截至2024年5月14日，上海維安半導體有限公司的“一種基于錯位觸發(fā)的可控硅保護器件”發(fā)明專利正式公之于眾，其申請公開編號為CN118039639A。

該項技術創(chuàng)新結合了至少一個插指單元，每個單元的核心組件包括：襯底及在襯底一表面上生成的外延層；第一N型阱區(qū)和P型阱區(qū)，分別在外延層內形成；第一N+區(qū)和第一P+區(qū)，分別在第一N型阱區(qū)內生成，且第一P+區(qū)與第一N+區(qū)電性相連，構成了保護器件的陽極；第三N+區(qū)，在P型阱區(qū)內生成，其電性輸出端則作為保護器件的陰極；第二N+區(qū)和第二P+區(qū)，同樣在外延層內生成，其中第二P+區(qū)位于第一N型阱區(qū)遠離P型阱區(qū)的一側，并與第二N+區(qū)直接接觸。此設計的優(yōu)勢在于，通過將導通路徑與觸發(fā)路徑分離開來，顯著提升了器件的穩(wěn)定性和可靠性。