RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IC測(cè)試基本原理與ATE測(cè)試向量生成

漢通達(dá) ? 2024-10-12 08:03 ? 次閱讀

IC測(cè)試主要的目的是將合格的芯片與不合格的芯片區(qū)分開(kāi),保證產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性。隨著集成電路的飛速發(fā)展,其規(guī)模越來(lái)越大,對(duì)電路的質(zhì)量與可靠性要求進(jìn)一步提高,集成電路的測(cè)試方法也變得越來(lái)越困難。因此,研究和發(fā)展IC測(cè)試,有著重要的意義。而測(cè)試向量作為IC測(cè)試中的重要部分,研究其生成方法也日漸重要。


1 IC 測(cè)試

1.1 IC測(cè)試原理
IC 測(cè)試是指依據(jù)被測(cè)器件(DUT)特點(diǎn)和功能,給DUT提供測(cè)試激勵(lì)(X),通過(guò)測(cè)量DUT輸出響應(yīng)(Y)與期望輸出做比較,從而判斷DUT是否符合格。圖1所示為IC測(cè)試的基本原理模型。
根據(jù)器件類(lèi)型,IC測(cè)試可以分為數(shù)字電路測(cè)試、模擬電路測(cè)試和混合電路測(cè)試。數(shù)字電路測(cè)試是IC測(cè)試的基礎(chǔ),除少數(shù)純模擬IC如運(yùn)算放大器、電壓比較器、模擬開(kāi)關(guān)等之外,現(xiàn)代電子系統(tǒng)中使用的 大部分IC都包含有數(shù)字信號(hào)。

6f345984-882d-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg
圖1 IC測(cè)試基本原理模型

數(shù)字IC 測(cè)試一般有直流測(cè)試、交流測(cè)試和功能測(cè)試。

1.2 功能測(cè)試
功能測(cè)試用于驗(yàn)證IC是否能完成設(shè)計(jì)所預(yù)期的工作或功能。功能測(cè)試是數(shù)字電路測(cè)試的根本,它模擬IC的實(shí)際工作狀態(tài),輸入一系列有序或隨機(jī)組合的測(cè)試圖形,以電路規(guī)定的速率作用于被測(cè)器件,再在電路輸出端檢測(cè)輸出信號(hào)是否與預(yù)期圖形數(shù)據(jù)相符,以此判別電路功能是否正常。其關(guān)注的重點(diǎn)是圖形產(chǎn)生的速率、邊沿定時(shí)控制、輸入/輸出控制及屏蔽選擇等。
功能測(cè)試分靜態(tài)功能測(cè)試和動(dòng)態(tài)功能測(cè)試。靜態(tài)功能測(cè)試一般是按真值表的方法,發(fā)現(xiàn)固定型(Stuckat)故障。動(dòng)態(tài)功能測(cè)試則以接近電路 工作頻率的速度進(jìn)行測(cè)試,其目的是在接近或高于器件實(shí)際工作頻率的情況下,驗(yàn)證器件的功能和性能。
功能測(cè)試一般在ATE(Automatic Test Equipment)上進(jìn)行,ATE測(cè)試可以根據(jù)器件在設(shè)計(jì)階段的模擬仿真波形,提供具有復(fù)雜時(shí)序的測(cè)試激勵(lì),并對(duì)器件的輸出進(jìn)行實(shí)時(shí)的采樣、比較和判斷。

1.3 交流參數(shù)測(cè)試
交流(AC)參數(shù)測(cè)試是以時(shí)間為單位驗(yàn)證與時(shí)間相關(guān)的參數(shù),實(shí)際上是對(duì)電路工作時(shí)的時(shí)間關(guān)系進(jìn)行測(cè)量,測(cè)量諸如工作頻率、輸入信號(hào)輸出信號(hào)隨時(shí)間的變化關(guān)系等。常見(jiàn)的測(cè)量參數(shù)有上升和下降時(shí)間、傳輸延遲、建立和保持時(shí)間以及存儲(chǔ)時(shí)間等。交流參數(shù)最關(guān)注的是最大測(cè)試速率和重復(fù)性能,然后為準(zhǔn)確度。

1.4 直流參數(shù)測(cè)試
直流測(cè)試是基于歐姆定律的,用來(lái)確定器件參數(shù)的穩(wěn)態(tài)測(cè)試方法。它是以電壓或電流的形式驗(yàn)證電氣參數(shù)。直流參數(shù)測(cè)試包括:接觸測(cè)試、漏電流測(cè)試、轉(zhuǎn)換電平測(cè)試、輸出電平測(cè)試、電源消耗測(cè)試等。
直流測(cè)試常用的測(cè)試方法有加壓測(cè)流(FVMI)和加流測(cè)壓(FIMV),測(cè)試時(shí)主要考慮測(cè)試準(zhǔn)確度和測(cè)試效率。通過(guò)直流測(cè)試可以判明電路的質(zhì)量。如通過(guò)接觸測(cè)試判別IC引腳的開(kāi)路/短路情況、通過(guò)漏電測(cè)試可以從某方面反映電路的工藝質(zhì)量、通過(guò)轉(zhuǎn)換電平測(cè)試驗(yàn)證電路的驅(qū)動(dòng)能力和抗噪聲能力。
直流測(cè)試是IC測(cè)試的基礎(chǔ),是檢測(cè)電路性能和可靠性的基本判別手段。

1.5 ATE測(cè)試平臺(tái)
ATE(Automatic Test Equipment)是自動(dòng)測(cè)試設(shè)備,它是一個(gè)集成電路測(cè)試系統(tǒng),用來(lái)進(jìn)行IC測(cè)試。一般包括計(jì)算機(jī)和軟件系統(tǒng)、系統(tǒng)總線控制系統(tǒng)、圖形存儲(chǔ)器、圖形控制器、定時(shí)發(fā)生器、精密測(cè)量單元(PMU)、可編程電源和測(cè)試臺(tái)等。
系統(tǒng)控制總線提供測(cè)試系統(tǒng)與計(jì)算機(jī)接口卡的連接。圖形控制器用來(lái)控制測(cè)試圖形的順序流向,是數(shù)字測(cè)試系統(tǒng)的CPU。它可以提供DUT所需電源、圖形、周期和時(shí)序、驅(qū)動(dòng)電平等信息。

2 測(cè)試向量及其生成
測(cè)試向量(Test Vector)的一個(gè)基本定義是:測(cè)試向量是每個(gè)時(shí)鐘周期應(yīng)用于器件管腳的用于測(cè)試或者操作的邏輯1和邏輯0數(shù)據(jù)。這一定義聽(tīng)起來(lái)似乎很簡(jiǎn)單,但在真實(shí)應(yīng)用中則復(fù)雜得多。因?yàn)檫壿?和邏輯0是由帶定時(shí)特性和電平特性的波形代表的,與波形形狀、脈沖寬度、脈沖邊緣或斜率以及上升沿 和下降沿的位置都有關(guān)系。

2.1 ATE測(cè)試向量
在ATE語(yǔ)言中,其測(cè)試向量包含了輸入激勵(lì)和預(yù)期存儲(chǔ)響應(yīng),通過(guò)把兩者結(jié)合形成ATE 的測(cè)試圖形。這些圖形在ATE中是通過(guò)系統(tǒng)時(shí)鐘上升和下降沿、器件管腳對(duì)建立時(shí)間和保持時(shí)間的要求和一定的格式化方式來(lái)表示的。格式化方式一般有RZ(歸零)、RO(歸1)、NRZ(非歸零)和NRZI(非歸零反)等。
圖2為RZ和R1格式化波形,圖3為NRZ和NRZI格式化波形。
6f5e4eba-882d-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg
圖2 RZ和R1數(shù)據(jù)格式波形?
6f84d918-882d-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg
圖3 NRZ和NRZI數(shù)據(jù)格式波形

RZ數(shù)據(jù)格式,在系統(tǒng)時(shí)鐘的起始時(shí)間T0,RZ測(cè)試波形保持為“0”,如果在該時(shí)鐘周期圖形存儲(chǔ)器輸出圖形數(shù)據(jù)為“1”,則在該周期的時(shí)鐘周期期間,RZ測(cè)試波形由“0”變換到“1”,時(shí)鐘結(jié)束時(shí),RZ 測(cè)試波形回到“0”。若該時(shí)鐘周期圖形存儲(chǔ)器輸出圖形數(shù)據(jù)為“0”,則RZ測(cè)試波形一直保持為“0”,在時(shí)鐘信號(hào)周期內(nèi)不再發(fā)生變化。歸“1”格式(R1)與RZ相反。

非歸“0”(NRZ)數(shù)據(jù)格式,在系統(tǒng)時(shí)鐘起始時(shí)間T0,NRZ測(cè)試波形保持T0前的波形,根據(jù)本時(shí)鐘周期圖形文件存儲(chǔ)的圖形數(shù)據(jù)在時(shí)鐘的信號(hào)沿變化。即若圖形文件存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為“1”,那么在相應(yīng)時(shí)鐘邊沿,波形則變化為“1”。NRZI波形是NRZ波形的反相。

在ATE中,通過(guò)測(cè)試程序?qū)r(shí)鐘周期、時(shí)鐘前沿、時(shí)鐘后沿和采樣時(shí)間的定義,結(jié)合圖形文件中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),形成實(shí)際測(cè)試時(shí)所需的測(cè)試向量。

ATE測(cè)試向量與EDA設(shè)計(jì)仿真向量不同,而且不同的ATE,其向量格式也不盡相同。以JC-3165型ATE為例,其向量格式如圖4所示。

ATE向量信息以一定格式的文件保存,JC-3165向量文件為*.MDC文件。在ATE測(cè)試中,需將*.MDC文件通過(guò)圖形文件編譯器,編譯成測(cè)試程序可識(shí)別的*.MPD文件。在測(cè)試程序中,通過(guò)裝載圖形命令裝載到程序中。
6faac43e-882d-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg
圖4 ATE測(cè)試向量格式

2.2 ATE測(cè)試向量的生成

對(duì)簡(jiǎn)單的集成電路,如門(mén)電路,其ATE測(cè)試向量一般可以按照ATE向量格式手工完成。而對(duì)于一些集成度高,功能復(fù)雜的IC,其向量數(shù)據(jù)龐大,一般不可能依據(jù)其邏輯關(guān)系直接寫(xiě)出所需測(cè)試向量,因此,有必要探尋一種方便可行的方法,完成ATE向量的生成。

IC設(shè)計(jì)制造產(chǎn)業(yè)中,設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和仿真是不可分離的。其ATE 測(cè)試向量生成的一種方法是,從基于EDA工具的仿真向量(包含輸入信號(hào)和期望的輸出),經(jīng)過(guò)優(yōu)化和轉(zhuǎn)換,形成ATE格式的測(cè)試向量。

依此,可以建立一種向量生成方法。利用EDA工具建立器件模型,通過(guò)建立一個(gè)Test bench仿真驗(yàn)證平臺(tái),對(duì)其提供測(cè)試激勵(lì),進(jìn)行仿真,驗(yàn)證仿真結(jié)果,將輸入激勵(lì)和輸出響應(yīng)存儲(chǔ),按照ATE向量格式,生成ATE向量文件。其原理如圖5所示。
6fd316fa-882d-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg
圖5 ATE向量生成示意圖

2.3 測(cè)試平臺(tái)的建立

(1)DUT模型的建立
① 164245模型:在Modelsim工具下用Verilog HDL語(yǔ)言[5],建立164245模型。164245是一個(gè)雙8位雙向電平轉(zhuǎn)換器,有4個(gè)輸入控制端:1DIR,1OE,2DIR,2OE;4組8位雙向端口:1A,1B,2A,2B。端口列表如下:
input DIR_1,DIR_2,OE_1,OE_2;
inout [0:7] a_1,a_2,b_1,b_2;
reg [0:7] bfa1,bfb1,bfa2,bfb2;//緩沖區(qū)
② 緩沖器模型:建立一個(gè)8位緩沖器模型,用來(lái)做Test bench 與164245 之間的數(shù)據(jù)緩沖,通過(guò) 在Testbench總調(diào)用緩沖器模塊,解決Test bench與164245模型之間的數(shù)據(jù)輸入問(wèn)題。

(2)Test bench的建立
依據(jù)器件功能,建立Test bench平臺(tái),用來(lái)輸入仿真向量。
Test bench中變量定義:
reg dir1,dir2,oe1,oe2;//輸入控制端
reg[0:7] a1,a2,b1,b2;//數(shù)據(jù)端
reg[0:7] A1_out[0:7];//存儲(chǔ)器,用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
reg[0:7] A2_out[0:7];
reg[0:7] B1_out[0:7];
reg[0:7] B2_out[0:7];
通過(guò)Test bench 提供測(cè)試激勵(lì),經(jīng)過(guò)緩沖區(qū)接口送入DUT,觀察DUT輸出響應(yīng),如果滿足器件功能要求,則存儲(chǔ)數(shù)據(jù),經(jīng)過(guò)處理按照ATE 圖形文件格式產(chǎn)生*.MDC 文件;若輸出響應(yīng)有誤,則返回Test bench 和DUT模型進(jìn)行修正。其原理框圖可表示如圖6所示。

6fff621e-882d-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg
圖6 Test bench驗(yàn)證平臺(tái)框圖

(3)仿真和驗(yàn)證
通過(guò)Test bench 給予相應(yīng)的測(cè)試激勵(lì)進(jìn)行仿真,得到預(yù)期的結(jié)果,實(shí)現(xiàn)了器件功能仿真,并獲得了測(cè)試圖形。圖7和圖8為部分仿真結(jié)果。
702e4fe8-882d-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg
圖7 仿真數(shù)據(jù)結(jié)果

在JC-3165的*.MDC圖形文件中,對(duì)輸入引腳,用“1”和“0”表示高低電平;對(duì)輸出引腳,用“H”和“L”表示高低電平;“X”則表示不關(guān)心狀態(tài)。由于在仿真時(shí),輸出也是“0”和“1”,因此在驗(yàn)證結(jié)果正確后,對(duì)輸出結(jié)果進(jìn)行了處理,分別將“0”和“1”轉(zhuǎn)換為“L”和“H”,然后放到存儲(chǔ)其中,最后生成*.MDC圖形文件。
70590d8c-882d-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg
圖8 生成的*.MDC文件

3 結(jié)論
本文在Modelsim環(huán)境下,通過(guò)Verilog HDL語(yǔ)言建立一個(gè)器件模型,搭建一個(gè)驗(yàn)證仿真平臺(tái),對(duì)164245進(jìn)行了仿真,驗(yàn)證了164245的功能,同時(shí)得到了ATE所需的圖形文件,實(shí)現(xiàn)了預(yù)期所要完成的任務(wù)。
隨著集成電路的發(fā)展,芯片設(shè)計(jì)水平的不斷提高,功能越來(lái)越復(fù)雜,測(cè)試圖形文件也將相當(dāng)復(fù)雜且巨大,編寫(xiě)出全面、有效,且基本覆蓋芯片大多數(shù)功能的測(cè)試圖形文件逐漸成為一種挑戰(zhàn),在ATE上實(shí)現(xiàn)測(cè)試圖形自動(dòng)生成已不可能。因此,有必要尋找一種 能在EDA工具和ATE測(cè)試平臺(tái)之間的一種靈活通訊的方法。
目前常用的一種方法是,通過(guò)提取EDA工具產(chǎn)生的VCD仿真文件中的信息,轉(zhuǎn)換為ATE測(cè)試平臺(tái)所需的測(cè)試圖形文件,這需要對(duì)VCD文件有一定的了解,也是進(jìn)一步的工作。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    455

    文章

    50714

    瀏覽量

    423132
  • IC測(cè)試
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    40

    瀏覽量

    23600
  • 功能測(cè)試
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    30

    瀏覽量

    9708
  • ATE
    ATE
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    124

    瀏覽量

    26622
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    聊聊IC測(cè)試機(jī)(2)IC測(cè)試基本原理ATE測(cè)試向量生成

    IC測(cè)試主要的目的是將合格的芯片與不合格的芯片區(qū)分開(kāi),保證產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性。
    的頭像 發(fā)表于 11-01 15:35 ?1932次閱讀
    聊聊<b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>機(jī)(2)<b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b><b class='flag-5'>基本原理</b>與<b class='flag-5'>ATE</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b><b class='flag-5'>向量</b><b class='flag-5'>生成</b>

    聊聊IC測(cè)試機(jī)(3)基于ATEIC測(cè)試原理、方法及故障分析

    本文以ATE為基礎(chǔ),討論了 集成電路測(cè)試基本原理測(cè)試方法,并進(jìn)行了故 障分析.
    的頭像 發(fā)表于 11-01 15:39 ?2085次閱讀
    聊聊<b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>機(jī)(3)基于<b class='flag-5'>ATE</b>的<b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>原理、方法及故障分析

    聊聊IC測(cè)試機(jī)(4)DFT PLL向量ATE怎么用?

    自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 (ATE)對(duì)PLL(鎖相環(huán))進(jìn)行測(cè)試時(shí),我們首先要明白PLL在系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)中的重要性。
    的頭像 發(fā)表于 11-01 15:43 ?2371次閱讀
    聊聊<b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>機(jī)(4)DFT PLL<b class='flag-5'>向量</b>,<b class='flag-5'>ATE</b>怎么用?

    IC測(cè)試原理——芯片測(cè)試原理

    芯片測(cè)試原理討論在芯片開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中芯片測(cè)試基本原理,一共分為四章,下面將要介紹的是第二章。我們?cè)诘谝徽陆榻B了芯片測(cè)試基本原理; 第二
    發(fā)表于 01-11 10:36

    IC測(cè)試基本原理是什么?

    IC測(cè)試基本原理是什么?ATE測(cè)試向量是什么?
    發(fā)表于 05-07 06:43

    IC測(cè)試基本原理是什么?

    本文詳細(xì)介紹了芯片開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中的IC測(cè)試基本原理
    發(fā)表于 05-08 07:33

    JTAG的基本原理測(cè)試總結(jié)

    、JTAGJTAG的基本原理是在器件內(nèi)部定義一個(gè)TAP(測(cè)試訪問(wèn)口),通過(guò)專(zhuān)用的JTAG測(cè)試工具對(duì)內(nèi)部節(jié)點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試。除了TAP之外,混合IC
    發(fā)表于 02-17 08:00

    時(shí)序電路測(cè)試向量的壓縮

    時(shí)序電路測(cè)試生成算法產(chǎn)生的向量存在冗余。針對(duì)此問(wèn)題提出一種壓縮算法,減少測(cè)試序列的總長(zhǎng)度,從而減少了仿真的時(shí)間和ATE 設(shè)備的
    發(fā)表于 08-29 11:00 ?8次下載

    電阻測(cè)試儀的基本原理和選購(gòu)

    電阻測(cè)試儀的基本原理和選購(gòu) 一、耐電壓測(cè)試儀耐電壓測(cè)試儀又叫電氣絕緣強(qiáng)度試驗(yàn)儀或叫介質(zhì)強(qiáng)度測(cè)試儀。將一規(guī)定交流或直流高壓
    發(fā)表于 10-08 08:00 ?1462次閱讀

    芯片開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)中的IC測(cè)試基本原理

      1 引言   本文主要討論芯片開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中的IC測(cè)試基本原理,內(nèi)容覆蓋了基本的測(cè)試原理,影響測(cè)試決策的基本因素以及
    發(fā)表于 09-02 11:19 ?3832次閱讀

    LDO的基本原理測(cè)試

    針對(duì)LDO的基本原理進(jìn)行闡述,以及測(cè)試設(shè)計(jì)
    發(fā)表于 11-01 17:39 ?148次下載
    LDO的<b class='flag-5'>基本原理</b>與<b class='flag-5'>測(cè)試</b>

    IC測(cè)試原理與ATE測(cè)試向量生成

    越來(lái)越困難。因此,研究和發(fā)展IC測(cè)試,有著重要的意義。而測(cè)試向量作為IC測(cè)試中的重要部分,研究其
    發(fā)表于 10-20 09:57 ?75次下載
    <b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>原理與<b class='flag-5'>ATE</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b><b class='flag-5'>向量</b>的<b class='flag-5'>生成</b>

    測(cè)試向量是什么意思

    測(cè)試向量及其生成 測(cè)試向量(Test Vector)的一個(gè)基本定義是:測(cè)試
    的頭像 發(fā)表于 10-30 11:23 ?3274次閱讀
    <b class='flag-5'>測(cè)試</b><b class='flag-5'>向量</b>是什么意思

    IC芯片測(cè)試基本原理是什么?

    IC芯片測(cè)試基本原理是什么? IC芯片測(cè)試是指對(duì)集成電路芯片進(jìn)行功能、可靠性等方面的驗(yàn)證和測(cè)試,
    的頭像 發(fā)表于 11-09 09:18 ?2041次閱讀

    IC測(cè)試的定義和基本原理

    IC測(cè)試,即集成電路測(cè)試,是集成電路設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。它主要通過(guò)對(duì)集成電路的性能、功能和可靠性進(jìn)行測(cè)試,以確保集成電路在實(shí)際應(yīng)用中能夠滿足設(shè)計(jì)要求和性能指標(biāo)。 一、
    的頭像 發(fā)表于 07-10 14:45 ?1784次閱讀
    RM新时代网站-首页