IIC Shenzhen – 2024國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)將在11月5-6日于深圳福田會(huì)展中心舉行。PI公司營(yíng)銷副總裁Doug Bailey先生將在11月5日出席全球CEO峰會(huì),并帶來(lái)專題演講,分析以高壓氮化鎵取代碳化硅的市場(chǎng)趨勢(shì)。
IIC Shenzhen – 2024 全球CEO峰會(huì)
演講時(shí)間
11月5日(周二) 1320
演講主題
Will SiC Survive The Emergence of Super-High Voltage GaN?
碳化硅能否經(jīng)受住超高壓氮化鎵的沖擊?
主講人
Doug Bailey
Power Integrations,營(yíng)銷副總裁
氮化鎵不僅性能超越碳化硅,更有制造成本優(yōu)勢(shì),但其耐壓性較低,應(yīng)用上僅限于消費(fèi)類產(chǎn)品和市電場(chǎng)合。PI公司正加速研發(fā)更高壓的氮化鎵技術(shù)。本次演講從更高視角闡明氮化鎵與碳化硅的性能對(duì)比,并提出未來(lái)的商業(yè)路線圖。
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原文標(biāo)題:IIC Shenzhen 2024 – 歡迎參加Aspencore全球CEO峰會(huì)
文章出處:【微信號(hào):Power_Integrations,微信公眾號(hào):PI電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
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