什么是晶體振蕩器?
晶體振蕩器是一種特殊的振蕩器,它采用石英晶體作為頻率控制元件。在石英晶體上按照一定方位角切下薄片,這個薄片稱為晶片或石英晶體諧振器,簡稱為石英晶體或晶體、晶振。在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。
晶體振蕩器具有高精度和高穩(wěn)定度的特點,被廣泛應(yīng)用于各種電路中,如彩電、計算機(jī)、遙控器等振蕩電路,以及通信系統(tǒng)中的頻率發(fā)生器,為數(shù)據(jù)處理設(shè)備提供時鐘信號和特定系統(tǒng)的基準(zhǔn)信號。
晶體振蕩器一般采用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。總頻差是在規(guī)定的時間內(nèi),由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱頻率的最大頻差。
總之,晶體振蕩器是一種采用石英晶體作為頻率控制元件的高精度、高穩(wěn)定度的振蕩器,廣泛應(yīng)用于各種電路和通信系統(tǒng)中。
晶體振蕩器的應(yīng)用
晶體振蕩器在各個領(lǐng)域有多種應(yīng)用,下面給出一些晶體振蕩器的應(yīng)用。
1、Colpitts晶體振蕩器應(yīng)用
考畢茲振蕩器用于生成非常高頻率的正弦輸出信號。該振蕩器可用作不同類型的傳感器,例如溫度傳感器,因為我們在 Colpitts 電路中使用 SAW 器件,它直接從其表面進(jìn)行感應(yīng)。
考畢茲振蕩器的應(yīng)用主要涉及使用較寬頻率范圍的情況。也可用于無阻尼和連續(xù)振蕩條件。使用考畢茲電路中的一些器件,我們可以實現(xiàn)更高的溫度穩(wěn)定性和高頻。
2、阿姆斯壯晶體振蕩器的應(yīng)用
這條賽道一直流行到 20 世紀(jì) 40 年代。這些廣泛用于再生無線電接收器。在該輸入中,來自天線的射頻信號通過附加繞組磁耦合到儲能電路中,并且反饋被減少以在反饋環(huán)路中進(jìn)行增益控制。最后,它產(chǎn)生窄帶射頻濾波器和放大器。在此晶體振蕩器中,LC 諧振電路被反饋環(huán)路取代。
接下來小編給大家分享一些晶體振蕩器電路圖,以及簡單分析它們的工作原理。
晶體振蕩器電路圖分享
1、簡單的晶體振蕩器電路圖
為了構(gòu)建串聯(lián)諧振晶體振蕩器,將晶體元件和耦合電容器放置在共發(fā)射極配置電路的集電極和基極端子之間,我們可以從集電極端子獲得振蕩器輸出。
對于并聯(lián)諧振晶體振蕩器,晶體元件放置在集電極和發(fā)射極端子之間,并且輸出取自集電極端子,此處晶體管配置為共發(fā)射極。
開關(guān)元件可以是FET或MOSFET的晶體管,大多數(shù)微控制器、微處理器都提供外部端子連接晶體元件,不需要外部振蕩電路。具體范圍的晶體元件與數(shù)字IC連接。
2、低失真晶體振蕩器電路圖
這是一個低失真晶體振蕩器電路。該電路生成具有低相位噪聲和失真的正弦波。該電路可用于實現(xiàn)晶體耗散小于 1mV 的晶體。晶體用于過濾信號電流。如果阻抗負(fù)載較低,JFET 將驅(qū)動阻抗。當(dāng)負(fù)載在50歐姆左右時,最好采用射極跟隨器結(jié)合降壓變壓器或匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)一步緩沖。
C3的值決定了輸出電壓,如果需要較低的輸出電壓,則應(yīng)增大C3的值,而當(dāng)需要較大的輸出電壓時,應(yīng)減小C3的值。如果使用泛音晶體,則應(yīng)用扼流圈代替 1K 發(fā)射極電阻。該扼流圈必須與 C2 諧振,其頻率略高于三次泛音晶體的基頻。當(dāng)使用高Q值泛音晶體時,C3的值應(yīng)該較低,因為高Q值泛音晶體的驅(qū)動電平應(yīng)比基波晶體低得多。除此之外,輸出電平應(yīng)設(shè)置得盡可能低。
如果晶體的額定功率或電流已知,則可以測量驅(qū)動電平。要測量驅(qū)動電平,請臨時在 C3 上連接一個 100 歐姆電阻,并測量 FET 源極上的信號電平。晶體電流由V/100決定。
3、并聯(lián)型晶體振蕩器電路圖
聯(lián)型晶體振蕩器如圖所示。三極管VT與R1、R2、R3、R4構(gòu)成放大電路;C3為交流旁路電容,對交流信號相當(dāng)于短路;X1為石英晶體,在電路中相當(dāng)于電感。從交流等效圖可以看出,該電路是一個電容三點式振蕩器,C1、C2、X1構(gòu)成選頻電路,其選頻頻率主要由X1決定,頻率接近fp。
電路振蕩過程:接通電源后,三極管VT導(dǎo)通,有變化Ic電流流過VT,它包含著微弱的0~∞各種頻率的信號。這些信號加到C1、C2、X1構(gòu)成的選頻電路,選頻電路從中選出f0信號,在X1、C1、C2兩端有f0信號電壓,取C2兩端的f0信號電壓反饋到VT的基-射極之間進(jìn)行放大,放大后輸出信號又加到選頻電路,C1、C2兩端的信號電壓增大,C2兩端的電壓又送到VT基-射極,如此反復(fù)進(jìn)行,VT輸出的信號越來越大,而VT放大電路的放大倍數(shù)逐漸減小,當(dāng)放大電路的放大倍數(shù)與反饋電路的衰減系數(shù)相等時,輸出信號幅度保持穩(wěn)定,不會再增大,該信號再送到其他的電路。
4、串聯(lián)型晶體振蕩器電路圖
串聯(lián)型晶體振蕩器如圖所示。該振蕩器采用了兩級放大電路,石英晶體X1除了構(gòu)成反饋電路外,還具有選頻功能,其選頻頻率f0=fs,電位器RP1用來調(diào)節(jié)反饋信號的幅度。
電路振蕩過程:接通電源后,三極管VT1、VT2導(dǎo)通,VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號,石英晶體X1對其中的f0信號阻抗很小,f0信號經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極,該信號經(jīng)VT1放大后從集電極輸出,又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出,然后又通過X1反饋到VT1放大,如此反復(fù)進(jìn)行,VT2輸出的f0信號幅度越來越大,VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來越小,當(dāng)放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時,輸出f0信號幅度不再變化,電路輸出穩(wěn)定的f0信號。
5、手表晶體振蕩器電路圖
開發(fā)該電路的目的是允許手表晶體用于現(xiàn)有的 CMOS 振蕩器電路(該電路由 12 V 電源供電)。但有一個問題,這些晶體只能在 6V 左右的電源電壓下工作。如果電源電壓超過 6 V,則晶體將被過度驅(qū)動,導(dǎo)致其破碎。
通過使用 LED 1 和 2 以及 470nF 電容器 (C3) 將晶體驅(qū)動限制在約 4V 峰峰值,可以使用該電路解決該問題。請注意,為了確保某些晶體的可靠啟動和穩(wěn)定振蕩,可能需要調(diào)整 C1 和 C2。但是,應(yīng)保持 C1:C2 比例。另外,兩個 LED 燈都會發(fā)光,以視覺方式指示振蕩器正在工作。
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