Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊
全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。
這些新推出的SiC模塊專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應(yīng)用等設(shè)計，旨在提供卓越的性能和效率。其中，以9.4mΩ導(dǎo)通電阻的UHB100SC12E1BC3N模塊為例，其采用了Qorvo獨特的共源共柵配置，這一創(chuàng)新設(shè)計不僅大幅降低了導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，還顯著提升了整體效率。特別是在軟開關(guān)應(yīng)用中，這一優(yōu)勢更為明顯。
Qorvo一直以其領(lǐng)先的技術(shù)和高質(zhì)量的產(chǎn)品在行業(yè)內(nèi)享有盛譽。這次推出的四款SiC模塊進(jìn)一步鞏固了其在高效電源解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。隨著電動汽車和可再生能源市場的快速發(fā)展，這些新型SiC模塊有望在未來幾年內(nèi)成為市場上的熱門選擇。
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