RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

可降低功耗的內(nèi)置SiC二極管的IGBT

h1654156079.7959 ? 來源:h1654156079.7959 ? 作者:h1654156079.7959 ? 2024-06-03 11:13 ? 次閱讀

在現(xiàn)代社會,工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動和廠房的運轉(zhuǎn)等都會消耗大量的能源。然而,近年來,全球眾多國家和地區(qū)加快了實現(xiàn)碳中和的進程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超出以往任的努力來應(yīng)對去碳化。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城

2021年末召開的“聯(lián)合國氣候變化框架公約第26次締約方大會(COP26)”達成了“努力將全球平均氣溫升幅限制在工業(yè)革命前水平的1.5℃以內(nèi)”的決議文件(圖1)。決議文件將6年前《巴黎協(xié)定》中1.5℃的“努力目標”升級為“必達目標”,“我們國家很難從化石燃料轉(zhuǎn)向可再生能源,希望延緩實現(xiàn)目標”之類的借口不再適用。未來,各國政府應(yīng)該會陸續(xù)出臺減少溫室氣體(GHG)排放的具體政策和法規(guī)。特別是目前排放大量二氧化碳的汽車和工廠的生產(chǎn)活動,很可能成為需要減排的主要目標。

將這種情況反映在具體行動中的表現(xiàn)是全球已經(jīng)有很多國家和地區(qū)開始執(zhí)行碳稅等“碳定價機制”,即將企業(yè)的二氧化碳排放量轉(zhuǎn)嫁到企業(yè)成本中的機制。根據(jù)世界銀行的數(shù)據(jù),截至2021年4月10日,全球已經(jīng)有46個國家和35個地區(qū)推行這種機制。特別是對于從事跨國業(yè)務(wù)的企業(yè)而言,已經(jīng)進入了去碳化努力與公司產(chǎn)品的成本競爭力直接相關(guān)的時代。

用電力驅(qū)動的設(shè)備和設(shè)施劇增,

當務(wù)之急是提升效率

在去碳化的努力中,經(jīng)常被提及的是以所謂的“EV轉(zhuǎn)型”為中心的汽車電動化、以及使用由可再生能源產(chǎn)生的電能。但是,僅靠這些還不足以實現(xiàn)1.5℃的目標,而且去碳化努力也不止這些。

根據(jù)《2021年全球可再生能源現(xiàn)狀報告》的記載,全球能源消耗總量的32%與汽車等發(fā)動機驅(qū)動的運輸設(shè)備有關(guān),17%為家庭和工廠等使用的電能(圖2)。實際上,從百分比來看,可以說目前因電力消耗而產(chǎn)生的二氧化碳排放量占比較少。剩下的51%則是讓工廠運轉(zhuǎn)的渦輪機、熱處理等所用的鍋爐等設(shè)備,通過燃燒化石燃料來使用熱能的。這部分也是去碳化難度較大的部分。

wKgaomZbxg6AfPJXAAENrdugxFs064.png

圖2 全球能源消耗總量的17%為電能 資料來源:REN21,《Renewables 2021 Global Status Report (GSR)》

未來,全球的去碳化大致會按照如下戰(zhàn)略推進:首先,盡可能將能源消耗量大、燃燒化石燃料的相關(guān)運輸設(shè)備和利用熱能的領(lǐng)域轉(zhuǎn)為利用電能,并進行精細控制。該策略是將能源利用形態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橐子诳刂频碾娔?。一般而言,比起一旦啟動就很難停止的發(fā)動機、渦輪機和鍋爐,用電能驅(qū)動的電機和加熱器更容易根據(jù)需求停止和運轉(zhuǎn)。除此之外,還會通過利用可再生能源發(fā)電、僅在必要時在最高效的條件下運行設(shè)備,來推動節(jié)電。也就是說,未來由電力驅(qū)動的設(shè)備、設(shè)施和工廠的數(shù)量將會急劇增加,這意味著希望以優(yōu)異的功率轉(zhuǎn)換效率運行的電氣設(shè)備和機電設(shè)備的數(shù)量將急劇增加。

在電動車輛(xEV)、工業(yè)用電機驅(qū)動裝置、太陽能發(fā)電廠的功率調(diào)節(jié)器、乃至工業(yè)設(shè)備和各種工廠的控制設(shè)備等應(yīng)用中,會配備有車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等各種功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。然而,在功率轉(zhuǎn)換過程中總是存在著功率損耗。比如DC-DC轉(zhuǎn)換器,其轉(zhuǎn)換效率通常在80~95%左右。即使單次功率轉(zhuǎn)換時的效率較低,發(fā)電廠產(chǎn)生的電力通過傳輸和分配,到使用之前會經(jīng)歷幾次功率轉(zhuǎn)換,最終有約1/3變?yōu)闊崃炕螂姶挪ǘ鴵p耗掉。從這個損耗量要通過增設(shè)發(fā)電廠數(shù)量來補償?shù)慕嵌瓤?,可以知道這個浪費有多么大。更大程度地減少損耗是推動去碳化的關(guān)鍵要點。

而且,重要的是,提高電能利用率的解決方案,不僅需要更加高效的相關(guān)產(chǎn)品,還需要能夠適用于更多應(yīng)用。這是因為,即使是可以大幅提高效率的技術(shù),如果引進該技術(shù)所需的成本過高,其應(yīng)用范圍就會受到限制,從而無法全面降低功耗。

利用SiC器件降低損耗,

利用混合器件提供優(yōu)質(zhì)解決方案

降低功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)損耗的方法包括改進轉(zhuǎn)換電路的配置,以及采用工作時損耗低的功率器件。

近年來,IGBT等傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件已經(jīng)開始逐漸被碳化硅(SiC)基的功率器件取代。與Si器件相比,SiC器件的導(dǎo)通電阻更低,在高溫、高頻、高電壓環(huán)境下的性能更出色。由于具備這些特點,SiC器件有望成為適用于多在嚴苛環(huán)境下使用的汽車和工業(yè)用功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的下一代低損耗器件。

SiC器件在太陽能和風力發(fā)電設(shè)備中的DC-AC轉(zhuǎn)換器、電動汽車和混合動力汽車的車載充電器和功率轉(zhuǎn)換器、工業(yè)設(shè)備等的功率逆變器電源、以及蓄電設(shè)備等中的應(yīng)用正在不斷增加。在這種背景下,ROHM量產(chǎn)并供應(yīng)650V/1200V耐壓的SiC肖特基勢壘二極管(SBD)、650V/750V/1200V/1700V耐壓的SiC MOSFET。

目前很多功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)使用的是硅基IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)或SJ-MOSFET(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為開關(guān)器件。其中,IGBT具有生產(chǎn)成本低廉的優(yōu)點,但當其用于電機和線圈等感性負載時,需要續(xù)流二極管才能工作。另外,IGBT通常存在關(guān)斷損耗問題。SJ-MOSFET具有關(guān)斷損耗低的優(yōu)點,但其存在難以支持大功率的問題。而SiC MOSFET和SiC SBD組合使用,可以大幅提高功率轉(zhuǎn)換效率。但是,目前由于用來形成元件的襯底—SiC晶圓極其昂貴,因此現(xiàn)狀是其應(yīng)用范圍受到限制。

要想積極推動去碳化,能夠適用于更廣泛的應(yīng)用、并同時實現(xiàn)高效率和低成本的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)解決方案是不可或缺的。針對這種需求,ROHM將適合降低成本的IGBT和能夠提高效率的SiC器件的優(yōu)點結(jié)合起來,打造出突破性的解決方案“Hybrid IGBT”。該解決方案使用SiC SBD作為IGBT續(xù)流二極管,可以大幅降低導(dǎo)通損耗。通過改善半橋配置中續(xù)流側(cè)器件(Low side)的關(guān)斷特性,改善了開關(guān)側(cè)器件(High side)的導(dǎo)通損耗。此外,開關(guān)器件元件本身采用了比SiC MOSFET更便宜的IGBT,因此可以降低成本,從而支持更廣泛的應(yīng)用。

ROHMHybrid IGBT的性能和優(yōu)勢

IGBT的續(xù)流二極管需要選用適合IGBT特性的產(chǎn)品。只是用碳化硅基二極管取代現(xiàn)有的硅基二極管,效率改善效果并不能達到預(yù)期。ROHM的650V耐壓Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”融合了IGBT和SiC SBD特性上的優(yōu)點,并實現(xiàn)了一體化封裝。由于已經(jīng)在元器件層面優(yōu)化了需要進行精密電路設(shè)計的部分,因此用戶使用該系列產(chǎn)品可以輕松構(gòu)建性價比高的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

將RGWxx65C系列應(yīng)用于車載充電器時,與以往的IGBT相比,損耗可降低67%;與SJ-MOSFET相比,損耗可降低24%(圖3)。在轉(zhuǎn)換效率方面,可以在更寬的工作頻率范圍確保97%以上的高效率,并且在100kHz的工作頻率下,效率可比IGBT高3%,而且,只需替換當前所用的配有IGBT的電路,即可實現(xiàn)這種效率提升效果。本系列產(chǎn)品還符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準“AEC-Q101”,即使在車載和工業(yè)設(shè)備等的嚴苛環(huán)境下也可以安心使用。

可以說ROHM的Hybrid IGBT是有助于更多汽車和工廠的去碳化、應(yīng)用效果非常出色的器件。

wKgZomZbxg-AH_fkAAAX7yfdkj0902.png

wKgaomZbxg-Aa1j1AABNeTd6hgs207.png

wKgZomZbxg-AHPE7AABt5-J7CwA126.png

圖3

與本文相關(guān)的ROHM產(chǎn)品介紹

wKgaomZbxhCANJidAAHWVA-hQ9g017.png


審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1266

    文章

    3789

    瀏覽量

    248882
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1758

    瀏覽量

    90416
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2804

    瀏覽量

    62606
  • 功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)

    關(guān)注

    0

    文章

    5

    瀏覽量

    1006
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    肖特基二極管應(yīng)用領(lǐng)域 肖特基二極管在開關(guān)電源中的應(yīng)用

    肖特基二極管是一種由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管,也可稱為肖特基勢壘二極管,屬于金屬半導(dǎo)體結(jié)型二極管。作為一種低功耗、超高
    的頭像 發(fā)表于 12-13 16:17 ?249次閱讀

    肖特基二極管與TVS二極管該如何區(qū)分

    二極管的特點肖特基二極管是一種采用金屬-半導(dǎo)體結(jié)作為主要結(jié)構(gòu)的二極管,其主要特點是正向壓降低、開關(guān)速度快和反向恢復(fù)時間短。工作原理肖特基二極管
    的頭像 發(fā)表于 11-25 17:20 ?283次閱讀
    肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>與TVS<b class='flag-5'>二極管</b>該如何區(qū)分

    PiN二極管SiC二極管的區(qū)別

    PiN二極管(P-I-N Diode)和SiC二極管(Silicon Carbide Diode)在多個方面存在顯著差異,這些差異主要體現(xiàn)在材料特性、工作性能、應(yīng)用場景以及發(fā)展趨勢等方面。以下是對兩者區(qū)別的詳細分析。
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:40 ?386次閱讀

    SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)

    SiC二極管,即碳化硅二極管,作為第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一,其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨特的重要性。以下將詳細闡述SiC二極管
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:09 ?919次閱讀

    SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢壘二極管,也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管
    的頭像 發(fā)表于 09-10 14:55 ?1070次閱讀

    二極管實現(xiàn)高電壓和大電流轉(zhuǎn)換的同時降低功耗并提高可靠性

    IGBT和1200V D3 EliteSiC二極管,實現(xiàn)高電壓和大電流轉(zhuǎn)換的同時降低功耗并提高可靠性。FS7 IGBT關(guān)斷損耗低,可將開關(guān)損耗降低
    的頭像 發(fā)表于 08-29 15:09 ?297次閱讀
    <b class='flag-5'>二極管</b>實現(xiàn)高電壓和大電流轉(zhuǎn)換的同時<b class='flag-5'>降低功耗</b>并提高可靠性

    圖騰柱PFC IGBT二極管的要求

    PFC電路中,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和二極管是兩個關(guān)鍵的功率器件,它們共同承擔著功率轉(zhuǎn)換和控制的任務(wù)。 一、圖騰柱PFC電路的基本原理 圖騰柱
    的頭像 發(fā)表于 08-01 16:27 ?888次閱讀

    穩(wěn)壓二極管和整流二極管怎么區(qū)分

    穩(wěn)壓二極管和整流二極管是兩種常見的半導(dǎo)體器件,它們在電子電路中扮演著重要的角色。雖然它們都是二極管,但它們的工作原理和應(yīng)用場景有很大的不同。 定義 穩(wěn)壓二極管,又稱齊納
    的頭像 發(fā)表于 07-31 14:38 ?1182次閱讀

    選用二極管時主要考慮哪些參數(shù)

    反向電壓(VR) : 這是二極管能夠承受的最大反向電壓。超過這個電壓可能會導(dǎo)致二極管擊穿。 正向電壓降(VF) : 這是二極管在正向偏置時的電壓降。對于低功耗應(yīng)用,選擇低VF的
    的頭像 發(fā)表于 07-24 16:10 ?595次閱讀

    肖特基二極管與其他二極管的區(qū)別

    肖特基二極管(Schottky Diode),也被稱為肖特基勢壘二極管,是一種具有特殊結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能的半導(dǎo)體器件。它與其他類型的二極管(如普通二極管、鍺
    的頭像 發(fā)表于 07-24 15:05 ?6630次閱讀

    為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

    (安世半導(dǎo)體)如何將先進的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。 合并 PIN 肖特基(MPS)結(jié)構(gòu)減小漏電流 金屬-半導(dǎo)體接面的缺陷是導(dǎo)致 SiC
    的頭像 發(fā)表于 04-01 04:50 ?352次閱讀
    為什么所有的<b class='flag-5'>SiC</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>都不一樣

    肖特基二極管常見型號 肖特基二極管和普通二極管區(qū)別

    肖特基二極管(Schottky diode)是一種特殊的二極管,由石英合金或者金屬合金制成。它的特殊之處在于其具有較低的正向壓降和快速的開關(guān)速度。肖特基二極管由德國科學家瓦爾特·肖特基(Walter
    的頭像 發(fā)表于 01-30 10:35 ?6553次閱讀

    什么是紅外二極管?發(fā)光二極管?紅外二極管與發(fā)光二極管的區(qū)別

    什么是紅外二極管?發(fā)光二極管又是什么呢?紅外二極管與發(fā)光二極管的區(qū)別? 紅外二極管和發(fā)光二極管
    的頭像 發(fā)表于 01-26 15:42 ?1844次閱讀

    變阻二極管與普通二極管的區(qū)別在哪?

    變阻二極管與普通二極管的區(qū)別在哪? 在日常生活和電子產(chǎn)品中,我們經(jīng)常會遇到二極管。二極管是一種常見的電子器件,旨在控制電流的流動方向。值得注意的是,
    的頭像 發(fā)表于 01-12 14:44 ?1100次閱讀

    肖特基二極管是穩(wěn)壓二極管

    肖特基二極管(Schottky Diode)不是一種穩(wěn)壓二極管,而是一種特殊的二極管。在這篇文章中,我們將深入探究肖特基二極管的工作原理、特點和應(yīng)用。 一、肖特基
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:40 ?2067次閱讀
    RM新时代网站-首页