總投資200億元，武漢長飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項目迎來新進(jìn)展
據(jù)中建一局官微消息，近日，國內(nèi)最大的SIC功率半導(dǎo)體制造基地——武漢長飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項目成功完成首榀桁架吊裝，標(biāo)志著項目鋼結(jié)構(gòu)施工全面展開，助力武漢打造世界級化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。
據(jù)悉，長飛先進(jìn)武漢基地項目位于湖北省武漢市，總投資200億元。其中，一期已于2023年9月開工，預(yù)計今年6月封頂，2025年上半年形成產(chǎn)能。完工后將成為國內(nèi)碳化硅產(chǎn)能前列，集產(chǎn)品設(shè)計、外延生長、晶圓制造、封裝測試于一體，且全智能化的世界一流碳化硅器件制造標(biāo)桿工廠。建成后預(yù)計年產(chǎn)6英寸碳化硅MOSFET及晶圓36萬片、功率器件模塊6100萬個，將廣泛覆蓋新能源汽車、光伏、儲能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。
長飛先進(jìn)董事長莊丹曾表示，該項目建成后，將促進(jìn)設(shè)備、材料、設(shè)計、制造、封裝、測試等產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力合作，吸引世界級碳化硅半導(dǎo)體高端人才來武漢就業(yè)創(chuàng)業(yè)，助力形成創(chuàng)新活躍、要素齊全、開放協(xié)同的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
審核編輯 黃宇
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