近日，半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新先鋒NEO Semiconductor震撼發(fā)布了一項(xiàng)革命性技術(shù)——3D X-AI芯片，這項(xiàng)技術(shù)旨在徹底顛覆人工智能處理領(lǐng)域的能效與性能邊界。

3D X-AI芯片通過集成驚人的8000個(gè)神經(jīng)元電路于先進(jìn)的3D DRAM架構(gòu)之中，實(shí)現(xiàn)了前所未有的AI處理能力飛躍。這些神經(jīng)元電路直接在DRAM內(nèi)部執(zhí)行復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)，相比傳統(tǒng)依賴于高帶寬內(nèi)存(HBM)的解決方案，其性能提升高達(dá)100倍，為人工智能應(yīng)用帶來了前所未有的速度體驗(yàn)。

更令人矚目的是，3D X-AI芯片在大幅提升性能的同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了能耗的極致優(yōu)化。通過大幅減少數(shù)據(jù)在芯片內(nèi)外傳輸?shù)男枨?，該芯片的功耗竟降低了驚人的99%，這不僅有效減輕了數(shù)據(jù)總線的負(fù)擔(dān)，還顯著降低了運(yùn)行過程中的熱量產(chǎn)生，為數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算等場(chǎng)景提供了更為綠色、高效的解決方案。

NEO Semiconductor的這一創(chuàng)新成果，無疑將為人工智能技術(shù)的發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力，推動(dòng)其在更多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用與深度融合，開啟智能時(shí)代的新篇章。