近日,順絡(luò)電子近期推出了全新的低損耗電感系列產(chǎn)品。這一創(chuàng)新方案由WT系列與WCX系列組合而成,旨在為用戶提供高性能、高可靠性以及更低成本的電感解決方案,進一步推動DDR5技術(shù)的普及與發(fā)展。
WT系列電感以其卓越的電氣性能和出色的損耗控制能力,成為了DDR5系統(tǒng)中的理想選擇。而與之搭配的WCX系列,則通過其精細的設(shè)計和制造工藝,確保了電感在高頻、高電流環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。兩者相得益彰,共同為DDR5系統(tǒng)的高效運行提供了堅實的保障。
值得一提的是,順絡(luò)電子的DDR5電感方案已經(jīng)成功通過了多家海外知名PMIC(電源管理集成電路)廠家的嚴格測試與認證。這一成果不僅證明了順絡(luò)電子在電感技術(shù)研發(fā)方面的深厚實力,也為其在全球市場上的進一步拓展奠定了堅實的基礎(chǔ)。
此外,該方案還符合JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)制定的效率標準,這意味著它在能效方面同樣表現(xiàn)出色。隨著DDR5技術(shù)的不斷推廣和普及,順絡(luò)電子的這一電感方案無疑將為用戶帶來更加高效、可靠的使用體驗。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率
發(fā)表于 11-29 14:58
?314次閱讀
全球半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)的完整內(nèi)存接口芯片組解決方
發(fā)表于 11-22 18:09
?387次閱讀
DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5(Double Data Rate 5)是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)。它是
發(fā)表于 11-22 15:38
?676次閱讀
谷景推出電感新方案助力電梯行業(yè)降本增效編輯:谷景電子在電梯行業(yè)產(chǎn)品制造中,電感作為非常重要的一種
發(fā)表于 09-16 23:16
?0次下載
M5513是一款適用于下一代DDR5多路復用列雙列直插存儲器的全包式存儲器測試系統(tǒng)
存儲器模塊(MR-DIMM)。該測試系統(tǒng)以極快的速度運行,是長期運行的理想解決方案
DIMM開發(fā)和測試。它包含一個完整
發(fā)表于 08-06 12:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)最近,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM技術(shù)標準即將推出。在標準正式發(fā)布之前,SK海力士、三星、美光等廠商已經(jīng)著手DDR
發(fā)表于 07-31 18:26
?5270次閱讀
DDR5標準JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內(nèi)存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對而言比較細。不知道你開始使用DDR5沒有,你有關(guān)
發(fā)表于 07-16 17:47
?1786次閱讀
工業(yè)類設(shè)備,從終端產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心,用于CPU進行數(shù)據(jù)處理運算的緩存。近20多年來,經(jīng)歷了從SDRAM發(fā)展到DDR RAM,又從DDR發(fā)展到目前的DDR5,每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性
發(fā)表于 04-01 11:37
?1051次閱讀
2021 年,JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標準,標志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules (DIMM) 的過渡。
發(fā)表于 03-17 09:50
?3012次閱讀
近日,國內(nèi)電感變壓器龍頭順絡(luò)電子披露業(yè)績報告。2023年,順絡(luò)
發(fā)表于 03-06 14:03
?596次閱讀
DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內(nèi)存技術(shù),以幫助你選擇更
發(fā)表于 01-12 16:43
?8568次閱讀
瀾起科技,一直致力于引領(lǐng)內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新,近日再次實現(xiàn)了重大突破。經(jīng)過不斷的技術(shù)積累和產(chǎn)品升級,他們成功研發(fā)出DDR5第四子代RCD芯片(DDR5 RCD04),進一步鞏固了其在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
發(fā)表于 01-07 16:30
?951次閱讀
LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存,它們在時序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標準,但它們面向不同的應(yīng)用場景,并且在設(shè)計上有一些不同。 首先,讓我們來了解一下LPDDR5
發(fā)表于 01-04 10:22
?4612次閱讀
近日,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片(DDR5 RCD04),該芯片支持高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較DDR5第一子代RCD速率提升50%,
發(fā)表于 01-04 09:26
?664次閱讀
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
發(fā)表于 12-25 09:51
?18次下載
評論