第四代 600 V E 系列功率 MOSFET

RDS(ON)*QgFOM達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平

第四代器件，額定功率和功率密度高于D2PAK 封裝產(chǎn)品

降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而提升能效

Vishay推出首款采用新型PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效的高功率密度解決方案。

與前代器件相比，Vishay Siliconix n 溝道SiHR080N60E導(dǎo)通電阻降低27%，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）下降60 %，額定電流高于D2PAK封裝器件，同時(shí)減小占位面積。

Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進(jìn)高科技設(shè)備。

隨著SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600V E系列器件的發(fā)布，Vishay可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)初期滿足提高能效和功率密度兩方面的要求—包括功率因數(shù)校正（PFC）和后面的DC / DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。典型應(yīng)用包括服務(wù)器、邊緣計(jì)算、超級(jí)計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、UPS、高強(qiáng)度放電（HID）燈和熒光鎮(zhèn)流器、通信SMPS、太陽能逆變器、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及電池充電器。

SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8 LR封裝，外形尺寸為10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面積比D2PAK封裝減小50.8 %，高度降低66 %。由于封裝采用頂側(cè)冷卻，因此具有出色的熱性能，結(jié)殼（漏極）熱阻僅為0.25 °C / W。相同導(dǎo)通電阻下，額定電流比D2PAK封裝高46 %，從而顯著提高功率密度。此外，封裝的鷗翼引線結(jié)構(gòu)具有優(yōu)異的溫度循環(huán)性能。

SiHR080N60E采用Vishay先進(jìn)的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)，10 V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.074 Ω，超低柵極電荷下降到42nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，這些性能參數(shù)意味著降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能并提高2 kW以上電源系統(tǒng)的效率。日前發(fā)布的MOSFET有效輸出電容Co(er) 和Co(tr)典型值分別僅為79 pF和499 pF，有助于改善硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開關(guān)性能，如PFC、半橋和雙開關(guān)順向設(shè)計(jì)。封裝還提供開爾文（Kelvin）連接，以提高開關(guān)效率。

器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，耐受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測(cè)試。

審核編輯：劉清