在近日結(jié)束的ISPSD2024征稿評比中，安建半導體憑借其在碳化硅領(lǐng)域的卓越技術(shù)實力，成功脫穎而出，榮獲口頭報告機會。此次評比中，口頭報告的錄取率僅為12.4%，競爭激烈，但安建半導體憑借獨立研發(fā)的成果，再次證明了其技術(shù)和創(chuàng)新能力。

第36屆功率半導體器件和集成電路國際研討會于2024年6月2日至6日在德國不來梅盛大舉行。安建半導體研發(fā)經(jīng)理劉永博士受邀出席此次盛會，并發(fā)表關(guān)于1200V級SiC器件技術(shù)突破的口頭報告。這一報告不僅展示了安建半導體在碳化硅器件領(lǐng)域的最新研究成果，也彰顯了其作為行業(yè)領(lǐng)軍者的技術(shù)實力。

自成立以來，安建半導體一直致力于碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新與研發(fā)。公司建立了完整的器件設(shè)計、測試、可靠性驗證管理系統(tǒng)，為產(chǎn)品的質(zhì)量和性能提供了堅實的保障。此次在國際研討會上的亮相，再次證明了安建半導體在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。

未來，安建半導體將繼續(xù)秉持創(chuàng)新精神，深耕碳化硅領(lǐng)域，為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)，推動功率半導體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。