裸硅芯片無壓燒結(jié)銀，助力客戶降本增效

作為全球燒結(jié)銀的領(lǐng)航者，善仁新材重“芯“出發(fā)，再次開發(fā)出引領(lǐng)燒結(jié)銀行業(yè)的革命----推出裸硅芯片的無壓燒結(jié)銀AS9332，此款燒結(jié)銀得到客戶的廣泛認(rèn)可。

在半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展中，裸硅芯片（Bare Silicon Chip）與無壓燒結(jié)銀（Pressureless Silver Sintering）AS9332的結(jié)合，正成為新一代高功率、高密度電子器件封裝領(lǐng)域的一項關(guān)鍵技術(shù)突破。本文將深入探討裸硅芯片無壓燒結(jié)銀AS9332的技術(shù)原理、優(yōu)勢、應(yīng)用前景以及面臨的挑戰(zhàn)，以期為行業(yè)同仁提供有價值的參

一 無壓燒結(jié)銀技術(shù)原理

無壓燒結(jié)銀AS9332，作為一種創(chuàng)新的芯片互連材料，其核心在于利用納米銀顆粒的獨特表面能和低溫?zé)Y(jié)特性，實現(xiàn)芯片與基板之間的高效連接。傳統(tǒng)芯片封裝多采用錫基焊料，但其較低的熔點和導(dǎo)熱性能限制了其在高溫、高功率環(huán)境下的應(yīng)用。而AS9332通過納米銀顆粒的固相燒結(jié)，在遠低于銀熔點的溫度下實現(xiàn)顆粒間的緊密結(jié)合，形成高強度、高導(dǎo)熱性的連接層。這一過程中，無需外部壓力，僅通過控制燒結(jié)溫度和時間即可完成，大大降低了生產(chǎn)成本和復(fù)雜度。

二 無壓燒結(jié)銀優(yōu)勢分析

1. 低溫?zé)o壓燒結(jié)：AS9332能夠在遠低于傳統(tǒng)銀燒結(jié)溫度的條件下實現(xiàn)燒結(jié)，如善仁新材開發(fā)的AS9378TB系列，甚至可以在150℃下完成燒結(jié)，這不僅保護了熱敏感部件，還提高了生產(chǎn)效率。

2. 優(yōu)異的導(dǎo)熱導(dǎo)電性：納米銀燒結(jié)層的導(dǎo)熱系數(shù)遠高于傳統(tǒng)焊料，可達到100-160W/M.K，確保了高功率芯片在工作時產(chǎn)生的熱量能夠迅速散出，提高了器件的穩(wěn)定性和可靠性。

3. 高剪切強度：AS9332燒結(jié)后形成的連接層具有極高的剪切強度，剪切強度高達40MPa(2*4mm2芯片）能夠承受較大的機械應(yīng)力和熱應(yīng)力，適用于高振動、高沖擊的工作環(huán)境。

4. 環(huán)保無污染：無鉛設(shè)計，符合現(xiàn)代電子工業(yè)的環(huán)保要求，避免了鉛等有害物質(zhì)對環(huán)境和人體的危害。

5. 簡化工藝流程：無需復(fù)雜的加壓設(shè)備和特殊工藝，可在普通烘箱中完成燒結(jié)，降低了生產(chǎn)成本和門檻。

三 無壓燒結(jié)銀應(yīng)用前景

隨著第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的興起，高功率、高溫、高頻的應(yīng)用場景日益增多。裸硅芯片無壓燒結(jié)銀AS9332因其卓越的性能，在以下領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景：

1. 新能源汽車：SiC和GaN芯片在電動汽車的電機控制器、電池管理系統(tǒng)和充電設(shè)施中廣泛應(yīng)用，AS9378的高導(dǎo)熱性和可靠性能夠顯著提升這些系統(tǒng)的性能和壽命。

2. 智能電網(wǎng)：智能電網(wǎng)中的高壓直流輸電（HVDC）、柔性交流輸電系統(tǒng)（FACTS）等設(shè)備對電力電子器件的可靠性要求極高，AS9332的燒結(jié)技術(shù)為這些設(shè)備的封裝提供了理想的解決方案。

3. 航空航天：在極端溫度、振動和輻射環(huán)境下，AS9332的耐高溫、高可靠性特性使其成為航空航天電子器件封裝的優(yōu)選材料。

4. 消費電子：隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的發(fā)展，消費電子產(chǎn)品的功率密度和集成度不斷提高，AS9332的應(yīng)用將有助于提高產(chǎn)品的性能和用戶體驗。

綜上所述，裸硅芯片無壓燒結(jié)銀AS9332作為一項前沿技術(shù)，正逐步改變著半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的格局。隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步降低，相信其將在更多領(lǐng)域展現(xiàn)出強大的生命力和廣闊的應(yīng)用前景。