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I2C靜電放電防護(hù)方案

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-08-21 15:34 ? 次閱讀

I2C靜電放電防護(hù)方案

方案簡(jiǎn)介

I2C總線,作為一種簡(jiǎn)單又高效的雙線同步串行通信方式,僅依賴兩根線即可在總線上各器件間實(shí)現(xiàn)信息交換。其特點(diǎn)是運(yùn)行功耗低和抗噪聲能力強(qiáng),主要用于短距離通信,速度范圍為100 kbps至5 Mbps。該總線在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域使用廣泛,主要應(yīng)用于低速外設(shè)與處理器、微控制器之間的互連,如溫度傳感器、LCD顯示屏驅(qū)動(dòng)器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器等。

由于I2C總線需外接線路以傳輸數(shù)據(jù),易受ESD靜電放電等不利因素侵?jǐn)_,對(duì)終端產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成潛在風(fēng)險(xiǎn)。為了確保這些數(shù)據(jù)端口能夠在最終安裝環(huán)境中正常工作,普通的防護(hù)方案或許會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)的傳輸造成一定影響,本文采用分立和集成兩種低容ESD靜電保護(hù)器件方案,在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護(hù)需求,讓后端的電路得到有效防護(hù)。

I2C工作原理

wKgZombFmEiAU3R1AABFkDAH4TQ162.png

1.總線結(jié)構(gòu)

SDA:雙向串行數(shù)據(jù)線,用于數(shù)據(jù)傳輸。

SCL:雙向串行時(shí)鐘線,通常由主設(shè)備控制,用于同步數(shù)據(jù)傳輸。

2.通信過程

起始條件:當(dāng)SCL為高電平時(shí),SDA從高電平跳變到低電平,表示一個(gè)通信過程的開始。

發(fā)送地址:主設(shè)備隨后在SDA上發(fā)送從設(shè)備的地址(包括讀寫位),并等待從設(shè)備的應(yīng)答。

應(yīng)答信號(hào):被尋址的從設(shè)備在SCL的下一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)將SDA拉低以表示應(yīng)答。

數(shù)據(jù)傳輸:一旦建立連接,主設(shè)備和從設(shè)備就可以開始傳輸數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)位在每個(gè)SCL的上升沿被采樣。

停止條件:當(dāng)數(shù)據(jù)傳輸完成時(shí),主設(shè)備通過將SDA拉高(在SCL為高電平時(shí)),然后釋放SCL(允許其上升為高電平),來生成一個(gè)停止條件,表示通信的結(jié)束。

應(yīng)用示例

由于I2C是通過SDA和SCL兩條線的電平變化和數(shù)據(jù)采樣來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)?,所以需要在這兩條線上加ESD防護(hù)器件保護(hù)I2C總線免受靜電放電(ESD)和低等級(jí)浪涌事件的沖擊與干擾。以下是我們提供的兩種方案,客戶可根據(jù)實(shí)際情況選擇器件。

方案一:

wKgaombFmEOAPf1sAAAgaiBdPtA953.png

該方案采用的是一款分立的ESD保護(hù)器件SELC2F5V1BT,可防止各引腳受靜電放電的干擾,該器件封裝尺寸小,漏電流低,響應(yīng)速度快,且符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4規(guī)范,在 ±25kV(空氣)和 ±22kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。

方案二:

wKgaombFmE6AYEgpAAAfehDBdFo333.png

該方案采用的是一款三引腳ESD防護(hù)器件SELC23T5V2U,可保護(hù)兩條單向電路,鉗位電壓低、漏電流低,保護(hù)I2C總線免遭ESD靜電放電破壞的同時(shí),確保傳輸數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性和完整性。符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和 ±10kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。

型號(hào)參數(shù)

規(guī)格型號(hào) 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結(jié)電容(pF) 封裝
SELC2F5V1BT Bi 5 4.5 22 0.3 DFN1006-2L
SELC23T5V2U Ui 5 4 11 0.6 SOT-23

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.5 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 12 V
Clamping Voltage VC IPP=4.5A; tp=8/20us 22 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 0.3 pF

表1 SELC2F5V1BT電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 9.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 8.0 10.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4A; tp=8/20us 11.0 13.0 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 0.6 0.8 pF

表2 SELC23T5V2U電氣特性表

總結(jié)與結(jié)論

由于I2C總線在連接各種電子設(shè)備內(nèi)部組件上的重要作用,保護(hù)I2C總線免受ESD靜電損害極為關(guān)鍵。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種低電容低鉗位電壓的ESD保護(hù)器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務(wù),為各種接口提供值得信賴的保護(hù)器件。以上解決方案是保護(hù)I2C總線的優(yōu)選之策,確保設(shè)備能夠高效、可靠地運(yùn)行。

審核編輯 黃宇

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