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微弱電流測試優(yōu)化方案

泰克科技 ? 來源:泰克科技 ? 2024-01-18 11:43 ? 次閱讀

概述

許多關(guān)鍵應(yīng)用要求能夠測量到非常小的電流,如 pA量級或更小的電流。這些應(yīng)用包括測定FET的柵極漏電流,測試靈敏的納米電子器件,以及測量絕緣器件和電容的漏電流。

4200A-SCS參數(shù)分析儀配置4200-PA遠程前置放大器時,具有最小10aA分辨率的特殊低電流測量能力。小電流的成功測量不僅取決于使用像4200A-SCS這樣非常靈敏的電流表,還取決于在系統(tǒng)的Clarius軟件中選擇適當(dāng)?shù)脑O(shè)置,使用低噪聲夾具和測試電纜,允許足夠的積分時間,并使用相關(guān)技術(shù)來防止影響精度的不必要電流。

本文給出了Keithley的測試方法建議,用于優(yōu)化使用4200A-SCS進行低電流測量。

測量系統(tǒng)的偏置電流

建立超低電流測量系統(tǒng)的第一步是確定整個測量系統(tǒng)的偏置和漏電流,包括4200A-SCS本身、連接電纜、開關(guān)矩陣、測試夾具和探頭。這確定了整個系統(tǒng)的噪聲下限,并設(shè)置了一個起點,以便在可能的情況下對系統(tǒng)進行改進。首先測量源測量單元(SMU)的偏移量,然后繼續(xù)添加測量電路中的組件,直到除被測(DUT)外所有組件都連接上。測量直接使用Clarius軟件控制4200-SMU與4200-PA遠程前置放大器來完成。

內(nèi)部偏置

理想的電流表在輸入端子為開路的情況下,回讀電流大小應(yīng)為零。然而,現(xiàn)實情況中電流表在輸入端開路時確實有一些小電流流過。這種電流被稱為輸入偏置電流,是由有源器件的偏置電流和通過儀器內(nèi)部絕緣體的漏電流產(chǎn)生的。SMU內(nèi)產(chǎn)生的偏置電流可以參考4200-SMU的技術(shù)規(guī)格。如圖1所示,輸入偏置電流加到被測電流上,因此儀表測量值為兩個電流之和:

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圖1. SMU的輸入偏置電流

測量帶有4200-PA前置放大器的每個4200-SMU的偏置時,除了金屬帽外,F(xiàn)orce HI和Sense HI端子沒有任何連接。這些金屬帽包含在系統(tǒng)備件中。在進行任何測量之前,應(yīng)將前置放大器連接到SMU上,并前置放大器的Force HI和Sense HI端子接上金屬帽,對SMU預(yù)熱至少一小時。偏置電流可以使用“Low Current Project”項目來測量,該項目可以在項目庫的選擇視圖中找到,或直接搜索“Low Current”獲取。圖2顯示了Clarius軟件應(yīng)用程序中的這個項目。

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圖2. Low Current Project在Clarius應(yīng)用中

打 開 這 個 項 目, 選 擇SMU1offset測 試 項, 測 量SMU1的偏置電流。選擇Analyze,然后運行測試。結(jié)果應(yīng)該類似于圖3所示的圖形??赡苄枰褂米詣涌s放功能來適當(dāng)?shù)乜s放曲線。右鍵單擊圖形可以找到自動縮放功能。當(dāng)4200-PA前置放大器連接到 SMU時,偏置電流應(yīng)該在fA量級內(nèi)。偏置電流可以是正的,也可以是負(fù)的??捎肧MU標(biāo)的的電流表規(guī)格來驗證這些結(jié)果。

應(yīng)該重復(fù)此操作對系統(tǒng)中的每個SMU進行單獨的測量。Low Current Project會對四個帶前置放大器的SMU進行偏置電流測量的測試。

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圖3. SMU1的偏置電流測量

輸入偏移電流規(guī)格可以通過在Clarius中執(zhí)行自動校準(zhǔn)程序來進行優(yōu)化。執(zhí)行SMU自動校準(zhǔn),請在“Tools”菜單中選擇“SMU auto calibration”。在執(zhí)行自動校準(zhǔn)之前,至少需要開機預(yù)熱60分鐘。除了金屬帽外,SMU的force HI和sense HI端子上不應(yīng)連接任何東西。自動校準(zhǔn)程序調(diào)整系統(tǒng)中所有SMU的所有源和測量功能中的電流和電壓偏置。這里不要與全系統(tǒng)校準(zhǔn)相混淆,應(yīng)每年在授權(quán)的機構(gòu)完成一次對4200A-SCS 的全系統(tǒng)校準(zhǔn)。

一旦執(zhí)行了SMU自動校準(zhǔn),就可以對偏移電流進行重復(fù)測量。

外部偏置

一旦電流表的偏置已經(jīng)確定,在添加測試電路的每一個環(huán)節(jié)后,通過重復(fù)電流(加載0V)對時間的圖來驗證系統(tǒng)其余部分的偏置。每次重復(fù)測試時,之前的運行都保存在歷史運行面板中。最后,對處于“UP”位置的探頭末端或?qū)ξ催B接設(shè)備的測試夾具進行測量。這一過程將有助于確定故障點,如電纜短路或測量電路的不穩(wěn)定。但是,要注意連接和斷開電纜時會在電路中產(chǎn)生電流。對于進行超低電流測量,在改變測試電路中的連接后,可能需要等待幾分鐘到幾小時使寄生電流衰減。圖4顯示了1) 僅接入force HI端子的SMU 的偏移量;2) 前置放大器上僅帶三軸電纜;3) 通過Keithley 7174A低電流開關(guān)矩陣到探針臺上處于“UP”位置的探頭。

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圖4. 整個測試系統(tǒng)的偏置電流測量

在生成電流 - 時間圖時,通過施加測試電壓來重復(fù)此測試,以確定測量電路中的任何泄漏電路。相較施加零伏偏置,使用測試電壓加載到DUT上進行實際測量?,F(xiàn)在測試夾具和電纜中的任何泄漏電流將被檢測到并體現(xiàn)在圖表中。如果泄漏電流看起來過高,可以對測量電路進行調(diào)整,以減少泄漏電流。參考標(biāo)題為“泄漏電流和 Guard”的章節(jié),其中描述了減少泄漏電流的方法。

測量誤差的來源和減少測量誤差的方法

一旦確定了電流偏移、泄漏電流和任何不穩(wěn)定性,采取措施減少測量誤差將有助于提高測量精度。這些誤差來源包括穩(wěn)定時間不足、靜電影響、泄漏電流、摩擦起電效應(yīng)、壓電效應(yīng)、污染、濕度、接地回路、光線和源內(nèi)阻。圖5總結(jié)了本節(jié)討論的一些產(chǎn)生電流的量級。

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圖5. 產(chǎn)生電流的典型幅度

穩(wěn)定時間和時間菜單設(shè)置

在進行小電流和高電阻測量時,測量電路的穩(wěn)定時間特別重要。穩(wěn)定時間是開啟測量時在施加或改變電流或電壓后達到穩(wěn)定所需的時間。影響測量電路穩(wěn)定時間的因素包括并聯(lián)電容 (CSHUNT) 和源電阻 (RS)。并聯(lián)電容是由連接的電纜、測試夾具、開關(guān)和探頭造成的。DUT的內(nèi)阻越高,穩(wěn)定時間越長。并聯(lián)電容和內(nèi)阻如圖6中的測量電路所示。

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圖6. SMU測量電路包括CSHUNT和RS

穩(wěn)定時間為RC時間常數(shù)τ的結(jié)果,式中:

τ=RSCSHUNT

計算穩(wěn)定時間的示例如下,設(shè)CSHUNT=10pF,RS=1TΩ,則:

τ=10pF*1TΩ=10s

因此,需要5τ或50秒的穩(wěn)定時間,將讀數(shù)波動穩(wěn)定到最終值的1%以內(nèi)!圖7顯示了進入RC電路的階躍電壓的指數(shù)響應(yīng)。經(jīng)過一個時間常數(shù)(τ=RC)后,電壓上升到最終值的63%以上。

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圖7. RC電路對階躍電壓的指數(shù)響應(yīng)

要成功地進行低電流測量,為每次測量添加足夠的時間是非常重要的,特別是掃描電壓時??梢栽赟weepMode的sweep delay字段或sampling Mode的intervaltime字段的test setting菜單中進行設(shè)置。為了驗證要增加多少間隔時間,可以通過繪制電流與時間到階躍電壓的關(guān)系來測量DUT的穩(wěn)定時間。步進電壓應(yīng)該是DUT實際測量中使用的偏置電壓。在Low Current Project測試項中可以用來進行穩(wěn)定時間的測量。

測試設(shè)置菜單中的采樣點數(shù)可能需要增加,以確保穩(wěn)定讀數(shù)將顯示在圖形上。在進行低電流測量時,使用Quite Speed Mode或添加額外的濾波。需要注意的是,有一個去除噪聲和測試速度的權(quán)衡。濾波和延遲越多,噪聲就會越少,但測量速度就會越慢。

靜電干擾和屏蔽

當(dāng)帶電物體接近被測電路時,就會發(fā)生靜電耦合或干擾。在低阻抗水平下,干擾的影響并不明顯,因為電荷會迅速消散。然而,高電阻材料不允許電荷快速衰減,這可能導(dǎo)致測試結(jié)果的不穩(wěn)定、有較大的噪聲。通常,當(dāng)電流測量≤1nA或電阻測量≥1GΩ時,靜電干擾是測量中必須考慮的一個問題。

為了減少電場的影響,可以將被測量的電路封閉在靜電屏蔽殼體中。圖8說明了100GΩ電阻器的非屏蔽和屏蔽測量之間的巨大差異。未屏蔽的測量比屏蔽的測量噪聲大得多。

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圖8. 100GΩ電阻器上的屏蔽與非屏蔽測量

屏蔽可以只是一個簡單的金屬盒或網(wǎng)格罩,包裹測試電路。商用探針臺通常將敏感電路封閉在靜電屏蔽內(nèi)。屏蔽連接到測量電路LO端,不一定接地。在4200-SMU的情況下,屏蔽連接到如圖9所示的Force LO端子。

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圖9. 屏蔽裝置高阻抗測試

最小化由于靜電耦合而產(chǎn)生的誤差電流 :

● 屏蔽DUT并將外殼和測試電路的公共端,4200A-SCS的Force LO端子短接

● 所有帶電物體(包括人)和導(dǎo)體遠離測試電路的敏感區(qū)域

● 避免在測試區(qū)域附近移動和發(fā)生振動

泄漏電流和Guard

泄漏電流是當(dāng)施加電壓時流經(jīng)絕緣電阻或從中泄漏的錯誤電流。當(dāng)DUT的阻抗與測試電路中絕緣體的阻抗相當(dāng)時,這種錯誤電流就成為一個問題。為了減少泄漏電流,需要在測試電路中使用質(zhì)量好的絕緣材料,降低測試實驗室的濕度,并使用保護技術(shù)。

Guard是一個由低阻抗源驅(qū)動的導(dǎo)體,其輸出與高阻抗終端處于或接近相同的電位。Guard端子用于保護測試夾具和電纜的絕緣電阻和電容。Guard端子是圖10所示的三軸連接器/電纜的內(nèi)部屏蔽。

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圖10. 4200A三同軸接口、線纜定義

Guard不應(yīng)與屏蔽混淆。屏蔽通常意味著使用金屬外殼來防止靜電干擾影響高阻抗測試電路。Guard意味著使用一個附加的低阻抗導(dǎo)體,與高阻抗電路保持相同的電位,它將攔截任何干擾電壓或電流。Guard并不一定提供屏蔽。下面的段落概述了兩個Guard的例子:1)使用Guard來減少由于測試夾具造成的泄漏,2)使用Guard來減少由于布線造成的泄漏電流。

圖11顯示了Guard如何消除可能流過測試夾具中隔離絕緣材料的泄漏電流。在圖11a中,泄漏電流(IL)流過隔離絕緣材料(RL)。該泄漏電流加到DUT (IDUT)的電流中,由SMU電流表(IM)測量,對低電流測量的精度產(chǎn)生不利影響。

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圖11. 使用Guard以減少測試夾具的泄漏

圖11b中,金屬掛板連接到SMU的Guard端子上。絕緣固定支架的頂部和底部的電壓幾乎處于相同的電位(0V降),因此不會有泄漏電流流過隔板影響測量精度。出于安全目的,金屬屏蔽必須連接到接地點,因為底部的金屬安裝板將在Guard電位。

Guard也可用于減少布線中的泄漏電流。圖12說明了驅(qū)動保護如何防止電纜的泄漏電阻降低低電流測量的性能。在無保護配置中,同軸電纜的泄漏電阻與DUT(RDUT)平行,產(chǎn)生不需要的泄漏電流(IL)。這種泄漏電流會削弱微弱電流測測量。

保護電路中,三軸電纜的內(nèi)屏蔽連接到SMU的Guard端子上?,F(xiàn)在這個屏蔽由一個增益單位、低阻放大器(Guard)成的驅(qū)動。Force HI端子和Guard 端子之間的電位差接近0V,因此消除了泄漏電流(IL)。

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圖12. 使用Guard減少電纜中的漏電流

對比使用三軸電纜和同軸電纜進行高阻測量時的結(jié)果,圖13顯示了加載10V階躍電壓到100GΩ電阻電流 vs.時間的測試結(jié)果。三同軸電纜啟用Guard,從兩個方面改進測量:1)它降低了有效的電纜電容,從而降低了RC時間常數(shù)或測量的穩(wěn)定時間,2)它防止電纜的泄漏電阻提升了測量精度。

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圖13. 使用同軸電纜和三軸電纜測量高阻的結(jié)果對照

從圖13的圖表中可以看到,使用帶保護的三軸電纜可以在測量電流具有更低的泄漏電流(小幾pA)和更快的穩(wěn)定時間(大約快十倍)。

如果SMU必須連接到帶有BNC連接器的測試夾具,則使用Keithley三軸電纜連接SMU和測試夾具,然后使用三同軸轉(zhuǎn)BNC的適配器(去除Guard)將電纜連接到測試夾具。

SMU連接到DUT

除了在連接DUT時使用屏蔽和Guard外,4200A-SCS與設(shè)備的接入位置也是非常重要的。SMU Force HI和Force LO端子連接不當(dāng)會導(dǎo)致電流偏移,測量結(jié)果不穩(wěn)定。這些誤差是由共模電流引起的。

一般情況下,始終將SMU的高阻端子(Force HI)連接到被測電路的最高電阻點上。同樣,始終將4200A-SCS的低阻端子(Force LO)連接到被測電路的最低電阻點。最低電阻點可以是一個公共端子或接地點。如果Force HI端子連接到低阻端,那么共模電流可以通過測量電路,從而影響測試結(jié)果。

圖14給出了正確的和不正確的測量連接。圖14a為正確的連接方式,因為4200-SMU的Force HI端子連接在晶圓上的被測器件的柵極上,F(xiàn)orce Lo端子連接在接地卡盤上。晶圓上的柵極端子是最高阻抗點,接地的卡盤是低阻抗點,所以這個電路是正確連接。注意,共模電流從SMU的Force LO端子流向接地卡盤;但是,電流不會流過安培計,因此不會影響測量。

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圖14. 使用同軸電纜和三軸電纜測量高阻的結(jié)果對照

圖14b顯示了將高阻柵極端子與SMU的Force LO端子連接,接地卡盤和SMU的Force HI端子連接的不恰當(dāng)連接方式。在這種情況下,共模電流將流過SMU以及DUT。這將導(dǎo)致測試結(jié)果的不準(zhǔn)確,甚至無法穩(wěn)定測量。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:白皮書 | 如何優(yōu)化微弱電流測試?(附直播回顧)

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