MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。

MOS主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)：開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。

只要把這些損耗控制在MOS承受規(guī)格之內(nèi)，MOS即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同MOS這個差距可能很大。

Mos開關(guān)原理 ：Mos是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個內(nèi)阻大小基本決定了mos芯片能承受的最大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，最有關(guān)的是熱阻），內(nèi)阻越小承受電流越大（因為發(fā)熱?。?/p>

靜電放電和高溫

靜電放電是指在MOS管與其他元件或人體之間發(fā)生的電荷交換現(xiàn)象，如果靜電放電能量過大，會導(dǎo)致MOS管的擊穿或損壞。

MOS管在高溫環(huán)境下工作時，將降低其電性能，進(jìn)而引起燒壞。同時，高溫也會損壞MOS管的封裝材料，導(dǎo)致漏電等問題。

因此，要保證焊接點的質(zhì)量和穩(wěn)定性。避免出現(xiàn)虛焊、冷焊等現(xiàn)象。也要關(guān)注散熱問題，通過加裝散熱片、風(fēng)扇等散熱裝置來降低高溫問題。

MOS管控制端柵極串聯(lián)電阻是否過大？

雖然MOS管屬于電壓控制型器件，但是該電阻不能省，串聯(lián)該電阻起到隔離保護(hù)作用。

若該電阻太大，因為MOS管會有結(jié)電容，管子太大充電速度慢，管子很長時間達(dá)不到飽和開通狀態(tài)，從而過熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內(nèi)即可。

若為正反轉(zhuǎn)控制電機驅(qū)動電路，如下圖4個二極管不能省，這4個二極管屬于電機線圈續(xù)流二極管，用于保護(hù)控制電路，若控制管使用的是MOS管，其內(nèi)部一般會有寄生二極管，不需要外接。

MOS管體二極管的緩慢反向恢復(fù)

諸如特斯拉線圈之類的高 Q 諧振電路能夠在其電感和自電容中存儲大量能量。

在某些調(diào)諧條件下，當(dāng)一個MOS管關(guān)閉而另一個器件打開時，這會導(dǎo)致電流“續(xù)流”通過 MOS管的內(nèi)部體二極管。

這個原本不是什么問題，但當(dāng)對面的MOS管試圖開啟時，內(nèi)部體二極管的緩慢關(guān)斷（或反向恢復(fù)）就會出現(xiàn)問題。

與MOS管 自身的性能相比，MOS管 體二極管通常具有較長的反向恢復(fù)時間。如果一個 MOS管的體二極管在對立器件開啟時導(dǎo)通，則類似于上述擊穿情況發(fā)生“短路”。

這個問題通?？梢酝ㄟ^在每個MOS管周圍添加兩個二極管來緩解。

首先，肖特基二極管與MOS管源極串聯(lián)，肖特基二極管可防止MOS管體二極管被續(xù)流電流正向偏置。其次，高速（快速恢復(fù)）二極管并聯(lián)到MOS管/肖特基對，以便續(xù)流電流完全繞過MOS管和肖特基二極管。

這確保了MOS管體二極管永遠(yuǎn)不會被驅(qū)動導(dǎo)通，續(xù)流電流由快恢復(fù)二極管處理，快恢復(fù)二極管較少出現(xiàn)“擊穿”問題。

雪崩破壞

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。

在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。

典型電路：