前言

電機控制單電阻采樣機制是在一個PWM波形內(nèi)采集兩相電流ADC數(shù)據(jù)，但某些扇區(qū)邊界條件下只能獲得一路電流ADC數(shù)據(jù)， 需要對PWM波形進行變形用于構(gòu)造電流采樣區(qū)域。

背景介紹

根據(jù)電機控制拓撲結(jié)構(gòu)，單電阻采樣在一個PWM控制周期內(nèi)可以取得兩相電流數(shù)據(jù)：

在扇區(qū)邊沿?zé)o法獲得兩相電流信號。

波形產(chǎn)生

ST專利的方法是在波形的中間部分產(chǎn)生變形波形，在變形后的波形上就可以得到兩相電流ADC數(shù)據(jù)；

當然還有目前比較流行的波形移位方法也可以做到相同效果。波形如下：

STM32系列單片機Timer有足夠的功能，可以產(chǎn)生上面兩種波形，機制如下：

PWM波中間變形

1. 設(shè)定CCR4的DMA通道，并且設(shè)定此時Timer1的preload為禁止狀態(tài)；

TIM_OC1PreloadConfig(TIM1,TIM_OCPreload_Disable);

2. 在CCR4比較值部分產(chǎn)生DMA事件；

DMA_InitStructure.DMA_PeripheralBaseAddr= (uint32_t)(&(TIM1->CCR1));

DMA_InitStructure.DMA_MemoryBaseAddr= (uint32_t)(uint32_t)(hDmaBuff2);

DMA_InitStructure.DMA_DIR =DMA_DIR_PeripheralDST;

DMA_InitStructure.DMA_BufferSize= 2u;

….

TIM_DMACmd(TIM1,TIM_DMA_CC4,ENABLE);

3. 在1點上將CCR1數(shù)據(jù)直接修改為周期數(shù)據(jù)+1；

4. 在2點上將CCR1數(shù)據(jù)修改為CCR1’的數(shù)據(jù)；

5. 時間計算上按照上面的圖示設(shè)定，中間凹陷時間為兩邊補充波形時間之和。

波形移位變形

1. 設(shè)定Timer1的update事件的DMA通道

DMA_InitStructure.DMA_PeripheralBaseAddr =(uint32_t)(&(TIM1->CCR1));

DMA_InitStructure.DMA_MemoryBaseAddr =(uint32_t)(uint32_t)(hDmaBuff2);

DMA_InitStructure.DMA_DIR =DMA_DIR_PeripheralDST;

DMA_InitStructure.DMA_BufferSize = 2u;

……

TIM_DMACmd(TIM1,TIM_DMA_Update,ENABLE);

2. 在1點上更新CCR1數(shù)據(jù)為CCR1數(shù)據(jù)；

3. 在2點上更新CCR1數(shù)據(jù)為CCR1’數(shù)據(jù)；

4. 保證前后的移位時間相同。