電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)去年12月,英飛凌公布了自己的OBC產(chǎn)品戰(zhàn)略路線,未來將采用SiC和GaN等第三代半導體來提高OBC功率密度,其中GaN會在2025年后應用到OBC上,屆時功率密度將會提高至6kW/L以上。
今年以來,GaN落地的應用場景在持續(xù)增多,比如在光伏和數(shù)據(jù)中心領域。在光伏領域,GaN功率器件高頻特性能夠大幅提高微型逆變器的功率密度,其次更低的導通損耗,能夠提高轉換效率,降低損耗,同時提高系統(tǒng)的可靠性和使用壽命。
相對而言,GaN在汽車上的進展顯得稍慢,除了在座艙內(nèi)無線充電等場景應用外,其他車用場景包括OBC、主驅(qū)逆變器等目前還未有大規(guī)模應用GaN的案例出現(xiàn)。所以OBC上GaN器件,產(chǎn)業(yè)鏈上下游進展如何?
GaN在OBC上的應用優(yōu)勢
從英飛凌的產(chǎn)品戰(zhàn)略路線圖也能夠看出,GaN實際上能夠大幅提高OBC的功率密度,這與GaN FET的高頻特性有關。GaN器件的開關速度比硅器件快得多,這意味著可以通過提高開關頻率,從而減小無源元件的尺寸,比如變壓器、電感和電容器等,進一步減少整體體積和重量。
根據(jù)TI的數(shù)據(jù),使用其GaN功率器件可以實現(xiàn)超過500kHz 的 CLLLC 開關頻率和 120kHz 的 PFC 開關頻率,同時集成柵極驅(qū)動器簡化了系統(tǒng)級設計,使用GaN的OBC功率密度可以比使用SiC的OBC更高,系統(tǒng)轉換效率也高達96.5%。
有案例顯示,使用GaN的OBC方案能夠比SiC方案尺寸縮小60%,同時還實現(xiàn)比SiC高62%的開關頻率,因此能相比SiC擁有更高的功率密度和轉換效率。
GaN功率器件的低導通電阻,也是提高OBC系統(tǒng)效率的一環(huán),比如在相同的結面積情況下,GaN的導通電阻僅有5mΩ/cm2, 硅的導通電阻為10mΩ/cm2。
理論上的性能優(yōu)勢,讓各大企業(yè)都在推進GaN上車的計劃,而OBC由于不涉及到行駛安全,相比主驅(qū)的應用來說,失效帶來的風險較小,因此OBC也成為了目前GaN上車的首選。
大廠進場,GaN OBC進展加速
GaN上車其實在幾年前就成為了行業(yè)內(nèi)頭部企業(yè)的主要目標之一。2021年納微半導體預測,一輛電動車中,潛在能夠應用到GaN的部件的市場機會超過250美元,到了2025年,電動汽車中,GaN功率芯片市場機會總值每年將有望超過25億美元。
而納微半導體也在2021年第四季度,在上海設立了第一個面向全球的電動汽車相關應用產(chǎn)品研發(fā)中心,開始布局OBC、主驅(qū)逆變器等領域的GaN應用,希望進軍汽車市場。
在各大GaN廠商的規(guī)劃中,GaN將會在400V平臺的車型上被應用到主驅(qū)逆變器、DC-DC、OBC等各個方面。包括早在2020年GaN Systems就展示了一款全GaN汽車,幾乎所有功率器件都采用了GaN,證明GaN在汽車功率轉換方面應用的可行性。
最早對外宣布在汽車上嘗試應用GaN的車企是寶馬集團。寶馬在2021年宣布與GaN Systems合作,就寶馬高性能車載標準的GaN功率半導體簽署了全面的產(chǎn)能協(xié)議,當時合作金額達1億美元。
英飛凌在2023年收購了GaN Systems,目前在英飛凌官網(wǎng)上可以看到GaN Systems在汽車領域的一些成功案例,比如電動汽車滑板底盤公司Canoo與GaN Systems合作的一款7.2kW電動汽車OBC,PFC峰值效率高達98.7%,合并效率也達到了96%。
海拉也采用了GaN Systems的器件推出了一款22kW的OBC,功率密度高達4kW/L,相比采用硅功率器件的OBC功率密度提高了3倍,能源效率也超過96%。
TI則早在2022年就展示了基于GaN器件的6.6kW OBC參考設計,該的參考設計PFC 工作頻率為 120kHz,而 CLLLC 在 200kHz 至 800kHz 的可變頻率范圍內(nèi)運行。峰值系統(tǒng)效率為 96.5%,該數(shù)值在 3.8kW/L 開放式框架功率密度下實現(xiàn)。
更早之前,以色列的功率GaN公司VisIC也推出過一款6.7kW的車載OBC參考設計,功率密度接近3kW/L,負載范圍內(nèi)充電效率超過96%。
去年GaN Systems未被收購前,在應用電力電子會議(APEC 2023)上發(fā)布了一款11kW/800V的GaN OBC參考設計,與現(xiàn)有的SiC OBC相比,這款參考設計功率密度提升了36%,BOM成本還能降低至少15%。這主要是由于采用了無橋圖騰柱功率因數(shù)校正結構和三階飛馳電容(Flying Capacitor)拓撲。
據(jù)稱三界飛馳電容拓撲中采用GaN器件可以達到極高的切換頻率,有效降低一半的電壓壓力,所以可以在800V電源系統(tǒng)中使用650V GaN器件。不過GaN Systems也提到這種新型的拓撲結構并不是公司獨創(chuàng),而是還處于學術研究階段,公司克服了從實驗室到量產(chǎn)的障礙,讓OBC廠商可以盡快評估這種新型拓撲的應用潛力。
而近年來,確實已經(jīng)有越來越多的OBC廠商開始與GaN廠商合作,開發(fā)在OBC、充電樁等領域的GaN應用。
寫在最后:
GaN在光伏微逆上的成功應用,相信會給OBC等車載領域市場使用GaN帶來更多的信心。按照汽車芯片大廠英飛凌的計劃,2025年會將GaN應用到OBC上,而實際落地的車型可能也已經(jīng)離我們不遠了。
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