RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

美光DRAM與NAND閃存產(chǎn)品線豐富,QLC顆粒已占總量2/3

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-22 14:51 ? 次閱讀

美光公司近日公布2024財年第二季度財報,附帶的展示文件詳述了DRAM存儲器和NAND閃存的發(fā)展與現(xiàn)狀。據(jù)悉,美光的EUV光刻新型1-γ內(nèi)存已投入試生產(chǎn),同時正在按計劃研制下一代NAND芯片,期望在2025年實現(xiàn)全面量產(chǎn)。當(dāng)前,美光超過四分之三的DRAM晶圓和九成以上的NAND閃存在先進(jìn)階段1-α/β的工藝。

產(chǎn)品方面,美光引領(lǐng)行業(yè)實現(xiàn)32Gb單層架構(gòu)的128GB服務(wù)器內(nèi)存,并預(yù)計在未來六個月內(nèi)帶來數(shù)億美元的營收。此外,在高速性能更高的MRDIMM領(lǐng)域,美光已經(jīng)開始供應(yīng)256GB的樣品。除了極高速度與低功耗優(yōu)勢,其LPCAMM2模組還具備可拆卸功能,服務(wù)器版本可以達(dá)到128GB的容量。

在消費(fèi)級存儲領(lǐng)域,美光消費(fèi)者級固態(tài)硬盤產(chǎn)品中的QLC顆粒出貨量創(chuàng)新高,占據(jù)整體的2/3,進(jìn)一步確立其領(lǐng)先地位。美光于2022年推出的2400系列PCIeGen4QLC固態(tài)硬盤及同年九月由英睿達(dá)發(fā)售的P3(Plus)固態(tài)硬盤都包含QLC閃存。

據(jù)相關(guān)媒體報道,去年致態(tài)和西部數(shù)據(jù)等企業(yè)均在零售市場推出各自系列的QLC固態(tài)硬盤。事實上,西部數(shù)據(jù)近期就新推了PCSN5000S。因此,在消費(fèi)級市場,QLC占有率逐步提升是必然趨勢。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 服務(wù)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    9123

    瀏覽量

    85322
  • 美光
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    709

    瀏覽量

    51418
  • NAND閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    219

    瀏覽量

    22750
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    【半導(dǎo)體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識

    技術(shù)方案。   三、NAND Flash分類   NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技
    發(fā)表于 12-17 17:34

    三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動,引領(lǐng)AI時代數(shù)據(jù)存儲新紀(jì)元

    三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品,集成了多項前沿技術(shù)突破,標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量
    的頭像 發(fā)表于 09-23 14:53 ?568次閱讀

    NAND閃存是什么意思

    NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND
    的頭像 發(fā)表于 08-10 15:57 ?2655次閱讀

    量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品

    全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤(SSD)已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段,標(biāo)志著
    的頭像 發(fā)表于 08-01 16:38 ?686次閱讀

    第九代3D TLC NAND閃存技術(shù)的SSD產(chǎn)品開始出貨

    知名存儲品牌近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:11 ?658次閱讀

    蘋果將在iPhone中運(yùn)用QLC NAND閃存技術(shù)

    據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報告顯示,據(jù)悉,蘋果正積極考慮在其未來的iPhone產(chǎn)品線中導(dǎo)入一項名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項技術(shù)的實際投入使用,預(yù)
    的頭像 發(fā)表于 07-25 14:50 ?492次閱讀

    西部數(shù)據(jù)推出2TB QLC NAND閃存芯片,重塑數(shù)據(jù)存儲新紀(jì)元

    在當(dāng)今這個數(shù)據(jù)爆炸的時代,存儲技術(shù)的每一次革新都牽動著整個科技行業(yè)的神經(jīng)。近日,西部數(shù)據(jù)在投資者活動上揭開了一項令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片,這
    的頭像 發(fā)表于 06-15 11:42 ?1063次閱讀

    率先量產(chǎn)232層QLC NAND產(chǎn)品

    科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿,近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實現(xiàn)量產(chǎn),并已開始應(yīng)用于部分Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤中。這一突破性
    的頭像 發(fā)表于 05-09 14:53 ?600次閱讀

    AI浪潮拉動DRAMNAND閃存合約價飆升

    首先來看DRAM內(nèi)存,TrendForce原本預(yù)測2024年第二季度的合約價會上漲3~8%,現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存,原預(yù)測漲幅為13~18%,現(xiàn)已調(diào)整至15~20%
    的頭像 發(fā)表于 05-07 15:56 ?385次閱讀

    232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)

    科技近日宣布了重大技術(shù)突破,其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實現(xiàn)量產(chǎn),并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤(SSD)中。
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:59 ?650次閱讀

    232層QLC NAND芯片已量產(chǎn)并出貨,推出SSD新品

    科技近期宣布,其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)并已開始出貨。這一里程碑式的成就標(biāo)志著光在
    的頭像 發(fā)表于 04-29 10:36 ?746次閱讀

    Tech Talk:解讀閃存原理與顆粒類型

    ,NAND閃存的存儲方式和堆疊技術(shù)也在持續(xù)演進(jìn)。本文將圍繞閃存顆粒相關(guān)的概念以及發(fā)展趨勢做介紹。NAND
    的頭像 發(fā)表于 02-05 18:01 ?904次閱讀
    Tech Talk:解讀<b class='flag-5'>閃存</b>原理與<b class='flag-5'>顆粒</b>類型

    預(yù)計2025年車均搭載16GB DRAM和204GB NAND

    近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲解決方案提供商科技發(fā)布了《車用存儲大趨勢白皮書》。該白皮書深入探討了未來五年內(nèi)車用存儲市場的增長趨勢和預(yù)測。根據(jù)預(yù)測,到2025年,每輛汽車將搭載高達(dá)16GB的DRAM
    的頭像 發(fā)表于 02-02 15:41 ?723次閱讀

    三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)

    三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 02-01 10:35 ?781次閱讀

    三星與擬提DRAM價格,以求盈利回暖

    部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:46 ?1018次閱讀
    RM新时代网站-首页