RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

離子注入機(jī)的簡易原理圖

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-04-18 11:31 ? 次閱讀

原文作者:Tom

本文介紹了離子注入機(jī)的相關(guān)原理。

離子注入機(jī)的原理是什么?

dbde7b32-fcaf-11ee-a297-92fbcf53809c.png

上圖是離子注入機(jī)的簡易原理圖,各部件作用依次為:

Ion Source(離子源):通過將氣體電離,產(chǎn)生所需的離子類型。 Extraction Voltage(抽取電壓):將產(chǎn)生的離子從源中抽取出來。 Ion Electrode(離子電極):形成和控制離子束。 Analyzing Magnet(分析磁鐵):用于分離出不同荷質(zhì)比的離子,確保只有所需荷質(zhì)比的離子進(jìn)入加速器。 Mass Separation Slit(質(zhì)量分離縫隙):通過分析磁鐵后所允許的離子的特定荷質(zhì)比范圍。 Acceleration Column(加速柱):離子繼續(xù)加速到所需的最終能量。 Deflector(偏轉(zhuǎn)器):用于調(diào)整離子束的路徑,以確保離子精確地打到靶材料上。 Magnetic Quadrupole Lenses(磁性四極透鏡):用于聚焦離子束,提高注入的精確性。 Electronic Scanning(電子掃描):控制離子束在靶材料表面的掃描模式,確保均勻注入。 Sample (Base Material)(樣品(基材)):即靶材料,也就是離子要注入的半導(dǎo)體材料。

審核編輯:黃飛

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 離子束
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    31

    瀏覽量

    7474

原文標(biāo)題:離子注入機(jī)的原理介紹

文章出處:【微信號(hào):bdtdsj,微信公眾號(hào):中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    SiC的離子注入工藝及其注意事項(xiàng)

    離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 11:09 ?313次閱讀

    源漏離子注入工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝,降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻,提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接觸的有源區(qū),或者n型和p型有源區(qū)電阻,以及n型和p型多晶硅電阻。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 10:04 ?294次閱讀
    源漏<b class='flag-5'>離子注入</b>工藝的制造流程

    萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通半導(dǎo)體:離子注入機(jī)基本自主可控!

    科學(xué)研究院等離子體物理研究所,元禾璞華投資管理有限公司,以及眾多國內(nèi)集成電路零部件企業(yè)共同參與了此次盛會(huì)。通過簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,各方將聯(lián)合推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)學(xué)研合作,促進(jìn)上游零部件企業(yè)一體化發(fā)展,進(jìn)而幫助下游用戶解決本土芯片制造的連續(xù)性挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 18:03 ?351次閱讀

    華瑞微電子科技榮獲離子注入機(jī)專利

    該專利揭示了一款專用于集成電路生產(chǎn)線的離子注入機(jī),屬于半導(dǎo)體加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該設(shè)備主要由支撐框架、離子注入機(jī)構(gòu)、照射箱組件和擾流機(jī)構(gòu)組成,同時(shí)配備吸塵除塵組件。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 10:06 ?472次閱讀
    華瑞微電子科技榮獲<b class='flag-5'>離子注入機(jī)</b>專利

    日本住友重工將推出SiC離子注入機(jī)

    住友重工離子技術(shù)公司,作為住友重工的子公司,計(jì)劃在2025年向市場推出專為碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的離子注入機(jī)。SiC制程雖與硅生產(chǎn)線有諸多相似之處,但由于其高硬度等獨(dú)特性質(zhì),對(duì)生產(chǎn)設(shè)備提出了特殊要求。
    的頭像 發(fā)表于 05-20 14:31 ?1137次閱讀

    住友重工2025年擬推碳化硅離子注入機(jī)

    盡管SiC制造過程中的多數(shù)設(shè)備與常規(guī)硅類通用,但因其具備高硬度特性,需要專屬設(shè)備支持,包括高級(jí)別的高溫離子注入機(jī)、強(qiáng)效的碳膜濺射儀以及大規(guī)模的高溫退火爐等。其中,能否擁有高溫離子注入機(jī)被視為衡量SiC生產(chǎn)線水平的關(guān)鍵指標(biāo)。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 09:47 ?758次閱讀

    SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

    碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅器件
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:49 ?1200次閱讀
    SiC與GaN 功率器件中的<b class='flag-5'>離子注入</b>技術(shù)挑戰(zhàn)

    凱世通交付首臺(tái)面向CIS的大束流離子注入機(jī)

    據(jù)了解,到2024年第一季度為止,該公司已陸續(xù)向多個(gè)特定客戶發(fā)出了多個(gè)離子注入機(jī)訂單,單季度就完成了八臺(tái)離子注入機(jī)的客戶端上線工作,呈現(xiàn)出迅猛增長的發(fā)展態(tài)勢,取得了良好開局。
    的頭像 發(fā)表于 03-30 09:34 ?723次閱讀

    介紹離子注入在電容極板和濕法腐蝕自停止技術(shù)上的應(yīng)用

    在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關(guān)中,離子注入均有應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 02-23 10:47 ?848次閱讀
    介紹<b class='flag-5'>離子注入</b>在電容極板和濕法腐蝕自停止技術(shù)上的應(yīng)用

    什么是離子注入?離子注入的應(yīng)用介紹

    離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度,相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:23 ?5057次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>離子注入</b>?<b class='flag-5'>離子注入</b>的應(yīng)用介紹

    一文解析離子注入的溝道效應(yīng)

    什么是溝道效應(yīng)? 溝道效應(yīng)是指在晶體材料中,注入離子沿著晶體原子排列較為稀疏的方向穿透得比預(yù)期更深的現(xiàn)象。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:19 ?3537次閱讀
    一文解析<b class='flag-5'>離子注入</b>的溝道效應(yīng)

    離子注入中的劑量和濃度之間有何關(guān)系呢?

    對(duì)器件設(shè)計(jì)工程師來講,離子注入的濃度往往是需要關(guān)心的參數(shù),什么樣的濃度對(duì)應(yīng)什么樣的方阻,器件仿真參數(shù)輸入的是濃度,通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關(guān)系。
    的頭像 發(fā)表于 01-26 13:37 ?2895次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入</b>中的劑量和濃度之間有何關(guān)系呢?

    離子注入涉及到的隧道效應(yīng)為什么需要7°角?

    隧道效應(yīng),又稱溝道效應(yīng),對(duì)晶圓進(jìn)行離子注入時(shí),當(dāng)注入離子的方向與晶圓的某個(gè)晶向平行時(shí),其運(yùn)動(dòng)軌跡將不再是無規(guī)則的碰撞,而是將沿溝道(原子之間的縫隙)運(yùn)動(dòng)并且很少受到原子核的碰撞
    的頭像 發(fā)表于 01-08 10:25 ?1499次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入</b>涉及到的隧道效應(yīng)為什么需要7°角?

    原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入的相關(guān)原理及其區(qū)別介紹

    半導(dǎo)體改變電阻率的方式有三種,原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入,這三種方式分別過程如何,有何區(qū)別呢?
    的頭像 發(fā)表于 01-05 18:21 ?4972次閱讀
    原位摻雜、擴(kuò)散和<b class='flag-5'>離子注入</b>的相關(guān)原理及其區(qū)別介紹

    萬業(yè)企業(yè)助推凱世通獲得批量采購訂單

    據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,凱世通長期專注于該行業(yè),產(chǎn)品已應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、功率等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。他們所生產(chǎn)的低能大束流離子注入機(jī)和高能離子注入機(jī)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化突破,無論是工藝覆蓋面,還是良品率,甚至產(chǎn)能,都處于業(yè)界領(lǐng)先位置
    的頭像 發(fā)表于 12-25 10:40 ?627次閱讀
    RM新时代网站-首页