極晶體管電路的設(shè)計方式大不相同。

但是，仍然可以設(shè)計具有電流和電壓增益的電路，并采用類似的電路格式。

FET電路基礎(chǔ)知識

在考慮使用FET電路時，有必要考慮FET技術(shù)，場效應(yīng)晶體管的類型將是最適用的。

FET 有三個電極：

源：源極是 FET 上的電極，多數(shù)載流子通過該電極進(jìn)入溝道，即充當(dāng)器件的載流子源。通過源進(jìn)入通道的電流由 IS 指定。

排水：漏極是FET電極，多數(shù)載流子通過該電極離開溝道，即它們從溝道中排出。通過漏極進(jìn)入溝道的常規(guī)電流由字母 ID 表示。此外，漏源電壓通常由字母 VDS 表示

門：柵極是控制通道電導(dǎo)率的端子，因此柵極上的電壓水平控制著在設(shè)備輸出中流動的電流。

結(jié)型 FET 電路符號

FET電路設(shè)計參數(shù)

在開始設(shè)計FET電路時，有必要確定電路的基本要求。這些將決定有關(guān)要使用的電路拓?fù)漕愋鸵约耙褂玫?FET 類型的許多決策。

晶體管電路設(shè)計的要求中可能需要許多參數(shù)：

電壓增益：電壓增益通常是一個關(guān)鍵要求。它是輸出信號電壓除以輸入信號電壓。

電流增益：這是FET電路的電流增益。可能需要將高電流驅(qū)動到負(fù)載中。

輸入阻抗：這是上一級在向相關(guān) FET 電路提供信號時將看到的阻抗。FET 本身對柵極具有較高的輸入阻抗，因此 FET 通常用于至關(guān)重要的場合。

輸出阻抗：輸出阻抗也很重要。如果FET電路驅(qū)動低阻抗電路，則其輸出必須具有低阻抗，否則晶體管輸出級將出現(xiàn)較大的壓降。

頻率響應(yīng)：頻率響應(yīng)是影響FET電路設(shè)計的另一個重要因素。低頻或音頻晶體管電路設(shè)計可能與用于射頻應(yīng)用的設(shè)計不同。此外，電路設(shè)計中FET和電容值的選擇將受到所需頻率響應(yīng)的極大影響。

電源電壓和電流：在許多電路中，電源電壓由可用電壓決定。此外，電流可能會受到限制，特別是如果完成的 FET 電路設(shè)計是電池供電的。

用于電路設(shè)計的 FET 類型

由于可以使用幾種不同類型的場效應(yīng)晶體管，因此有必要定義至少一些可在電路設(shè)計過程中使用的 FET。

下表定義了一些可能遇到的不同類型和特征。

審核編輯：黃飛