RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

納微半導(dǎo)體將攜下一代高功率、高可靠性功率半導(dǎo)體亮相PCIM 2024

納微芯球 ? 來源:納微芯球 ? 2024-05-24 15:37 ? 次閱讀

為快充、功率轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)能、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用,打造最安全、最高效、最可靠的功率器件的最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)即將閃耀全球頂尖的電力電子盛會(huì)

加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)誠邀觀眾參加6月11日-13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“納微芯球”展臺(tái),親自探索下一代行業(yè)領(lǐng)先的氮化鎵和碳化硅方案如何在20W-20MW的快速增長(zhǎng)市場(chǎng)和應(yīng)用中提供卓越性能。

作為“電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)”領(lǐng)域的專業(yè)盛會(huì),PCIM今年步入第二十五個(gè)年頭,憑借著多年來持續(xù)為電力電子的行業(yè)專家提供國際化交流和展示平臺(tái)而享譽(yù)全球。

秉承著“Electrify Our World”的使命,納微半導(dǎo)體誠邀觀眾探索“納微芯球”展臺(tái),了解下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)如何為電氣化交通運(yùn)輸、AI數(shù)據(jù)中心工業(yè)壓縮機(jī),馬達(dá)和機(jī)器人技術(shù)、可再生能源開發(fā)和存儲(chǔ)提供最新的解決方案。每件展品都強(qiáng)調(diào)了如便攜性提高、續(xù)航里程更長(zhǎng)、充電速度更快和電網(wǎng)獨(dú)立性等對(duì)終端用戶帶來的顯著優(yōu)勢(shì),以及低碳的氮化鎵和碳化硅技術(shù)如何在2050年實(shí)現(xiàn)每年減少超過60億噸的二氧化碳排放。

納微半導(dǎo)體歐洲區(qū)銷售高級(jí)總監(jiān)Alessandro Squeri

“PCIM是電力電子行業(yè)的年度大事件之一。性能互補(bǔ)的GaNFast和GeneSiC產(chǎn)品組合,結(jié)合全面的、針對(duì)特定應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計(jì)支持,通過可持續(xù)的性能優(yōu)勢(shì)有效加速客戶的產(chǎn)品上市時(shí)間。

納微展臺(tái)即將展示一批令人振奮的最新氮化鎵和碳化硅應(yīng)用,這些應(yīng)用的在研客戶價(jià)值達(dá)16億美元,是高達(dá)220億美元/年的市場(chǎng)機(jī)遇的重點(diǎn)部分?!?/p>

在PCIM 2024上,納微半導(dǎo)體帶來以下最新技術(shù)

安全、可靠的大功率旗艦GaNSafe寬禁帶平臺(tái)

創(chuàng)下集成度新高度的第四代GaNSense Half-Bridge半橋氮化鎵功率芯片

為電機(jī)驅(qū)動(dòng)和能量存儲(chǔ)應(yīng)用帶來顛覆性改變的第三代快速GeneSiC功率FETs。

同時(shí),納微半導(dǎo)體還將在PCIM 2024上帶來經(jīng)行業(yè)評(píng)審后的精彩技術(shù)分享,包括:

演講

SESSION

“Low-Cost High-Density 300 W / 20 V AC-DC Converter Enabled by GaN Power ICs”

時(shí)間與地點(diǎn):

6月11日,13:00 – 14:30,10.1廳

演講者:

Alfred Hesener,納微半導(dǎo)體工業(yè)應(yīng)用高級(jí)總監(jiān)

摘要:

該報(bào)告將分享一種300W的高功率密度、低成本AC-DC轉(zhuǎn)換器,其體積僅270cc,峰值效率> 96%。其電路拓?fù)浒ㄒ粋€(gè)兩相交錯(cuò)式PFC輸入級(jí),一個(gè)LLC DC-DC級(jí)和一個(gè)同步整流輸出級(jí)?;诘壒β市酒瓦\(yùn)行在300 kHz的通用控制器全新設(shè)計(jì),在裝殼后可實(shí)現(xiàn)1.1W/cc的功率密度。

論文

PAPER

Evaluation of SiC Devices for Over 500 kHz Application Based on Buck Circuit

時(shí)間與地點(diǎn):

6月12日,15:30 – 17:00,前廳

作者:

賈民立,納微半導(dǎo)體高級(jí)主任應(yīng)用工程師

摘要:

本文選擇了三個(gè)規(guī)格相似、制造商不同的1200V碳化硅器件進(jìn)行分析和實(shí)驗(yàn)研究,并設(shè)計(jì)了一個(gè)輸出功率為3.6kW、開關(guān)頻率為600 kHz的降壓轉(zhuǎn)換器。在相同的工作條件下測(cè)試了這三種碳化硅器件的效率和熱,結(jié)果表明具有快速開關(guān)特性和低熱阻的碳化硅器件更適合在高頻轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,GeneSiC 的碳化硅器件是其中的代表。

PCIM 2024將于6月11日-13日在德國紐倫堡展覽中心(Messe Karl-Sch?nleben-Str. Messeplatz 1, 90471 Nürnberg, Germany)盛大舉辦,“納微芯球”展臺(tái)位于9號(hào)館,展位號(hào)544,歡迎大家蒞臨展臺(tái)參觀交流。



審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 降壓轉(zhuǎn)換器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    1536

    瀏覽量

    86403
  • 功率半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    22

    文章

    1150

    瀏覽量

    42950
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2748

    瀏覽量

    49017
  • 納微半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    128

    瀏覽量

    19991

原文標(biāo)題:納微半導(dǎo)體將攜下一代高功率、高可靠性功率半導(dǎo)體亮相PCIM 2024

文章出處:【微信號(hào):納微芯球,微信公眾號(hào):納微芯球】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    半導(dǎo)體邀您相約CES 2025

    近日, 唯全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 12-09 11:50 ?320次閱讀

    第六屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2024

    2024ST工業(yè)峰會(huì)簡(jiǎn)介 第六屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2024 即將啟程!在為期整天的活動(dòng)中,您將探索意法半導(dǎo)體核心技術(shù),實(shí)現(xiàn)突破
    發(fā)表于 10-16 17:18

    安世半導(dǎo)體多款先進(jìn)產(chǎn)品和解決方案亮相PCIM Asia 2024

    8月28日至30日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商安世半導(dǎo)體PCIM Asia 2024展會(huì)上大放異彩,展示了其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新成果。此次參展,安世
    的頭像 發(fā)表于 09-03 14:40 ?573次閱讀

    總投資約30億元 高可靠性功率半導(dǎo)體器件集成電路IDM項(xiàng)目簽約宜興

    來源:宜興發(fā)布 7月16日,總投資約30億元的高可靠性功率半導(dǎo)體器件集成電路IDM項(xiàng)目在江蘇省宜興市正式簽約。 此次簽約的高可靠性
    的頭像 發(fā)表于 07-18 17:55 ?988次閱讀
    總投資約30億元 <b class='flag-5'>高可靠性</b><b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件集成電路IDM項(xiàng)目簽約宜興

    半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充

    加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 06-21 14:45 ?1480次閱讀

    安建半導(dǎo)體亮相PCIM Europe 2024,展示功率半導(dǎo)體創(chuàng)新實(shí)力

    近日,安建半導(dǎo)體作為在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有盛譽(yù)的高技術(shù)領(lǐng)先企業(yè),成功登陸歐洲最高質(zhì)量的電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會(huì)——PCIM Europe,在德國紐倫堡向世界展示了其最新的創(chuàng)新成果。
    的頭像 發(fā)表于 06-14 16:47 ?778次閱讀

    半導(dǎo)體亮相PCIM 2024,展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)

    在電力電子領(lǐng)域,半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參
    的頭像 發(fā)表于 05-30 14:43 ?606次閱讀

    功率半導(dǎo)體廠商半導(dǎo)體2024年第季度收入業(yè)績(jī)同比增長(zhǎng)達(dá)73%

    系統(tǒng)的集成度、易用、上市速度和可制,相較傳統(tǒng)硅基方案進(jìn)步降低系統(tǒng)成本。 加利福尼亞州托倫斯2024年5月9日訊?—?下一代
    的頭像 發(fā)表于 05-10 18:35 ?1629次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>廠商<b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>2024</b>年第<b class='flag-5'>一</b>季度收入業(yè)績(jī)同比增長(zhǎng)達(dá)73%

    第三SiC功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)介紹

    第三SiC功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)KC-3105。該系統(tǒng)憑借高效精準(zhǔn)、可靈活定制、實(shí)時(shí)保存測(cè)試結(jié)果并生成報(bào)告、安全防護(hù)等優(yōu)秀性能。嚴(yán)格遵循《AQG 324機(jī)動(dòng)車輛電力電子轉(zhuǎn)換器單
    發(fā)表于 04-23 14:37 ?4次下載

    半導(dǎo)體即將亮相亞洲充電展

    半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者,近日宣布
    的頭像 發(fā)表于 03-16 09:40 ?773次閱讀

    半導(dǎo)體發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

    氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn),下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升 加利福尼亞州托倫斯2024年3月11日訊 — 唯
    發(fā)表于 03-13 13:48 ?577次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

    半導(dǎo)體GaNFas和GeneSi技術(shù)亮相APEC 2024

    近日,備受矚目的電力電子行業(yè)年度盛會(huì)——APEC 2024(國際電力電子應(yīng)用展覽會(huì))在加利福尼亞州長(zhǎng)灘成功閉幕。這場(chǎng)盛會(huì)匯聚了全球電力電子領(lǐng)域的精英,共同探討和展示行業(yè)的最新技術(shù)和應(yīng)用。作為下一代
    的頭像 發(fā)表于 03-12 09:30 ?595次閱讀

    半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”

    加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 02-22 11:42 ?782次閱讀

    十載征程,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

    功率半導(dǎo)體行業(yè),半導(dǎo)體以其對(duì)氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新,贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:50 ?747次閱讀

    半導(dǎo)體與欣銳科技聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌

    半導(dǎo)體,作為全球唯全面專注于下一代功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 01-30 11:08 ?774次閱讀
    RM新时代网站-首页