什么是絕緣柵雙極型晶體管的開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間？

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一種主要應(yīng)用于功率電子裝置中的半導(dǎo)體器件，其具有低導(dǎo)通壓降和高關(guān)斷速度等優(yōu)點(diǎn)。開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間是評(píng)估IGBT性能的重要指標(biāo)，直接影響著設(shè)備的工作效率和可靠性。

開通時(shí)間

開通時(shí)間是指從驅(qū)動(dòng)信號(hào)施加到IGBT導(dǎo)通的時(shí)間。在開通過程中，當(dāng)控制極（門極）施加一個(gè)適當(dāng)?shù)恼妷簳r(shí)，控制電流通過絕緣柵而在MOS層形成電子-空穴對(duì)。電子從N型區(qū)向P型區(qū)注入，并使PN結(jié)發(fā)生逆偏。當(dāng)逆偏電勢達(dá)到一定值時(shí)，內(nèi)部的電場被帶了進(jìn)來。與此同時(shí)，這個(gè)電場幫助加速空穴提供電流到絕緣柵。一旦絕緣柵采取合適的電勢，PN結(jié)變成正向偏置，MOS區(qū)內(nèi)的電場會(huì)完成內(nèi)部電壓的升高和形成道為電子進(jìn)入，使得電流加大，從而使IGBT導(dǎo)通。開通時(shí)間可以分為開通延遲時(shí)間和上升時(shí)間。

1. 開通延遲時(shí)間：指從驅(qū)動(dòng)信號(hào)達(dá)到絕緣柵，到絕緣柵開始響應(yīng)、PN結(jié)逆偏并形成內(nèi)部電場的時(shí)間。在這個(gè)過程中，信號(hào)需要傳導(dǎo)到絕緣柵，并使絕緣柵上的電荷分布變化到一定程度，才能引起PN結(jié)逆偏。

2. 上升時(shí)間：指從絕緣柵逆偏導(dǎo)通開始，到絕緣柵電壓上升到一定閾值并使PN結(jié)正向偏置的時(shí)間。當(dāng)絕緣柵逆偏，MOS區(qū)的內(nèi)部電場會(huì)快速上升并形成導(dǎo)通通道，使得電流增加。上升時(shí)間與絕緣柵驅(qū)動(dòng)電路的響應(yīng)速度、絕緣柵電容、絕緣柵的電阻等因素有關(guān)。

關(guān)斷時(shí)間

關(guān)斷時(shí)間是指從驅(qū)動(dòng)信號(hào)施加到IGBT關(guān)斷的時(shí)間。在關(guān)斷過程中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)從正向偏置變?yōu)榱汶娖交蜇?fù)電壓信號(hào)時(shí)，絕緣柵的電荷需要盡快平衡。電荷平衡的速度取決于絕緣柵和MOS區(qū)之間的電容，關(guān)斷時(shí)間可以分為關(guān)斷延遲時(shí)間和下降時(shí)間。

1. 關(guān)斷延遲時(shí)間：指從驅(qū)動(dòng)信號(hào)變?yōu)樨?fù)電壓或零電平，到絕緣柵開始響應(yīng)、PN結(jié)返回到正向偏置的時(shí)間。在這個(gè)過程中，絕緣柵電荷需要被移除，以便PN結(jié)恢復(fù)正向偏置。

2. 下降時(shí)間：指從絕緣柵電壓開始下降，到IGBT完全關(guān)斷的時(shí)間。在這個(gè)過程中，電荷平衡以及PN結(jié)的恢復(fù)需要一定的時(shí)間。

開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間對(duì)于IGBT的應(yīng)用非常重要，因?yàn)檩^短的開通和關(guān)斷時(shí)間可以提高器件的開關(guān)速度和效率，減少能量損耗，降低熱量產(chǎn)生和器件溫度，延長設(shè)備的壽命。因此，設(shè)計(jì)和優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路以及選擇合適的IGBT型號(hào)對(duì)于獲得快速而可靠的開通和關(guān)斷時(shí)間非常關(guān)鍵。

總結(jié)起來，絕緣柵雙極型晶體管的開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間是IGBT性能的關(guān)鍵指標(biāo)。開通時(shí)間包括開通延遲時(shí)間和上升時(shí)間，而關(guān)斷時(shí)間包括關(guān)斷延遲時(shí)間和下降時(shí)間。減小開通和關(guān)斷時(shí)間可以提高IGBT的開關(guān)速度和效率，降低能量損耗，增加器件的可靠性和壽命。