以IGBT模塊應(yīng)用三相逆變電路為例
其中:VCC = DC link voltage
ICP = maximum inverter peak output current
根據(jù)開關(guān)安全工作區(qū)SOA選擇:
所有的IGBT模塊均具有矩形開關(guān)SOA至兩倍額定電流。
IGBT模塊預(yù)選擇標(biāo)準(zhǔn):
根據(jù)熱考慮選擇:
?步驟1:計(jì)算IGBT及FWDi芯片的功耗,基于最壞的應(yīng)用條件。
?步驟2:當(dāng)功耗在IGBT及FWDi芯片內(nèi)耗散的時(shí)候,計(jì)算器件的溫度。
?步驟3:比較計(jì)算的Tj值與設(shè)計(jì)目標(biāo)值Tj = 125°C
如果Tj>125°C,選擇一個(gè)更大尺寸的模塊
如果Tj<125°C,選擇一個(gè)更小尺寸的模塊
熱量耗散路徑及各節(jié)點(diǎn)溫度與熱阻關(guān)系如下圖:
瞬態(tài)最大結(jié)點(diǎn)溫度Tj< 150℃
正常運(yùn)行最大結(jié)點(diǎn)溫度Tj<125℃
應(yīng)用案例:
Step1: 輸入預(yù)選擇的模塊類型
Step2: 輸入應(yīng)用條件(默認(rèn)設(shè)置: RG= RGmin)
Step3: 計(jì)算
Step4: 分析: Tj= 113,9°C (低于相對(duì)于較好的設(shè)計(jì)溫度Tj=125°C)
Step5: 用一個(gè)較小的模塊重新計(jì)算
Step6: 分析:Tj= 131,7°C (高于設(shè)計(jì)目標(biāo)Tj=125°C)
Step7: 將CM100DU-24F的開關(guān)頻率從6KHz降到5KHz
結(jié)果: Tj= 128°C 接近設(shè)計(jì)目標(biāo)
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原文標(biāo)題:逆變器IPM/IGBT模塊容量的選擇
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