RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

深圳第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地啟用

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-02-28 16:33 ? 次閱讀

2月27日,第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地正式啟動位于中國深圳寶安區(qū)的選址,由深圳重投天科半導(dǎo)體有限公司負(fù)責(zé)開發(fā)運(yùn)營。項目旨在進(jìn)一步強(qiáng)化深圳地區(qū)第三代半導(dǎo)體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈(VIDM)”,助力廣東省構(gòu)建國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“第三極”。

公告顯示,項目于2021年11月動工興建,僅用時一年關(guān)鍵生產(chǎn)區(qū)域廠房即實現(xiàn)封頂,2023年6月正式開始襯底產(chǎn)線試運(yùn)行。

總計投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點關(guān)注的項目之一,同時也是深圳全球招商大會的重點簽約項目。

其中,項目主要致力于生產(chǎn)6英寸碳化硅單晶襯底以及外延產(chǎn)品,預(yù)計今年的襯底和外延產(chǎn)能合計可達(dá)到25萬片。

這不僅將有助于下游客戶在軌道交通、新能源汽車、分布式新能源、智能電網(wǎng)、高端電源5G通訊、人工智能等重要領(lǐng)域的碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的原材料基礎(chǔ)保障和供應(yīng),也將為深圳乃至廣東本地龍頭企業(yè)長期穩(wěn)定地提供足量的襯底及外延材料,從而加快推動全產(chǎn)業(yè)鏈核心技術(shù)的自主掌控和量產(chǎn)原材料的保障工作。

未來,重投天科計劃成立大尺寸晶體生長和外延研發(fā)中心,并與本地重點實驗室在儀器設(shè)備共享及材料領(lǐng)域開展深入合作;同時,積極尋求與關(guān)鍵裝備制造企業(yè)在晶體加工技術(shù)創(chuàng)新方面的合作機(jī)會,與下游龍頭企業(yè)在車規(guī)器件、模組研發(fā)等方向共同創(chuàng)新。此外,我們還期待以此次啟動為契機(jī),協(xié)助深圳提升8英寸襯底平臺領(lǐng)域的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化制造技術(shù)水平。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5387

    文章

    11530

    瀏覽量

    361627
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27286

    瀏覽量

    218062
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2748

    瀏覽量

    49017
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要動力之一
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?203次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?273次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:<b class='flag-5'>碳化硅</b>和氮化鎵介紹

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用

    隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 11:24 ?512次閱讀

    納微半導(dǎo)體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規(guī)認(rèn)證

    納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFETs。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列經(jīng)過精心優(yōu)化,旨在滿足電動汽車應(yīng)用的高要求,為行業(yè)帶來革
    的頭像 發(fā)表于 10-10 17:08 ?405次閱讀

    納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

    納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MO
    的頭像 發(fā)表于 06-11 16:24 ?957次閱讀

    碳化硅器件的基本特性都有哪些?

    碳化硅(SiliconCarbide,SiC)器件作為第三代半導(dǎo)體材料的重要代表,近年來在電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 18:04 ?1359次閱讀

    一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別

    在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化
    發(fā)表于 04-18 10:18 ?3026次閱讀
    一、二、<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的區(qū)別

    深圳第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌 重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)

    2月27日,深圳第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌儀式在寶安石巖街道舉行。
    的頭像 發(fā)表于 03-07 16:48 ?777次閱讀

    總投資32.7億!第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用

    2月27日,第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用,由
    的頭像 發(fā)表于 02-29 14:09 ?591次閱讀

    深度解讀第三代半導(dǎo)體碳化硅

    碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料,是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
    的頭像 發(fā)表于 01-24 16:42 ?2856次閱讀
    深度解讀<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>—<b class='flag-5'>碳化硅</b>

    SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

    碳化硅第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和
    的頭像 發(fā)表于 01-20 17:18 ?1073次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

    半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

    第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求,以
    的頭像 發(fā)表于 01-16 10:48 ?1001次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)行業(yè)研究

    2023年第三代半導(dǎo)體融資超62起,碳化硅器件及材料成投資焦點

    。 ? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。某機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2022年,國內(nèi)有超26家
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:14 ?2291次閱讀
    2023年<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>融資超62起,<b class='flag-5'>碳化硅</b>器件及<b class='flag-5'>材料</b>成投資焦點

    石金科技募資7000萬建第三代半導(dǎo)體熱場及材料生產(chǎn)項目

    石金科技近日宣布將募集3.5億元資金,用于多個關(guān)鍵項目的發(fā)展。這些項目涵蓋了補(bǔ)充公司流動資金、建設(shè)石金(西安)研發(fā)中心及生產(chǎn)基地、光伏關(guān)鍵輔材集成服務(wù)生產(chǎn)以及第三代半導(dǎo)體熱場及
    的頭像 發(fā)表于 01-03 16:09 ?845次閱讀

    第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)

    芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場,自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間,芯聯(lián)集成便已成功實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的次重大飛躍,器件性能與國際頂
    的頭像 發(fā)表于 12-26 10:02 ?978次閱讀
    RM新时代网站-首页