RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SiC和GaN加速上車!2029年第三代半導(dǎo)體全球規(guī)模如何?Yole專家揭秘

章鷹觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友 ? 作者:章鷹 ? 2024-07-19 00:11 ? 次閱讀

近日,在慕尼黑上海電子展的論壇上,Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順從行業(yè)分析的角度向現(xiàn)場(chǎng)工程師和觀眾分享了全球碳化硅與氮化鎵市場(chǎng)最新發(fā)展趨勢(shì)及展望。

能源領(lǐng)域的三大趨勢(shì)顯現(xiàn),帶動(dòng)功率器件需求的變化

邱柏順指出,在全球追求綠色能源,減碳大目標(biāo)下,全球能源領(lǐng)域有三大趨勢(shì)日益明顯:1、電氣化,任何東西都要變成電來(lái)驅(qū)動(dòng),第三代半導(dǎo)體可以帶來(lái)比較好的性能;2、全球主要地區(qū)使用綠色能源的比例顯著上升,包括光伏、風(fēng)電落地加速;3、設(shè)備廠商使用器件達(dá)到更加節(jié)能的效果,新器件需要更高功率,系統(tǒng)功耗更小,碳排放量更小。

wKgZomaY6qiAJmEOAAJAfmkM1Uc420.jpg
圖1:能源轉(zhuǎn)變趨勢(shì),電子發(fā)燒友拍攝


碳排放目標(biāo)的降低,帶動(dòng)系統(tǒng)需要更高的功率密度,器件功率更大。充電樁、光伏、儲(chǔ)能等未來(lái)系統(tǒng)的各個(gè)部分將有可能整合在一起,具有更高的集成度。充電樁部分,以往分立的功率器件為主,未來(lái)將會(huì)走向模塊化。還有一個(gè)趨勢(shì),未來(lái)整個(gè)系統(tǒng)會(huì)更加智能化和數(shù)字化。

2029年SiC全球市場(chǎng)將達(dá)100億美元!GaN市場(chǎng)增長(zhǎng)可期

邱柏順分享最新Yole數(shù)據(jù),到 2029 年,預(yù)計(jì) WBG 將占全球電力電子市場(chǎng)的近 33%,其中 SiC 和 GaN 分別占 26.8% 和 6.3%。從消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心新能源汽車帶動(dòng)GaN市場(chǎng)需求的增長(zhǎng),2029年GaN的市場(chǎng)容量會(huì)達(dá)到22億美元,未來(lái)5年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到29%;受到工業(yè)和汽車應(yīng)用的推動(dòng),SiC的市場(chǎng)容量2029年將達(dá)到100億美元。

wKgaomaY6rSAVqzsAAJe-r9R-Vk893.jpg
圖:GaN和SiC市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè) 電子發(fā)燒友拍攝


特斯拉Model3/ModelY車型采用了意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET模塊,顯著提升車輛續(xù)航里程和性能。2020年,比亞迪高端車型“漢”搭載了SiC器件,預(yù)計(jì)2024年,比亞迪將在旗下的電動(dòng)車中,實(shí)現(xiàn)SiC器件對(duì)硅級(jí)IGBT器件的全面替代,將整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升10%。

邱柏順表示,SiC 已逐漸在電動(dòng)車主驅(qū)逆變器中扮演要角,2023年SiC全球市場(chǎng)已經(jīng)達(dá)到27億美元,其中汽車占據(jù)70%到80%的市場(chǎng),未來(lái)隨著電氣架構(gòu)將往800V邁進(jìn),而耐高壓SiC 功率元件預(yù)料將成為主驅(qū)逆變器標(biāo)配。此外,還有光伏、風(fēng)電,這兩個(gè)領(lǐng)域?qū)iC需求,未來(lái)可以占據(jù)15%到20%的市場(chǎng)份額。

從新能源汽車看,國(guó)內(nèi)新能源汽車占據(jù)全球50%以上的市場(chǎng),消費(fèi)者青睞新能源汽車,每臺(tái)新能源汽車與充電樁配比,達(dá)到2.5:1,對(duì)比歐美,中國(guó)市場(chǎng)的比例非常高。歐洲市場(chǎng)大約是11%的新能源汽車市場(chǎng)占有率,新能源汽車和充電樁比率達(dá)到8:1。國(guó)內(nèi)SiC器件有巨大的應(yīng)用市場(chǎng)空間,也驅(qū)動(dòng)了上游半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展。

據(jù)悉,比亞迪半導(dǎo)體的1200V/1040A SiC模塊在不改變?cè)心K封裝尺寸的基礎(chǔ)上將模塊功率大幅度提升了近30%。在電動(dòng)汽車的快速發(fā)展帶動(dòng)下,國(guó)產(chǎn)SiC模塊加速應(yīng)用。以國(guó)家電網(wǎng)為例,雄安新區(qū)全SiC的電力電子柔性變電站,采用的國(guó)網(wǎng)全國(guó)產(chǎn)6500V/400A的SiC MOSFET模塊。

SiC正在從6英寸向8英寸發(fā)展,邱柏順指出了這個(gè)趨勢(shì)。國(guó)際方面,海外大廠Wolfspeed、英飛凌博世、onsemi等公司8英寸晶圓量產(chǎn)時(shí)間集中于2024年下半年至2026年期間。英飛凌在馬來(lái)西亞的8英寸碳化硅工廠將在2025年運(yùn)行。

國(guó)內(nèi)企業(yè),據(jù)中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)信息顯示,天科合達(dá)北京基地正在招標(biāo)8英寸襯底量產(chǎn)線設(shè)備,包含加工產(chǎn)線的倒角-拋光-研磨-清洗及各類測(cè)試設(shè)備等產(chǎn)品。

邱柏順認(rèn)為,GaN未來(lái)增長(zhǎng)可期,未來(lái)5年市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)達(dá)到22億美元。在市場(chǎng)應(yīng)用方面,氮化鎵功率器件市場(chǎng)主要由消費(fèi)電子所驅(qū)動(dòng),關(guān)鍵應(yīng)用包括快速充電器、音頻、無(wú)線充電。邱柏順指出,未來(lái)GaN從低功率消費(fèi)電子市場(chǎng)延伸至高功率數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、通信電源、新能源汽車等領(lǐng)域。目前氮化鎵在車載充電器、車載激光雷達(dá)市場(chǎng)頗具擴(kuò)展?jié)摿Α?br />

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2804

    瀏覽量

    62604
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    1933

    瀏覽量

    73281
  • 第三代半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    154

    瀏覽量

    6970
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?199次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì),且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?273次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:碳化硅和氮化鎵介紹

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:06 ?378次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)基礎(chǔ)知識(shí)

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

    隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 11:24 ?508次閱讀

    萬(wàn)芯榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎(jiǎng)

    10月22日,2024全國(guó)第三代半導(dǎo)體大會(huì)暨最佳新銳企業(yè)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮在蘇州隆重舉辦。這場(chǎng)備受矚目的行業(yè)盛會(huì)匯聚了眾多行業(yè)精英,共有30+位企業(yè)高管演講、50+家展商現(xiàn)場(chǎng)展示。在這場(chǎng)行業(yè)盛會(huì)上,江西萬(wàn)
    的頭像 發(fā)表于 10-28 11:46 ?335次閱讀
    萬(wàn)<b class='flag-5'>年</b>芯榮獲2024<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造最佳新銳企業(yè)獎(jiǎng)

    第三代半導(dǎo)體半導(dǎo)體區(qū)別

    半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一
    的頭像 發(fā)表于 10-17 15:26 ?1022次閱讀

    德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工

    封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工建設(shè)。 據(jù)悉,第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目是德高化成按照“十四五”發(fā)展戰(zhàn)略要求,結(jié)合國(guó)家半導(dǎo)體工程產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃打造的,通過(guò)在天津經(jīng)開區(qū)新建廠
    的頭像 發(fā)表于 08-01 16:25 ?395次閱讀

    第三代SiC功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)介紹

    第三代SiC功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)KC-3105。該系統(tǒng)憑借高效精準(zhǔn)、可靈活定制、實(shí)時(shí)保存測(cè)試結(jié)果并生成報(bào)告、安全防護(hù)等優(yōu)秀性能。嚴(yán)格遵循《AQG 324機(jī)動(dòng)車輛電力電子轉(zhuǎn)換器單元用功率模塊
    發(fā)表于 04-23 14:37 ?4次下載

    一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別

    在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三
    發(fā)表于 04-18 10:18 ?3021次閱讀
    一、二、<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的區(qū)別

    并購(gòu)、擴(kuò)產(chǎn)、合作——盤點(diǎn)2023全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

    在清潔能源、電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢(shì)下,近年來(lái)第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無(wú)前例的關(guān)注,市場(chǎng)以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度,擴(kuò)張規(guī)模不斷擴(kuò)大。在過(guò)去的2023
    的頭像 發(fā)表于 02-18 00:03 ?3723次閱讀

    2023第三代半導(dǎo)體融資超62起,碳化硅器件及材料成投資焦點(diǎn)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域的需求帶動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)近幾年高速增長(zhǎng)。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)不景氣,機(jī)構(gòu)投資整體更理性下,第三代
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:14 ?2290次閱讀
    2023<b class='flag-5'>年</b><b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>融資超62起,碳化硅器件及材料成投資焦點(diǎn)

    第三代半導(dǎo)體龍頭涌現(xiàn),全鏈布局從國(guó)產(chǎn)化發(fā)展到加速出海

    第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢(shì),在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。20209月,
    的頭像 發(fā)表于 01-04 16:13 ?1246次閱讀

    中電化合物榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”

    近日,華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào),其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023
    的頭像 發(fā)表于 01-04 15:02 ?1450次閱讀

    華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”

    近期,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的“2023行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開帷幕,數(shù)家SiC&
    的頭像 發(fā)表于 12-27 10:47 ?596次閱讀
    華大<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>旗下中電化合物榮獲“2023<b class='flag-5'>年</b>度<b class='flag-5'>SiC</b>襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”

    第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)

    芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng),自2021起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間,芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的次重大飛躍,器件性能與國(guó)際頂
    的頭像 發(fā)表于 12-26 10:02 ?978次閱讀
    RM新时代网站-首页