5月8日,天風(fēng)國(guó)際證券分析師郭明錤發(fā)布最新預(yù)測(cè)消息稱(chēng),英偉達(dá)下一代人工智能芯片R系列/R100將于2025年第四季度開(kāi)始量產(chǎn),預(yù)計(jì)于2026年上半年實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)/機(jī)柜方案量產(chǎn)。
據(jù)悉,R100將運(yùn)用臺(tái)積電的N3制程技術(shù)及CoWoS-L封裝技術(shù),與之前推出的B100保持一致。同時(shí),R100有望搭載8顆HBM4存儲(chǔ)芯片,以滿(mǎn)足高性能計(jì)算需求。
針對(duì)AI服務(wù)器能耗問(wèn)題,英偉達(dá)已認(rèn)識(shí)到這是CSP/Hyperscale采購(gòu)和數(shù)據(jù)中心建設(shè)面臨的主要挑戰(zhàn)之一。因此,在R系列芯片和系統(tǒng)方案的設(shè)計(jì)過(guò)程中,除了提高AI算力之外,節(jié)能降耗也是重要考慮因素。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
臺(tái)積電
-
封裝技術(shù)
-
存儲(chǔ)芯片
-
HBM4
相關(guān)推薦
有消息說(shuō)提前到2025年。其他兩家三星電子和美光科技的HBM4的量產(chǎn)時(shí)間在2026年。英偉
發(fā)表于 07-28 00:58
?4915次閱讀
正在積極考慮從三星采購(gòu)8層和12層的HBM3E存儲(chǔ)芯片。這一新型存儲(chǔ)芯片以其卓越的性能和高效的能源利用,備受業(yè)界矚目。英偉
發(fā)表于 11-26 10:22
?181次閱讀
日,英偉達(dá)(NVIDIA)的主要高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源透露,英偉達(dá)執(zhí)
發(fā)表于 11-05 14:22
?403次閱讀
近日,韓國(guó)SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)透露了一項(xiàng)重要信息,即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項(xiàng)特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個(gè)月供應(yīng)其下一代高帶寬內(nèi)存芯片,這款芯片被命名
發(fā)表于 11-05 10:52
?325次閱讀
韓國(guó)大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長(zhǎng)崔泰源在周一的采訪(fǎng)中透露,英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲(chǔ)芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個(gè)月推出下一代高帶寬存儲(chǔ)產(chǎn)品
發(fā)表于 11-04 16:17
?558次閱讀
三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實(shí)現(xiàn)12層HBM4產(chǎn)品的
發(fā)表于 08-22 17:19
?649次閱讀
據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的HBM市場(chǎng)報(bào)告,隨著AI芯片技術(shù)的不斷迭代升級(jí),單一芯片所能搭載的HBM(高帶寬內(nèi)存)容量正顯著增長(zhǎng)
發(fā)表于 08-09 17:45
?697次閱讀
根據(jù)TrendForce最新發(fā)布的HBM市場(chǎng)研究報(bào)告,隨著人工智能(AI)芯片技術(shù)的持續(xù)迭代升級(jí),單顆芯片所集成的
發(fā)表于 08-09 15:51
?389次閱讀
瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè),S
發(fā)表于 05-30 10:27
?787次閱讀
在近日舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)積電透露了關(guān)于HBM4基礎(chǔ)芯片制造的新進(jìn)展。據(jù)悉,未來(lái)HBM4將采用邏輯制程進(jìn)行生產(chǎn),臺(tái)積電計(jì)劃使用其N(xiāo)12和N5制程的改良版來(lái)完成這一任務(wù)。
發(fā)表于 05-21 14:53
?727次閱讀
據(jù)天風(fēng)證券分析師郭明錤預(yù)測(cè),英偉達(dá)將在2025年第四季度開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)AI芯片
發(fā)表于 05-08 11:19
?508次閱讀
1. 郭明錤:預(yù)計(jì)英偉達(dá)下一代 AI 芯片 R 系列
發(fā)表于 05-08 11:03
?1601次閱讀
SK海力士宣布,計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本
發(fā)表于 05-06 15:10
?466次閱讀
英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計(jì)劃從后者采購(gòu)高帶寬存儲(chǔ)(HBM)芯片。HBM作為人工智能
發(fā)表于 03-25 11:42
?728次閱讀
英偉達(dá)下一代H200圖形處理器將采用美光HBM3E芯片,預(yù)計(jì)于今年第2季交付,有望超越現(xiàn)有的H100芯片
發(fā)表于 02-27 09:33
?681次閱讀
評(píng)論