RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢

國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化 ? 2024-01-11 09:25 ? 次閱讀

碳化硅(SiC)功率器件:未來電力電子的新篇章

隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正在引發(fā)一場革命。與傳統(tǒng)的硅(Si)器件相比,碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的工作溫度以及更快的開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn),使得其在電動(dòng)汽車、可再生能源、軌道交通等領(lǐng)域的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中具有巨大的應(yīng)用潛力。

一、碳化硅功率器件的優(yōu)勢

碳化硅功率器件的優(yōu)異性能主要得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性。首先,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍,使得碳化硅器件能夠承受更高的溫度和更強(qiáng)的電場。其次,碳化硅的電子飽和速度是硅的2倍,使得碳化硅器件具有更高的開關(guān)速度。此外,碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)是硅的3倍,使得碳化硅器件能夠更好地散熱,延長器件壽命。

二、碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

電動(dòng)汽車:電動(dòng)汽車中的電機(jī)控制器、車載充電器等都需要使用大量的功率器件。碳化硅功率器件的高效率、高耐壓、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),使得電動(dòng)汽車的能源利用率更高,充電時(shí)間更短,行駛里程更長。

可再生能源:風(fēng)力發(fā)電和太陽能發(fā)電等可再生能源系統(tǒng)中,需要大量的電力電子設(shè)備進(jìn)行能源轉(zhuǎn)換和調(diào)控。碳化硅功率器件的高效率、高耐壓、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),使得可再生能源系統(tǒng)的能源轉(zhuǎn)換效率更高,設(shè)備體積更小,維護(hù)成本更低。

軌道交通:碳化硅功率器件的高開關(guān)速度、高耐壓、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),使得軌道交通的牽引系統(tǒng)更加高效、可靠。同時(shí),碳化硅功率器件的高可靠性也降低了軌道交通的安全風(fēng)險(xiǎn)。

4e4811ce-afa8-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

三、碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用需求的不斷增長,碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

更高頻率:通過提高工作頻率,可以減小濾波器體積,提高系統(tǒng)集成度。碳化硅功率器件的高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),使得其在高頻率工作條件下具有更好的性能表現(xiàn)。

更低損耗:隨著電動(dòng)汽車、可再生能源等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對功率器件的效率要求越來越高。碳化硅功率器件具有低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗等優(yōu)點(diǎn),使得其在高效能轉(zhuǎn)換方面具有巨大的潛力。

更高集成度:通過將多個(gè)碳化硅功率器件集成在一個(gè)模塊中,可以減小系統(tǒng)體積、提高可靠性并降低成本。同時(shí),集成模塊還可以簡化電路設(shè)計(jì)、縮短產(chǎn)品開發(fā)周期。

智能的控制策略:通過先進(jìn)的控制策略和算法,可以實(shí)現(xiàn)碳化硅功率器件的智能控制和優(yōu)化。這不僅可以提高系統(tǒng)性能和可靠性,還可以降低能耗和延長設(shè)備壽命。

更完善的可靠性評估:隨著碳化硅功率器件在各領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對其可靠性的評估和保障變得尤為重要。未來將進(jìn)一步完善碳化硅功率器件的可靠性評估體系和方法,以確保其在各種惡劣條件下能夠穩(wěn)定可靠地工作。

總之,隨著碳化硅技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,碳化硅功率器件將會在未來的電力電子領(lǐng)域發(fā)揮越來越重要的作用。它們將為電動(dòng)汽車、可再生能源、軌道交通等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)有力的技術(shù)支持和創(chuàng)新動(dòng)力。

無錫國晶微半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是寬禁帶第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應(yīng)管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機(jī)集成電路等產(chǎn)品芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售并提供相關(guān)產(chǎn)品整體方案設(shè)計(jì)配套服務(wù),總部位于江蘇省無錫市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi),并在杭州、深圳和香港設(shè)有研發(fā)中心和銷售服務(wù)支持中心及辦事處。

公司具有國內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)實(shí)力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品,同時(shí)提供一站式的應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù),使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品完全可以對標(biāo)國際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到國際先進(jìn)水平,應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車及充電樁智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領(lǐng)域。由于其具有高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關(guān)損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動(dòng)汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運(yùn)行。

特別在高低壓光耦半導(dǎo)體技術(shù)方面更是擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。在國內(nèi)創(chuàng)先設(shè)計(jì)開發(fā)了28nm光敏光柵開關(guān)PVG芯片技術(shù),并成功量產(chǎn)應(yīng)用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強(qiáng)型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機(jī)等集成電路產(chǎn)品,均獲得市場及各重點(diǎn)科研單位、檢測機(jī)構(gòu)的新產(chǎn)品認(rèn)定。

公司核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)中大部分工程師擁有碩士及以上學(xué)位,并有多名博士主持項(xiàng)目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產(chǎn)權(quán)管理的規(guī)范體系,在電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術(shù),擁有多項(xiàng)國際、國內(nèi)自主發(fā)明專利。

“國之重器,從晶出發(fā),自強(qiáng)自主,成就百年”是國晶微半導(dǎo)體的企業(yè)目標(biāo),我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產(chǎn)品服務(wù),我們真誠期待與您攜手共贏未來。

以上就是本文的全部內(nèi)容,如果覺得本文對您有所幫助,請持續(xù)關(guān)注本司網(wǎng)站https://www.gjsemi.com以及“國晶微半導(dǎo)體”微信公眾號,我們將給您帶來更多新聞資訊和知識科普!

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27286

    瀏覽量

    218062
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1758

    瀏覽量

    90416
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2748

    瀏覽量

    49017

原文標(biāo)題:碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢!

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

    超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的
    發(fā)表于 01-12 11:48

    歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

    發(fā)展趨勢,對 SiC 器件封裝技術(shù)進(jìn)行歸納和展望。近20多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受
    發(fā)表于 02-22 16:06

    碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢

    ? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展,碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-05 09:04 ?2653次閱讀

    SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展趨勢

    碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)發(fā)展趨勢
    發(fā)表于 09-12 17:25 ?2646次閱讀

    碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

    隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹
    的頭像 發(fā)表于 12-16 10:29 ?1280次閱讀

    碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展前景

    隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅
    的頭像 發(fā)表于 12-21 09:43 ?866次閱讀

    碳化硅功率器件優(yōu)勢應(yīng)及發(fā)展趨勢

    應(yīng)用以及發(fā)展趨勢。 一、碳化硅功率器件優(yōu)勢 碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-06 14:15 ?740次閱讀

    碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2837次閱讀

    簡單認(rèn)識碳化硅功率器件

    隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?1146次閱讀

    碳化硅功率器件發(fā)展趨勢

    隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨(dú)特的物理
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:41 ?322次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?496次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的原理簡述

    隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子領(lǐng)域也迎來了前所未有的變革。在這場變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨(dú)特的性能
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:47 ?489次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的原理簡述

    碳化硅功率器件優(yōu)勢應(yīng)用領(lǐng)域

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?655次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>優(yōu)勢</b>和<b class='flag-5'>應(yīng)用領(lǐng)域</b>

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?534次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件有哪些應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的重要代表,以其優(yōu)越的性能和廣闊的應(yīng)用前景,成為能源革命中的重要推動(dòng)力。本文將從市場資訊的角度,深入探討碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 10-24 15:46 ?452次閱讀
    RM新时代网站-首页