做嵌入式系統(tǒng)軟件開發(fā),經(jīng)常在代碼中看到各種各樣的對齊,很多時候我們都是知其然不知其所以然,知道要做好各種對齊,但是不明白為什么要對齊,不對齊會有哪些后果,這篇文章大概總結(jié)了內(nèi)存對齊的理由。
CPU體系結(jié)構(gòu)和MMU的要求
目前有一些RISC指令集的CPU不支持非對齊的內(nèi)存變量訪問操作,比如 MIPS/PowerPC/某些DSP等等,如果發(fā)生非對齊的內(nèi)存訪問,會產(chǎn)生unaligned exception 異常。
ARM指令集是從ARMv6(ARM11)開始支持非對齊內(nèi)存訪問的,以前老一點的ARM9的CPU也是不支持非對齊訪問的。ARM指令集支持的部分特性迭代如下:
盡管現(xiàn)代的ARMv7 ARMv8 指令集的Cortex-AXX系列CPU都支持非對齊內(nèi)存訪問,但是考慮到如下圖所示現(xiàn)代SOC芯片里面多種異構(gòu)CPU協(xié)調(diào)工作的情況,主CPU用于跑Linux/Android操作系統(tǒng)的ARM64可以支持非對齊內(nèi)存訪問,但是SOC里面還有其它不知道體系結(jié)構(gòu)和版本的協(xié)CPU(可能是MIPS, ARM7,Cortex-R/M系列, 甚至51單片機核),這些協(xié)CPU都和主ARM64主CPU共享物理內(nèi)存的不同地址段,并且有自己的固件程序在內(nèi)存上運行,所以在劃分地址空間的時候還是要注意內(nèi)存對齊的問題,尤其是考慮到這些協(xié)CPU可能不支持非對齊訪問,同樣在編寫協(xié)CPU固件程序的時候,也要清晰認(rèn)識到該CPU是否支持非對齊內(nèi)存訪問。
image.png
同樣在ARM的MMU虛擬地址管理中,也有內(nèi)存地址對齊的要求,下圖是ARM的MMU的工作原理和多級頁表(Translation Tables)的索引關(guān)系圖
ARM體系架構(gòu)的MMU要求
arm 32位體系結(jié)構(gòu)要求L1第一級頁表基地址(The L1 Translation Table Base Addr)對齊到16KB的地址邊界,L2第二級頁表地址(The L2 Translation Table Add)對齊到1KB的地址邊界。
ARM 64位體系結(jié)構(gòu)要求虛擬地址的第21-28位VA[28:21]對齊到64 KB granule, 第16到20位VA[20:16]對齊到4 KB granule。
ARM 的Memory ordering特性中的不同Memory types對非對齊內(nèi)存訪問的支持的要求是不同的。下圖是ARM Memory ordering特性中三種不同的Memory types訪問規(guī)則
只有Normal Memory是支持非對齊內(nèi)存訪問的
Strongly-ordered 和 Device Memory不支持非對齊內(nèi)存訪問
對原子操作的影響
盡管現(xiàn)代的ARMv7 ARMv8 指令集的ARM CPU支持非對齊內(nèi)存訪問,但是非對齊內(nèi)存訪問是無法保證操作的原子性。下圖分別是一個變量在內(nèi)存對齊和非對齊的時候的內(nèi)存布局:
內(nèi)存對齊的變量訪問,使用單個通用的CPU寄存器暫存,一個內(nèi)存對齊的變量的讀寫操作能保證是單次原子操作.
非對齊的變量的內(nèi)存訪問是非原子操作,他們通常情況下訪問一個非對齊的內(nèi)存中的變量需要2次分別的對內(nèi)存進行訪問,因而不能保證原子性,一旦發(fā)生2次分別內(nèi)存訪問,2次分別的訪問中間就有可能被異步事件打斷,造成變量改變,因而不能保證原子性。
ARM NEON的要求
現(xiàn)代ARM CPU一般都有一個NEON的協(xié)處理器,一般用在浮點計算中用來做SIMD并行矢量加速計算。下圖是NEON SIMD并行矢量計算的基本原理圖:
NEON本身是支持非對齊內(nèi)存訪問的
但是NEON訪問非對齊的內(nèi)存一般會有2個指令周期的時間penalty
通常情況下,為了靈活應(yīng)用NEON的并行計算特性,在做SIMD并行矢量加速運算時,我們要根據(jù)NEON寄存器的Lane的bits數(shù)對齊相應(yīng)的變量。如果是配置成8-bits的計算,就做8-bits對齊,如果是16-bits計算,就做16-bits對齊,以此類推,NEON的并行矢量計算的lane根據(jù)spec手冊,有各種靈活配置的方法。
對性能perf的影響
通常而言,盡管現(xiàn)代的ARM CPU已經(jīng)支持非對齊內(nèi)存的訪問,但是ARM訪問非對齊的內(nèi)存地址還是會造成明顯的性能下降。因為訪問一個非對齊的內(nèi)存,需要增加多次load/store內(nèi)存變量次數(shù),進而增加了程序運行的指令周期
才有perf工具進行性能分析,能看到非對齊內(nèi)存訪問的性能下降,在perf工具中有一個alignment-faults的事件,可以觀察程序訪問非對齊內(nèi)存的事件統(tǒng)計
cache line 對齊
除了通常所講的根據(jù)CPU訪問內(nèi)存的地址位數(shù)的內(nèi)存對齊之外,在程序優(yōu)化的時候,還要考慮到cache存在的情況,根據(jù)cache line的長度來對齊你的訪問變量。
cache和cache line的結(jié)構(gòu)原理圖如下(其中圖2從該文章引用自: cenalulu),cache line是cache和內(nèi)存進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)淖钚挝?,一般cache都是以cache line的長度一次讀寫內(nèi)存中的映射地址。
在ARM 系列的CPU中,不同型號的ARM CPU的cache line長度是不一樣的,因此同樣是基于ARM平臺的CPU,從A平臺移植優(yōu)化過的程序到B平臺時,一定要注意不同CPU的cache line大小是否一致,是否要重新調(diào)整cache line對齊優(yōu)化。下圖是ARMv7幾款公版CPU的cache line的資料手冊,ARMv8 64位的公版CPU(A53, A57, A72, A73)目前的cache line大小都是64 bytes, 但是各家公司基于公版ARM的定制版CPU的cache line大小可能有差異,一定要參考相關(guān)TRM手冊進行調(diào)整、對齊、優(yōu)化.
下圖是一個例子關(guān)于未做cache line對齊的情況下,進行內(nèi)存讀寫性能抖動的例子,引用自cenalulu.測試代碼如下程序的大意,對不同大小的數(shù)組進行1億次讀寫操作,統(tǒng)計不同數(shù)組size時的讀寫時間。從測試的結(jié)果可以看出,當(dāng)數(shù)組大小小于cache line size時,讀寫時間基本變化不大,當(dāng)數(shù)組大小剛剛超過cache line size的時候,讀寫時間發(fā)生了劇烈的抖動。這是因為超過cache line 大小的數(shù)組元素可能沒有提前預(yù)讀到cache line中,在訪問完cache line中的數(shù)組元素之后,要重新從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù),刷新cache line,因而產(chǎn)生了性能抖動。通過這個例子告訴我們,充分利用系統(tǒng)cache特性,根據(jù)cache line對齊你的數(shù)據(jù),保證程序訪問的局部數(shù)據(jù)都在一個cache line中可以提升系統(tǒng)性能。
#include"stdio.h" #include#include longtimediff(clock_tt1,clock_tt2){ longelapsed; elapsed=((double)t2-t1)/CLOCKS_PER_SEC*1000; returnelapsed; } intmain(intargc,char*argv[]) #******* { intarray_size=atoi(argv[1]); intrepeat_times=1000000000; longarray[array_size]; for(inti=0;i image.jpg
沒有對齊到同一個cache line中的變量,在多核SMP系統(tǒng)中,cross cache line操作是非原子操作,存在篡改的風(fēng)險。該例子引用自kongfy)測試代碼如下,程序大意是,系統(tǒng)cpu的cache line是64字節(jié),一個68字節(jié)的結(jié)構(gòu)體struct data, 其中前面填充60字節(jié)的pad[15]數(shù)組,最后一個8字節(jié)的變量v, 這樣結(jié)構(gòu)體大小超過了64字節(jié),最后一個變量v的前后部分可定不在同一個cache line中,整個結(jié)構(gòu)體沒法根據(jù)cache line對齊。全局變量value.v初始值是0, 程序開多線程,對全局變量value.v進行多次~位取反操作,直覺上最后結(jié)果value.v的位結(jié)果不是全0就是全1,但是最后value.v的位結(jié)果居然是一半1一半0, 這就是由于cross cache line 操作是非原子性的,導(dǎo)致一個線程對value.v前半部分取反的時候,另外的線程對后半部分在另一個cache line同時取反,然后前一個線程再對另一個cache line的value.v后半部分取反,導(dǎo)致和直覺不一致。
#include#include #include #include usingnamespacestd; staticconstint64_tMAX_THREAD_NUM=128; staticint64_tn=0; staticint64_tloop_count=0; #pragmapack(1) structdata { int32_tpad[15]; int64_tv; }; #pragmapack() staticdatavalue__attribute__((aligned(64))); staticint64_tcounter[MAX_THREAD_NUM]; voidworker(int*cnt) { for(int64_ti=0;i ",argv[0]); exit(1); } /*Parseargument*/ n=min(atol(argv[1]),MAX_THREAD_NUM); loop_count=atol(argv[2]);/*Don'tbotherwithformatchecking*/ /*Startthethreads*/ for(int64_ti=0L;i
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原文標(biāo)題:【內(nèi)存管理】ARM嵌入式系統(tǒng)為什么要做內(nèi)存對齊
文章出處:【微信號:嵌入式與Linux那些事,微信公眾號:嵌入式與Linux那些事】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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