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深入淺出帶你了解磁共振成像(MRI)基本原理

昊量光電 ? 來源:昊量光電 ? 作者:昊量光電 ? 2024-04-03 17:04 ? 次閱讀


深入淺出帶你了解磁共振成像(MRI)基本原理

一、當我們?nèi)メt(yī)院做核磁共振檢查時是如何給大腦照相的呢?照相的原理又是什么?

人的大腦可以說是世jie上zui為精妙復雜的系統(tǒng),從生理上來說,腦的功能是控制身體的其他器官,可以說所有的行為都因它而起,所有的感悟也都由它而生。對于這么復雜而又精細的系統(tǒng),從古至今人類從未放棄探索。

研究腦zui古老的方法是神經(jīng)解剖學。神經(jīng)生理學家研究腦的化學、藥理學和電性質(zhì),認知神經(jīng)科學研究大腦的運作如何執(zhí)行心理或認知功能。我們姑且將其統(tǒng)稱為腦科學,即研究腦的結(jié)構(gòu)和功能的科學。

腦科學研究方法除了常規(guī)的認知行為研究之外,還有利用腦功能成像設備的研究方法,zui常見的有磁共振成像技術(shù)(MRI)、腦電圖(EEG)、腦磁圖(MEG)等。今天我們就來聊聊磁共振成像技術(shù)(MRI)的基本原理。

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圖1.圖片來源于網(wǎng)絡

磁共振成像技術(shù)原本稱為核磁共振成像。很多人聽到“核磁”,第1反應是這個對人體有害嗎,因為名稱中不是有“核”嗎。其實,此處的”核“指”原子核“確實不假,但磁共振成像只與原子核的磁場相關(guān),與原子核聚變、裂變等的能量放射并無關(guān)系。因此,磁共振成像其實是利用人體組織中某種原子核的核磁共振現(xiàn)象,將所得射頻信號經(jīng)過計算機處理,重構(gòu)出人體某一層面的圖像的診斷技術(shù)。

二、“核”和“磁”

我們先來說說這個“核”。人體是由原子構(gòu)成的,原子由電子和原子核組成,原子核包括質(zhì)子和中子。原子核像地球一樣可以圍繞著中軸進行自我旋轉(zhuǎn),并且人體中水分含量zui多,因此大腦中的H質(zhì)子會自旋。通常情況下,每個質(zhì)子自旋均會產(chǎn)生一個小的磁場,但呈隨機無序排列,各方向的磁性相互抵消,因此人體整體不表現(xiàn)磁性。

但當一個人進入核磁共振掃描機器里,這些質(zhì)子就處在了掃描機所產(chǎn)生的強磁場中。這些H原子仍按自己的頻率震動,但方向為與外界磁場保持一致,整體上會表現(xiàn)出磁性。這就好比學校做廣播體操,同學們一開始是隨機排列的,但是一旦聽到廣播體操聲響起,同學們都會自覺的排列整齊,朝同一個方向齊刷刷站好。此時,質(zhì)子兼顧自旋和指向磁場方向或反方向的兩種運動,綜合起來看就類似于小時候玩的陀螺,稱之為進動。

因此,磁共振成像系統(tǒng)中很重要的一個組成部分就是磁體系統(tǒng),它的主要作用是提供一個穩(wěn)定的、均勻的空間磁場環(huán)境。根據(jù)磁場強度的大小,可以把磁共振設備分為低場、中場、高場及超高場。磁場的單位是特斯拉Tesla),是以一位傳奇的物理學家尼古拉·特斯拉的名字命名的。

磁場強度小于0.5T的磁共振設備被叫做低場磁共振

磁場強度大于0.5T小于1.0T的磁共振設備叫做中場磁共振

磁場強度大于1.0T小于2.0T的磁共振就是高場磁共振

磁場強度大于2.0T的磁共振是超高場磁共振,包括臨床和科研常用的3.0T和7.0T

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三、“共振”

前面我們提到,在外加磁場后,體內(nèi)的質(zhì)子進動而產(chǎn)生磁矢量。平衡狀態(tài)下,大部分的質(zhì)子方向和外加磁場方向一致(即縱向磁化),而由于相位不同,宏觀上只有縱向磁化產(chǎn)生,而無橫向磁化產(chǎn)生。但由于和外加磁場方向一致不能被直接測量,我們?nèi)绻胍@得這個信號,就需要擾亂它。

這就提到磁共振系統(tǒng)第二個重要組成部分——射頻系統(tǒng),它的主要作用是發(fā)射能夠激發(fā)成像區(qū)域的射頻脈沖。當我們加入的射頻脈沖的頻率和質(zhì)子進動頻率一致時,就會發(fā)生能量的傳遞,低能的質(zhì)子獲得能量進入高能的狀態(tài),這便是核磁共振。

加入了射頻脈沖之后,產(chǎn)生的第1個影響是能量的傳遞,獲得能量的質(zhì)子會從低能級(磁場方向指向上)躍遷至高能狀態(tài)(磁場方向指向下),縱向磁場強度隨之不斷減小。第二個影響是由于頻率一致,所有吸收能量的質(zhì)子會相互吸引靠攏,產(chǎn)生相同的相位,橫向磁場強度隨之不斷增大。

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四.“成像”

那么,射頻脈沖關(guān)閉后發(fā)生了什么呢?當射頻脈沖消失后,這些共振的H原子會慢慢恢復到原來的方向和幅度,這個過程稱之為“弛豫”。

弛豫分為橫向弛豫和縱向弛豫。橫向弛豫也稱T2弛豫,即橫向磁化逐漸減少的過程,橫向磁化從zui大值減少了63%所花費的時間為T2;縱向弛豫也稱為T1弛豫,即縱向磁化逐漸恢復的過程,縱向磁化恢復到平衡狀態(tài)強度的63%所需的時間為T1。弛豫時間與質(zhì)子密度有關(guān),不同組織的T1和T2值有很大的差異。

簡單來說,在恢復的過程中,被激發(fā)的質(zhì)子釋放的能量,即磁共振信號被計算機所接收。對于T1像,計算機接收的是從0到63%的信號,時間越長,信號越弱。而T2像是從100%到37%的信號,所以時間越長,信號越強。

zui終按照強度轉(zhuǎn)換為黑白灰階,從而畫出人體圖像。信號越強,圖像越亮;信號越弱,圖像越暗。比如,大家可以記住水為長T1長T2,脂肪為短T1短T2,如下圖所示。T1像中的腦脊液為黑色,而T2像中腦脊液為白色。通常,T1觀察解剖結(jié)構(gòu)較好,T2觀察組織病變較好。

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五.Metrolab 核磁共振(MRI)磁場相機MFC2046

當我們了解清楚核磁共振的原理之后,才會發(fā)現(xiàn)要搭建一套醫(yī)院的核磁共振檢測設備是需要很高精度的檢測儀器輔助檢測的,昊量光電全新推出的Metrolab 核磁共振(MRI)磁場相機MFC2046就是專門為了醫(yī)療、科研等高精度設備檢測提供了一種zui優(yōu)的解決方案!

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鏈接:https://www.auniontech.com/details-2085.html

Metrolab 的 NMR(質(zhì)子核磁共振) 磁場相機于 25 年前推出,加快了磁共振成像(MRI)磁體的磁場測繪。它們將采集時間從幾小時縮短到幾分鐘,將定位誤差減小到幾分之一毫米,并使人為誤差和漂移誤差變得微不足道。

Metrolab 核磁共振成像(MRI)磁場相機MFC2046基于脈沖 NMR 技術(shù),是精密測試儀核磁共振三軸高斯計PT2026 的延伸。

新一代磁場相機MFC2046相比上一款MFC3045可提供更多方案:

測量范圍更廣,頻率可達1.1 GHz 或 30 T

多種探頭陣列幾何形狀可供選擇,用于繪制DSV 為 100 mm至 600mm的 MRI 磁體或孔徑小至 20 mm的 NMR光譜磁體的圖譜

一個測頭陣列上蕞多可安裝255 個測頭

更高的靈活性:一臺儀器可進行多點測繪和單點測量

高效的工作流程:核磁共振成像探頭陣列可包括一個寬范圍探頭,用于進行磁場掃描

標準USB以太網(wǎng)接口

用戶友好型軟件:任務驅(qū)動,實時數(shù)據(jù)采集

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參考文獻:

《磁共振成像臨床應用入門》靳二虎蔣濤 張輝

Grover, V. P., Tognarelli, J. M., Crossey, M. M., Cox, I. J., Taylor-Robinson, S. D., & McPhail, M. J. (2015). Magnetic Resonance Imaging: Principles and Techniques: Lessons for Clinicians. Journal of clinical and experimental hepatology, 5(3), 246–255.

如果您對磁場成像測量有興趣,請訪問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁:

https://www.auniontech.com/three-level-361.html

歡迎繼續(xù)關(guān)注上海昊量光電的各大媒體平臺,我們將不定期推出各種產(chǎn)品介紹與技術(shù)新聞。

更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電

關(guān)于昊量光電:

上海昊量光電設備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商,產(chǎn)品包括各類激光器、光電調(diào)制器、光學測量設備、光學元件等,涉及應用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫(yī)療、科學研究、國防、量子光學、生物顯微、物聯(lián)傳感、激光制造等;可為客戶提供完整的設備安裝,培訓,硬件開發(fā),軟件開發(fā),系統(tǒng)集成等服務。


審核編輯 黃宇

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DTM控制和狀態(tài)寄存器(dtmcs,0x10) dtmcs寄存器的每一位含義如圖6所示。 圖6 dtmcs寄存器 ● dmihardreset:DTM模塊硬復位,寫1有效。 ● dmireset:清除出錯,寫1有效。 ● idle:只讀,JTAG 主機在Run-Test-Idle狀態(tài)停留的時鐘周期數(shù),0表示不需要進入Run-Test-Idle狀態(tài),1表示進入Run-Test-Idle狀態(tài)后可以馬上進入下一個狀態(tài),以此類推。 ● dmistat:只讀,上一次操作的狀態(tài)。0表示無出錯,1或者2表示操作出錯,3表示操作還未完成。 ● abits:只讀,dmi寄存器中address域的大小(位數(shù))。 ● version:只讀,實現(xiàn)所對應的spec版本,0表示0.11版本,1表示0.13版本。 ③ DM模塊接口訪問寄存器(dmi,0x11) dmi寄存器的每一位含義如圖7所示。 圖7 dmi寄存器 ● address:可讀可寫,DM寄存器的長度(位數(shù))。 ● data:可讀可寫,往DM寄存器讀、寫的數(shù)據(jù),固定為32位。 ● op:可讀可寫,讀或者寫這個域時有不同的含義。當寫這個域時,寫0表示忽略address和data的值,相當于nop操作;寫1表示從address指定的寄存器讀數(shù)據(jù);寫2表示把data的數(shù)據(jù)寫到address指定的寄存器。寫3為保留值。當讀這個域時,0表示上一個操作正確完成;1為保留值;2表示上一個操作失敗,這個狀態(tài)是會被記住的,因此需要往dtmcs寄存器的dmireset域?qū)?才能清除這個狀態(tài)。3表示上一個操作還未完成。 在Update-DR狀態(tài)時,DTM開始執(zhí)行op指定的操作。在Capture-DR狀態(tài)時,DTM更新data域。 ④ BYPASS寄存器(0x1f) 只讀,長度為1,值固定為0。 2>DM模塊 從圖3可知,DM模塊訪問RISC-V Core有兩種方式,一種是通過abstract command,另一種是通過system bus。abstract command方式是必須要實現(xiàn)的,system bus的方式是可選的。 DM模塊的寄存器都為32位,定義如圖8所示。 圖8 DM寄存器 下面介紹一下紅色框起來這幾個重要的寄存器。 ① data寄存器(data0-data11,0x04-0x0f) 這12個寄存器是用于abstract command的數(shù)據(jù)寄存器,長度為32位,可讀可寫。 ② DM控制寄存器(dmcontrol,0x10) dmcontrol寄存器的每一位含義如圖9所示。 圖9 dmcontrol寄存器 ● haltreq:只寫,寫1表示halt(暫停)當前hart(hart表示CPU核,存在多核的情況)。 ● resumereq:只能寫1,寫1表示resume(恢復)當前hart,即go。 ● hartreset:可讀可寫,寫1表示復位DM模塊,寫0表示撤銷復位,這是一個可選的位。 ● ackhavereset:只能寫1,寫1表示清除當前hart的havereset狀態(tài)。 ● hasel:可讀可寫,0表示當前只有一個已經(jīng)被選擇了的hart,1表示當前可能有多個已經(jīng)被選擇了的hart。 ● hartsello:可讀可寫,當前選擇的hart的低10位。1位表示一個hart。 ● hartselhi:可讀可寫,當前選擇的hart的高10位。1位表示一個hart。如果只有一個hart,那么hasel的值為0,hartsello的值為1,hartselhi的值為0。 ● setresethaltreq:只能寫1,寫1表示當前選擇的hart復位后處于harted狀態(tài)。 ● clrresethaltreq:只能寫1,寫1表示清除setresethaltreq的值。 ● ndmreset:可讀可寫,寫1表示復位整個系統(tǒng),寫0表示撤銷復位。 ● dmactive:可讀可寫,寫0表示復位DM模塊,寫1表示讓DM模塊正常工作。正常調(diào)試時,此位必須為1。 ③ DM狀態(tài)寄存器(dmstatus,0x11) dmstatus寄存器是一個只讀寄存器,每一位含義如圖10所示。 圖10 dmstatus寄存器 ● impebreak:1表示執(zhí)行完progbuf的指令后自動插入一條ebreak指令,這樣就可以節(jié)省一個progbuf。當progbufsize的值為1時,此值必須為1。 ● allhavereset:1表示當前選擇的hart已經(jīng)復位。 ● anyhavereset:1表示當前選擇的hart至少有一個已經(jīng)復位。 ● allresumeack:1表示當前選擇的所有hart已經(jīng)應答上一次的resume請求。 ● anyresumeack:1表示當前選擇的hart至少有一個已經(jīng)應答上一次的resume請求。 ● allnonexistent:1表示當前選擇的hart不存在于當前平臺。 ● anynonexistent:1表示至少有一個選擇了的hart不存在于當前平臺。 ● allunavail:1表示當前選擇的hart都不可用。 ● anyunavail:1表示至少有一個選擇了的hart不可用。 ● allrunning:1表示當前選擇的hart都處于running狀態(tài)。 ● anyrunning:1表示至少有一個選擇了的hart處于running狀態(tài)。 ● allhalted:1表示當前選擇的hart都處于halted狀態(tài)。 ● anyhalted:1表示至少有一個選擇了的hart處于halted狀態(tài)。 ● authenticated:0表示使用DM模塊之前需要進行認證,1表示已經(jīng)通過認證。 ● authbusy:0表示可以進行正常的認證,1表示認證處于忙狀態(tài)。 ● hasresethaltreq:1表示DM模塊支持復位后處于halted狀態(tài),0表示不支持。 ● confstrptrvalid:1表示confstrptr0~3寄存器保存了配置字符串的地址。 ● version:0表示DM模塊不存在,1表示DM模塊的版本為0.11,2表示DM模塊的版本為0.13。 ④ abstract控制和狀態(tài)寄存器(abstractcs,0x16) abstractcs寄存器定義如圖11所示。 圖11 abstractcs寄存器 ● progbufsize:只讀,program buffer的個數(shù),取值范圍為0~16,每一個的大小為32位。 ● busy:只讀,1表示abstract命令正在執(zhí)行,當寫command寄存器后該位應該馬上被置位直到命令執(zhí)行完成。 ● cmderr:可讀、只能寫1,cmderr的值僅當busy位為0時有效。0表示無錯誤,1表示正在操作command、abstractcs、data或者progbuf寄存器,2表示不支持當前命令,3表示執(zhí)行命令時出現(xiàn)異常,4表示由于當前hart不可用,或者不是處于halted/running狀態(tài)而不能被執(zhí)行,5表示由于總線出錯(對齊、訪問大小、超時)導致的錯誤,7表示其他錯誤。寫1清零cmderr。 ● datacount:只讀,所實現(xiàn)的data寄存器的個數(shù)。 ⑤ abstract命令寄存器(command,0x17) 當寫這個寄存器時,相應的操作就會被執(zhí)行。command寄存器只能寫,定義如圖12所示。 圖12 command寄存器 ● cmdtype:只寫,命令類型,0為表示訪問寄存器,1表示快速訪問,2表示訪問內(nèi)存。 ● control:只寫,不同的命令類型有不同的含義,說明如下。 當cmdtype為0時,control定義如圖13所示。 圖13 訪問寄存器 ● cmdtype:值為0。 ● aarsize:2表示訪問寄存器的最低32位,3表示訪問寄存器的最低64位,4表示訪問寄存器的最低128位。如果大于實際寄存器的大小則此次訪問是失敗的。 ● aarpostincrement:1表示成功訪問寄存器后自動增加regno的值。 ● postexec:1表示執(zhí)行progbuf里的內(nèi)容(指令)。 ● transfer:0表示不執(zhí)行write指定的操作,1表示執(zhí)行write指定的操作。 ● write:0表示從指定的寄存器拷貝數(shù)據(jù)到arg0指定的data寄存器。1表示從arg0指定的data寄存器拷貝數(shù)據(jù)到指定的寄存器。 ● regno:要訪問的寄存器。 綜上,可知: Ⅰ. 當write=0,transfer=1時,從regno指定的寄存器拷貝數(shù)據(jù)到arg0對應的data寄存器。 Ⅱ. 當write=1,transfer=1時,從arg0對應的data寄存器拷貝數(shù)據(jù)到regno指定的寄存器。 Ⅲ. 當aarpostincrement=1時,將regno的值加1。 Ⅳ. 當postexec=1時,執(zhí)行progbuf寄存器里的指令。 arg對應的data寄存器如圖14所示。 圖14 arg對應的data寄存器 即當訪問的寄存器位數(shù)為32位時,arg0對應data0寄存器,arg1對應data1寄存器,arg2對應data2寄存器。 當cmdtype為1時,control定義如圖15所示。 圖15 快速訪問 ● cmdtyte:值為1。 此命令會執(zhí)行以下操作: 1)halt住當前hart。 2)執(zhí)行progbuf寄存器里的指令。 3)resume當前hart。 當cmdtype為2時,control定義如圖16所示。 圖16 訪問內(nèi)存 ● cmdtype:值為2。 ● aamvirtual:0表示訪問的是物理地址,1表示訪問的是虛擬地址。 ● aamsize:0表示訪問內(nèi)存的低8位,1表示訪問內(nèi)存的低16位,2表示訪問內(nèi)存的低32位,3表示訪問內(nèi)存的低64位,4表示訪問內(nèi)存的低128位。 ● aampostincrement:1表示訪問成功后,將arg1對應的data寄存器的值加上aamsize對應的字節(jié)數(shù)。 ● write:0表示從arg1指定的地址拷貝數(shù)據(jù)到arg0指定的data寄存器,1表示從arg0指定的data寄存器拷貝數(shù)據(jù)到arg1指定的地址。 ● target-specific:保留。 綜上,可知: Ⅰ. 當write=0時,從arg1指定的地址拷貝數(shù)據(jù)到arg0指定的data寄存器。 Ⅱ. 當write=1時,從arg0指定的data寄存器拷貝數(shù)據(jù)到arg1指定的地址。 Ⅲ. 當aampostincrement=1時,增加arg1對應的data寄存器的值。 ⑥ 系統(tǒng)總線訪問控制和狀態(tài)寄存器(sbcs,0x38) sbcs寄存器定義如圖17所示。 圖17 sbcs寄存器 ● sbversion:只讀,0表示system bus是2018.1.1之前的版本,1表示當前debug spec的版本,即0.13版本。 ● sbbusyerror:只讀,寫1清零,當debugger要進行system bus訪問操作時,如果上一次的system bus訪問還在進行中,此時會置位該位。 ● sbbusy:只讀,1表示system bus正在忙。在進行system bus訪問前必須確保該位為0。 ● sbreadonaddr:可讀可寫,1表示每次往sbaddress0寄存器寫數(shù)據(jù)時,將會自動觸發(fā)system bus從新的地址讀取數(shù)據(jù)。 ● sbaccess:可讀可寫,訪問的數(shù)據(jù)寬度,0表示8位,1表示16位,2表示32位,3表示64位,4表示128位。 ● sbautoincrement:可讀可寫,1表示每次system bus訪問后自動將sbaddress的值加上sbaccess的大小(字節(jié))。 ● sbreadondata:可讀可寫,1表示每次從sbdata0寄存器讀數(shù)據(jù)后將自動觸發(fā)system bus從新的地址讀取數(shù)據(jù)。 ● sberror:可讀,寫1清零,0表示無錯誤,1表示超時,2表示訪問地址錯誤,3表示地址對齊錯誤,4表示訪問大小錯誤,7表示其他錯誤。 ● sbasize:只讀,system bus地址寬度(位數(shù)),0表示不支持system bus訪問。 ● sbaccess128:只讀,1表示system bus支持128位訪問。 ● sbaccess64:只讀,1表示system bus支持64位訪問。 ● sbaccess32:只讀,1表示system bus支持32位訪問。 ● sbaccess16:只讀,1表示system bus支持16位訪問。 ● sbaccess8:只讀,1表示system bus支持8位訪問。 ⑦ 系統(tǒng)總線地址0寄存器(sbaddress0,0x39) 可讀可寫,如果sbcs寄存器中的sbasize的值為0,那么此寄存器可以不用實現(xiàn)。 當寫該寄存器時,會執(zhí)行以下流程: Ⅰ. 設置sbcs.sbbusy的值為1。 Ⅱ. 從新的sbaddress地址讀取數(shù)據(jù)。 Ⅲ. 如果讀取成功并且sbcs.sbautoincrement的值為1,則增加sbaddress的值。 Ⅳ. 設置sbcs.sbbusy的值為0。 ⑧ 系統(tǒng)總線數(shù)據(jù)0寄存器(sbdata0,0x3c) 可讀可寫,如果sbcs寄存器中的所有sbaccessxx的值都為0,那么此寄存器可以不用實現(xiàn)。 當寫該寄存器時,會執(zhí)行以下流程: Ⅰ. 設置sbcs.sbbusy的值為1。 Ⅱ. 將sbdata的值寫到sbaddress指定的地址。 Ⅲ. 如果寫成功并且sbcs.sbautoincrement的值為1,則增加sbaddress的值。 Ⅳ. 設置sbcs.sbbusy的值為0。 當讀該寄存器時,會執(zhí)行以下流程: Ⅰ. 準備返回讀取的數(shù)據(jù)。 Ⅱ. 設置sbcs.sbbusy的值為1。 Ⅲ. 如果sbcs.sbautoincrement的值為1,則增加sbaddress的值。 Ⅳ. 如果sbcs.sbreadondata的值為1,則開始下一次讀操作。 Ⅴ. 設置sbcs.sbbusy的值為0。 三、RISC-V調(diào)試上位機分析 RISC-V官方支持的調(diào)試器上位機是openocd。openocd是地表最強大(沒有之一)的開源調(diào)試上位機,支持各種target(ARM(M、A系列)、FPGA、RISC-V等),支持各種調(diào)試器(Jlink、CMSIS-DAP、FTDI等),支持JTAG和SWD接口。 這里不打算詳細分析整個openocd的實現(xiàn),只是重點關(guān)注針對RISC-V平臺的初始化、讀寫寄存器和讀寫內(nèi)存這幾個流程。 1>openocd啟動過程 openocd啟動時需要通過-f參數(shù)制定一個cfg文件,比如: openocd.exe -f riscv.cfg riscv.cfg文件的內(nèi)容如下: adapter_khz1000 reset_config srst_only adapter_nsrst_assert_width 100 interface cmsis-dap transport select jtag set _CHIPNAME riscv jtag newtap $_CHIPNAME cpu -irlen 5 -expected-id 0x1e200a6d set _TARGETNAME $_CHIPNAME.cpu target create $_TARGETNAME riscv -chain-position $_TARGETNAME ■ 第一行設置TCK的時鐘為1000KHz。 ■ 第二行表示不支持通過TRST引腳復位,只支持TMS為高電平并持續(xù)5個TCK時鐘這種方式的復位。 ■ 第三行是復位持續(xù)的延時。 ■ 第四行指定調(diào)試器為CMSIS-DAP。 ■ 第五行指定調(diào)試接口為JTAG。 ■ 第六行指定調(diào)試的target類型為riscv。 ■ 第七行指定生成一個IR寄存器長度為5位、IDCODE為0x1e200a6d的JTAG TAP。 ■ 第八、九行指定生成一個riscv target。 openocd啟動時的主要流程如圖18所示。 圖18 openocd啟動流程 下面重點關(guān)注一下examine target這個流程。 這里的target是指riscv,對于riscv,首先會讀取dtmcontrol這個寄存器,因為openocd支持0.11和0.13版本的DTM,通過這個寄存器可以知道當前調(diào)試的DTM是哪一個版本。這里選擇0.13版本來分析。通過讀取dtmcontrol,還可以知道idle、abits這些參數(shù)。接下來會將dmcontrol這個寄存器的dmactive域?qū)?后再寫1來復位DM模塊。接下來再讀取dmstatus,判斷version域是否為2。接下來還會讀取sbcs和abstractcs寄存器,最后就是初始化每一個hart的寄存器。 2>read register過程 讀寄存器時,先構(gòu)建command寄存器的內(nèi)容,首先將cmdtype的值設為0,aarsize的值設為2(寄存器的寬度為32位),transfer的值設為1,regno的值設為要讀的寄存器的number,其他值設為0,然后寫到command寄存器里。然后一直讀取abstractcs寄存器,直到abstractcs寄存器的busy位為0或者超時。然后再判斷abstractcs寄存器的cmderr的值是否為0,如果不為0則表示此次讀取寄存器失敗,如果為0則繼續(xù)讀取data0寄存器,這樣就可以得到想要讀的寄存器的值。 3>write register過程 寫寄存器時,先將需要寫的值寫到data0寄存器,然后構(gòu)建command寄存器的內(nèi)容,首先將cmdtype的值設為0,aarsize的值設為2(寄存器的寬度為32位),transfer的值設為1,write的值設為1,regno的值設為要寫的寄存器的number,其他值設為0,然后寫到command寄存器里。然后一直讀取abstractcs寄存器,直到abstractcs寄存器的busy位為0或者超時。然后再判斷abstractcs寄存器的cmderr的值是否為0,如果不為0則表示此次寫寄存器失敗,如果為0則表示寫寄存器成功。 4>read memory過程 如果progbufsize的值大于等于2,則會優(yōu)先使用通過執(zhí)行指令的方式來讀取內(nèi)存。這里不分析這種方式,而是分析使用system bus的方式。通過前面的分析可知,system bus有兩個版本V0和V1,這里以V1版本來說明。 先將sbcs寄存器的sbreadonaddr的值設為1,sbaccess的值設為2(32位),然后將要讀內(nèi)存的地址寫入sbaddress0寄存器。接著讀sbdata0寄存器,最后讀sbcs寄存器,如果其中的sbbusy、sberror和sbbusyerror都為0,則從sbdata0讀取到的內(nèi)容就是要讀的內(nèi)存的值。 5>write memory過程 和read memory類似,同樣以V1版本來說明。 先將要寫的內(nèi)存地址寫到sbaddress0寄存器,然后將要寫的數(shù)據(jù)寫到data0寄存器,最后讀sbcs寄存器,如果其中的sbbusy、sberror和sbbusyerror都為0,則此次寫內(nèi)存成功。 四、RISC-V JTAG的實現(xiàn) 通過在STM32F103C8T6上實現(xiàn)(模擬)RISC-V調(diào)試標準,進一步加深對RISC-V JTAG調(diào)試的理解。 使用STM32的四個GPIO作為JTAG信號的四根線,其中TCK所在的引腳設為外部中斷,即上升沿和下降沿觸發(fā)方式,實現(xiàn)了可以通過openocd以RISC-V的調(diào)試標準來訪問STM32的寄存器和內(nèi)存。程序流程如圖19所示。 圖19 JTAG實現(xiàn)的程序流程 五、參考資料 1、在STM32上模擬RISC-V JTAG的實現(xiàn):stm32_riscv_jtag_slave 2、一個從零開始寫的易懂的RISC-V處理器核:tinyriscv
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    的頭像 發(fā)表于 10-12 18:13 ?257次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 09-11 17:42 ?343次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 05-09 08:10 ?2.3w次閱讀
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    深入淺出地探討CCS充電標準的基本原理

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