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英偉達、臺積電與SK海力士攜手,2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存,能效顯著提升

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 2024-07-15 17:28 ? 次閱讀

科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進的浪潮中,英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作,旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內(nèi)存(HBM)技術的發(fā)展,特別是備受矚目的HBM4內(nèi)存。這一合作不僅標志著半導體行業(yè)的一次重要聯(lián)手,也為未來數(shù)據(jù)處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎。

據(jù)最新報道,全球領先的圖形處理器制造商英偉達、芯片代工巨頭臺積電以及內(nèi)存專家SK海力士,已攜手啟動了一項雄心勃勃的計劃,旨在加速HBM4內(nèi)存的商業(yè)化進程。作為下一代高帶寬內(nèi)存技術的代表,HBM4以其極高的數(shù)據(jù)傳輸速率和低延遲特性,被視為推動AI、高性能計算(HPC)以及數(shù)據(jù)中心等領域發(fā)展的關鍵力量。

根據(jù)計劃,SK海力士與臺積電將緊密合作,共同承擔HBM4(第六代)系列產(chǎn)品的設計與生產(chǎn)重任。這一合作不僅充分利用了SK海力士在內(nèi)存技術方面的深厚積累,也發(fā)揮了臺積電在先進制程工藝和封裝技術上的領先優(yōu)勢。雙方預計,通過雙方的共同努力,HBM4內(nèi)存將于2026年正式進入量產(chǎn)階段,為全球市場帶來一場技術革新。

尤為值得一提的是,在采用臺積電的先進工藝和封裝技術后,SK海力士的HBM4內(nèi)存產(chǎn)品有望實現(xiàn)能效的顯著提升。據(jù)透露,相比原定的目標,新款HBM4內(nèi)存的功耗可降低20%以上。這一成就不僅體現(xiàn)了技術創(chuàng)新的巨大潛力,也為用戶帶來了更加高效、節(jié)能的存儲解決方案。

此外,SEMI計劃于今年9月4日舉辦的SEMICON活動將成為這一合作成果的重要展示舞臺。屆時,SK海力士有望在該活動中首次公開演示HBM4的最新研究成果,向全球業(yè)界展示其卓越的性能和能效表現(xiàn)。這一活動無疑將吸引眾多行業(yè)專家和媒體的關注,進一步推動HBM4技術的普及和應用。

綜上所述,英偉達、臺積電與SK海力士的“三角聯(lián)盟”不僅為HBM4內(nèi)存的量產(chǎn)鋪平了道路,也為全球半導體行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。隨著HBM4技術的不斷成熟和普及,我們有理由相信,未來的數(shù)據(jù)處理和計算性能將迎來更加輝煌的篇章。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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