1. 簡介
[HR1211]是一款集成了多模式 PFC 和電流模式 HB LLC 的組合控制器,它性能卓越,具體參數(shù)請參閱 HR1211 數(shù)據(jù)手冊。*附件:多模式 PFC + 電流模式 LLC 組合控制器.pdf
1.1 主要功能
- 一般功能
- 功率因數(shù)校正(PFC)控制器
- 專利產(chǎn)品 CCM/DCM 多模式 PFC 控制器,從輕載到滿載均具備高效率
- 輸入電容電流補(bǔ)償技術(shù)可實現(xiàn)高功率因數(shù)(PF)
- 可調(diào)頻率抖動功能降低了電磁干擾 (EMI)
- 精確調(diào)整并自動調(diào)節(jié)輸出電壓
- 數(shù)字PI提供電壓環(huán)路補(bǔ)償
- 半橋 LLC 控制器
- 具有集成自舉 (BST) 二極管和高 dV/dt 抗擾度的 600V 上管 (HS) 柵極驅(qū)動器
- 電流模式控制
- 具有最小和最大限制的自適應(yīng)死區(qū)時間調(diào)整
- 輕載運(yùn)行期間提供跳頻/突發(fā)模式切換
- 可調(diào)軟啟動 (SS)
- 保護(hù)功能
- 精確的欠壓保護(hù)/開啟(可調(diào)閾值和去抖動定時器)
- 逐周期 PFC 限流保護(hù)
- PFC 輸出過壓保護(hù)(OVP)
- 可調(diào) PFC 開環(huán)保護(hù) (OLP)
- LLC 短路保護(hù) (OCP)
- LLC 過功率保護(hù) (OPP)
- 提供SO 引腳以實現(xiàn)外部保護(hù)
- LLC容性模式保護(hù)
- 過溫關(guān)斷 (TSD)保護(hù)
1.2 功能模塊
HR1211 的功能如下所列,其功能框圖如圖1所示:
圖 1:HR1211 功能框圖
2. 典型應(yīng)用電路
圖 2:典型應(yīng)用電路
3. 電源功能
HR1211 的電源部分包括為IC上電的高壓電流源 (HVCS)、為柵極驅(qū)動器供電的 VREG 穩(wěn)壓器以及為數(shù)字內(nèi)核供電的 3.3V 穩(wěn)壓器。[HR1211]自帶監(jiān)控電路和保護(hù)電路,可確保IC運(yùn)行更加穩(wěn)健。
3.2.1 用外部電壓為VCC供電
外部電壓可以是備用電源或者直流電源。通常,VCC 電壓應(yīng)高于V CCUVP2 。要在 HVCS 給 VCC 充電時正常給 IC 加電,必須添加一個二極管以隔離待機(jī)電源和VCC (見圖 7)。
圖 7:用備用電源為 VCC供電
3.2.2 用LLC 輔助繞組為VCC 供電
對于非待機(jī)應(yīng)用,VCC 由 LLC 輔助繞組供電以實現(xiàn)高效率。圖 8
顯示了兩種類型的輔助繞組配置:半波整流器和全波整流器。通常,如果兩種繞組的匝數(shù)相同,則全波整流器具有更高的效率并可以產(chǎn)生更大的
VCC,因此其輕載效率更高;但全波整流器需要額外的繞組和整流二極管,因此成本也較高。
圖 8:用 LLC 輔助繞組為 VCC 供電
3.2.3 VCC 電流
VCC消耗的電流包括V3.3電流、VREG電流和內(nèi)部電路的偏置電流??傠娏魇沁@三個電流的總和。
在t0-t2期間,且在V3.3啟動之前,VCC電流約為200μs;在V3.3啟動期間且IC啟動之前(t 2 -t3和t 7 -t 9 ),VCC電流為I CC_START1 ;一旦 IC 啟動,VCC 電流在正常操作下為I CC(NOR) ,在突發(fā)關(guān)閉(burst-off)模式下則為I CC_BURST 。
4.3 PFC 輸出調(diào)節(jié)
PFC 輸出電壓 VBUS 由數(shù)字 PI 環(huán)路調(diào)節(jié)。如圖 13 所示,如果 ROUT1 和 ROUT2的精度為 1%,則 VBUS 的精度在 2.5% 以內(nèi)(ADC 精度約為 0.6%)。
為提高 PFC 效率,HR1211 可以在不同的輸入電壓和輸出負(fù)載條件下自動調(diào)節(jié)輸出電壓。例如,當(dāng)輸入電壓較低時,輸出電壓也可以設(shè)置得較低。圖 24 顯示了部分參數(shù)的配置。
圖 24:輸出電壓調(diào)節(jié) GUI 界面
4.4 PFC 的突發(fā)操作
當(dāng)輸出負(fù)載降低時,PFC 變換器以突發(fā)模式運(yùn)行。進(jìn)入突發(fā)模式的電平可配置,具體通過VCOMP_FULL的百分比進(jìn)行設(shè)置。
4.7 PF補(bǔ)償
為滿足EMI要求,通常會在L線和N線之間連接一個X電容,同時在橋式二極管的輸出端連接一個高壓電容,這樣X電容始終會與高壓電容并聯(lián)。 但其輸入電流將失真并超前電感電流,如圖 32 所示。流經(jīng) C Z (X電容加上電橋之后的高壓電容)的電流可以用公式(36)來計算:
iC Z ( t )=CZdVi n ( t )dt**= 2 × π ×flin e ×Cz**×√2Vinrms**×co s ( 2 × π ×flin e × t )**
其中fLINE是輸入電壓的頻率。
圖 32:輸入電流、C1 電流和電感電流的關(guān)系
該電流會導(dǎo)致輕載時的輸入電流發(fā)生相移,并降低功率因數(shù)和 THD。[HR1211]則采用數(shù)字三角波來補(bǔ)償I CZ ,如圖 34所示。
圖 34:三角波補(bǔ)償
4.10 可配置數(shù)字濾波器
4.10.1 電流采樣濾波器
[HR1211]內(nèi)部提供兩個可配置的數(shù)字濾波器(csp 濾波器和 td 濾波器),以提高抗噪性。
csp 濾波器和 td 濾波器都是二階濾波器,可以通過 GUI 配置(參見圖 42)。按鈕設(shè)置為“ON”時,濾波功能啟用;按鈕設(shè)置為“OFF”時,濾波功能禁用。每階濾波器都有15級帶寬,可根據(jù)實際應(yīng)用靈活選擇。
圖 42:可配置數(shù)字濾波器參數(shù)
4.10.2 電壓采樣濾波器
為了增強(qiáng) PFC 輸出電壓采樣的抗干擾能力,[HR1211]提供了一個可配置濾波器用于FBP 采樣。該數(shù)字濾波器的截止頻率可配置為三個級別。利用電壓采樣濾波器,與Rout2并聯(lián)的電容(C 3 )可以減小,這樣不僅可改善動態(tài)響應(yīng),還可提高過壓保護(hù)的精度。
5. HB 諧振功能
半橋諧振變換器 (LLC)通常借助零電壓開關(guān) (ZVS) 實現(xiàn)高效率。HR1211 的 LLC 變換器則采用了專利技術(shù)電流模式控制方法。
5.1 電流模式控制
LLC 電流模式控制策略通過采樣 CR 和 FBL 電壓來確定 LLC 開關(guān)頻率,如圖 45所示。
圖 45:LLC 電流模式控制策略
5.2 LLC 工作模式控制策略
對于 HB LLC 拓?fù)鋪碚f,開關(guān)頻率變高將導(dǎo)致輕載條件下的磁化和開關(guān)損耗增加。為了控制輸出電壓并限制功耗,HR1211 在輕載時采用跳頻模式操作,在超輕載時則采用突發(fā)模式操作;這極大地降低了平均開關(guān)頻率,并因此降低了磁損耗。
5.2.2 突發(fā)模式操作
隨著負(fù)載變得更輕,為了進(jìn)一步限制平均開關(guān)頻率,在跳頻模式中插入更長的開關(guān)空閑時間,這稱為突發(fā)模式操作。
5.2.2.2 超低功耗模式
為進(jìn)一步降低IC功耗,HR1211在Burst-off期間(PFC和LLC均進(jìn)入突發(fā)模式)采用超低功耗模式。在這種模式下,系統(tǒng)時鐘減少至 1/10,一些內(nèi)部偏置電流也關(guān)斷。IC 總功耗減少至I CC_BRUST (通常為 1.8mA)。
5.4 自適應(yīng)死區(qū)時間調(diào)整 (ADTA)
自適應(yīng)死區(qū)時間控制功能可自動調(diào)整死區(qū)時間,使 LLC 變換器因 ZVS 而實現(xiàn)從輕載到滿載的高效率。
ADTA 邏輯中可能出現(xiàn)的死區(qū)時間如圖 59 所示??梢钥吹?,可能的死區(qū)時間有三個:最小死區(qū)時間(t DMIN )、最大死區(qū)時間(t DMAX )和調(diào)整后的死區(qū)時間(其值介于 tDMIN 和 tDMAX之間)。當(dāng)開關(guān)頻率的轉(zhuǎn)換時間小于 tDMIN時,其邏輯會阻止 HG 或 LG 的柵極,直到達(dá)到 tDMIN ;這樣可避免上下管 MOSFET 產(chǎn)生擊穿。如果死區(qū)時間過長,可能會導(dǎo)致占空比損耗和軟開關(guān)損耗;達(dá)到最大死區(qū)時間tDMAX ,則強(qiáng)制柵極導(dǎo)通。tDMIN 和 tDMAX均可通過GUI配置。
圖 59:波形演示 ADTA邏輯
5.5 斜率補(bǔ)償功能
為了保證電流模式控制的穩(wěn)定性,將 4 位數(shù)字可調(diào)斜率電壓 VCR_SLOPE添加到采樣電壓VCR上以生成 V CS (參見圖 60)。
圖 60:斜率補(bǔ)償波形
5.7 LLC諧振腔參數(shù)設(shè)計
請參考[在線設(shè)計工具]
8. 布局
本節(jié)介紹電路板布局時布線和放置關(guān)鍵組件的主要注意事項。
圖 74 顯示了一個單層板中的GND 連接示例。其PGND與GNDD相連,以在IC下面盡量做大接地面積,然后直接連接至總線電容的負(fù)端口 。
圖 74:PCB布局示例
9. 設(shè)計實例
評估板(EVB)用于驗證和評估 HR1211 的性能。有關(guān) EVB 的詳細(xì)信息,請參閱 EVB 數(shù)據(jù)手冊。
9.2 評估板
審核編輯 黃宇
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