RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

AM:用于惡劣照明條件下高效機(jī)器視覺的雙自適應(yīng)異質(zhì)結(jié)突觸晶體管

新機(jī)器視覺 ? 來源:新機(jī)器視覺 ? 2024-11-14 11:38 ? 次閱讀

背景介紹

機(jī)器視覺系統(tǒng)由圖像獲取,預(yù)處理和分析模塊組成,這些模塊打算像人類視覺系統(tǒng)一樣執(zhí)行檢測(cè),處理和識(shí)別功能,已成為各種智能場(chǎng)景的最重要方面之一,包括無人駕駛汽車,機(jī)器人技術(shù)和工業(yè)制造等。在獲取圖像數(shù)據(jù)時(shí),實(shí)際場(chǎng)景中的嚴(yán)酷環(huán)境不確定性(例如不均勻的照明和不穩(wěn)定的視圖場(chǎng))可能會(huì)導(dǎo)致捕獲的圖像包含非理想因素。為了降低硬件的復(fù)雜性并提高圖像識(shí)別效率,需要精確的原位置增強(qiáng)和對(duì)非結(jié)構(gòu)化信息的過濾,而不是引入額外的輔助照明。在這方面 - 傳感器處理可能提供機(jī)會(huì)。但是,由于光伏效應(yīng)或光電導(dǎo)電效應(yīng)通常會(huì)發(fā)生,并有助于在光條件下(即陽性光電導(dǎo)率)增加通道電流,仍然需要仔細(xì)的光晶體管設(shè)備設(shè)計(jì)來追求光晶體管設(shè)備負(fù)光電導(dǎo)率(NPC),這對(duì)于人工視力適應(yīng)至關(guān)重要。

在獲取圖像日期后,在以下階段,深度學(xué)習(xí)算法(例如卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(CNN))為高準(zhǔn)確性識(shí)別奠定了基礎(chǔ)。然而,基礎(chǔ)硬件仍然保持靜態(tài)且不那么復(fù)雜,從而導(dǎo)致耗時(shí)的培訓(xùn)和學(xué)習(xí)過程,尤其是向后流動(dòng)過程鑒于這一點(diǎn),具有二階適應(yīng)性的設(shè)備有望成為具有高能量效率和環(huán)境魯棒性的內(nèi)存計(jì)算的突破。在這方面,作為歷史活動(dòng)可以改變當(dāng)前的突觸可塑性的神經(jīng)穩(wěn)態(tài)機(jī)制之一,啟發(fā)了有效的訓(xùn)練和識(shí)別。在轉(zhuǎn)移性中,可以通過刺激調(diào)節(jié)長(zhǎng)期增強(qiáng)(LTP)和長(zhǎng)期抑郁(LTD),并且LTP和LTD之間的過渡閾值(θ+)通過先前的刺激(閾值滑動(dòng)),確定此外,抑制程度(增強(qiáng)的抑郁效應(yīng),EDE)也取決于先前和刺激后。這種依賴歷史的體重變化現(xiàn)象使生物體能夠根據(jù)經(jīng)驗(yàn)適應(yīng)學(xué)習(xí)率,從而提高了學(xué)習(xí)效率。用于實(shí)施設(shè)備,以前的報(bào)告著重于頻率依賴性的跨塑性模型,稱為Bienenstock, Cooper和Munro(BCM)規(guī)則。

此外,面對(duì)具有低結(jié)構(gòu)復(fù)雜性和豐富功能性的下一代電子設(shè)備的要求,可以按需電氣/光學(xué)重新配置以采用特定功能的多功能設(shè)備,是解決復(fù)雜任務(wù)的適應(yīng)性計(jì)算的有希望的硬件平臺(tái)。此外,將多個(gè)功能集成到一個(gè)設(shè)備中具有集成成本和規(guī)模的優(yōu)勢(shì),并且可以簡(jiǎn)化外部電路并減少由不同設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸引起的延遲時(shí)間。因此,在惡劣的照明條件下,高度希望使用可以簡(jiǎn)化硬件復(fù)雜性的光自適應(yīng)和二階自適應(yīng)函數(shù)的雙自動(dòng)光電設(shè)備開發(fā),可以簡(jiǎn)化硬件復(fù)雜性。

本文亮點(diǎn)

1. 本工作報(bào)告了一個(gè)雙重適應(yīng)性的有機(jī)異質(zhì)結(jié)晶體管作為系統(tǒng)中的工作單元,該單元促進(jìn)了精確的對(duì)比度增強(qiáng),并在惡劣的照明條件下提高了收斂速度。

2. 通過在機(jī)器視覺系統(tǒng)中利用晶體管陣列,可以在0.4%的低對(duì)比度圖像中突出顯示細(xì)節(jié)和邊緣,并且還可以實(shí)現(xiàn)93.8%的高識(shí)別精度,并顯著促進(jìn)收斂率約5次。

圖文解析

b051c540-9067-11ef-a511-92fbcf53809c.jpg

圖1. 基于有機(jī)異質(zhì)結(jié)晶體管的提議機(jī)器視覺系統(tǒng)的示意圖。a)系統(tǒng)集成了圖像預(yù)處理和識(shí)別功能。b)光自適應(yīng)閾值滑動(dòng)的示意圖,c)二階自適應(yīng)跨性質(zhì),d)有機(jī)異質(zhì)結(jié)晶體管的設(shè)備結(jié)構(gòu)。

b071be5e-9067-11ef-a511-92fbcf53809c.jpg

圖2. 有機(jī)異晶晶體管的表征。a)PTCDI-C13和五烯/PTCDI-C13界面樣品的表面形態(tài)。b)用PTCDI-C13和PTCDI-C13和五烯/PTCDI-C13界面(光強(qiáng)度:1 MW CM-2),樣品中樣品的相應(yīng)表面電勢(shì)和代表性的表面電勢(shì)圖。比例尺,5 μm。c)五苯/PTCDI-C13系統(tǒng)的UPS光譜。d)轉(zhuǎn)移曲線和e)設(shè)備負(fù)區(qū)域的輸出曲線。

b08fd948-9067-11ef-a511-92fbcf53809c.jpg

圖3. 有機(jī)異質(zhì)結(jié)晶體管的突觸可塑性。a)具有負(fù)柵極脈沖的不同刺激的設(shè)備的傳遞曲線。b)具有不同VGS振幅的設(shè)備的PSC。c)計(jì)算出的?PSC是負(fù)柵極脈沖的函數(shù)。d)設(shè)備不同電流水平的保留屬性。E)設(shè)備的LTP/LTD曲線。f)在不同負(fù)VR處設(shè)備的VTR和Vθ +。計(jì)算出的?PSC作為g)正柵極脈沖的函數(shù)和h)VG的峰值持續(xù)時(shí)間。i)具有不同VDS振幅的設(shè)備的PSC。

b0ae072e-9067-11ef-a511-92fbcf53809c.jpg

圖4. 有機(jī)異質(zhì)結(jié)晶體管中的光響應(yīng)和化生性。a)五苯,PTCDI-C13的薄膜的吸收光譜及其異質(zhì)結(jié)。b)在不同的照明強(qiáng)度下,設(shè)備的傳輸曲線。c)設(shè)備的PSC是由不同的照明強(qiáng)度觸發(fā)的。d)在不同的照明強(qiáng)度下滑動(dòng)的照片自適應(yīng)閾值滑動(dòng)。e)設(shè)備的歷史依賴性突觸可塑性(VDS = -3 V,VR = 0 V,TD = 1 s)。h)在有機(jī)異質(zhì)結(jié)晶體管中實(shí)現(xiàn)的跨塑性。

b0d288d8-9067-11ef-a511-92fbcf53809c.jpg

圖5. 用于圖像預(yù)處理和識(shí)別的有機(jī)異質(zhì)結(jié)晶體管。a)對(duì)比度增強(qiáng),特征提取和低對(duì)比度圖像的對(duì)比度增強(qiáng),特征提取和分類的預(yù)處理和圖像識(shí)別過程的示意圖。我們實(shí)驗(yàn)室“一個(gè)實(shí)驗(yàn)室”的徽標(biāo)圖像b)原始圖像,c)具有不均光與低合同的非理想圖像以及d)有機(jī)異質(zhì)結(jié)晶體管處理的圖像。e)具有不同架構(gòu)的CNN的識(shí)別精度。MNIST數(shù)據(jù)集的5個(gè)時(shí)期的混淆矩陣(準(zhǔn)確性:40.1%)和g)me-lenet-5(準(zhǔn)確性:86.9%)。h)CNN具有不同體系結(jié)構(gòu)的損耗函數(shù)。.I)ME-LENET-5的識(shí)別準(zhǔn)確性對(duì)于具有和不進(jìn)行預(yù)處理的低對(duì)比度數(shù)據(jù)集的識(shí)別精度。J)在100個(gè)時(shí)期的混淆矩陣(準(zhǔn)確性:93.8%)和K)對(duì)預(yù)處理的低對(duì)比度數(shù)據(jù)集的Melenet-5回憶。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 圖像
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    1083

    瀏覽量

    40449
  • 機(jī)器視覺
    +關(guān)注

    關(guān)注

    161

    文章

    4369

    瀏覽量

    120277
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9682

    瀏覽量

    138077

原文標(biāo)題:AM:用于惡劣照明條件下高效機(jī)器視覺的雙自適應(yīng)異質(zhì)結(jié)突觸晶體管

文章出處:【微信號(hào):vision263com,微信公眾號(hào):新機(jī)器視覺】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    使用極性結(jié)晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

    本文將重點(diǎn)討論使用極性結(jié)晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
    發(fā)表于 08-01 09:03 ?1852次閱讀
    使用<b class='flag-5'>雙</b>極性<b class='flag-5'>結(jié)</b>型<b class='flag-5'>晶體管</b>(BJT)和NMOS<b class='flag-5'>晶體管</b>的穩(wěn)定電流源

    什么是結(jié)晶體管?結(jié)晶體管的類型和構(gòu)造

    結(jié)晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT),也被稱為半導(dǎo)體三極或三極,是一種具有三個(gè)終端的電子器件
    的頭像 發(fā)表于 02-19 15:15 ?2268次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>雙</b>極<b class='flag-5'>結(jié)</b>型<b class='flag-5'>晶體管</b>?<b class='flag-5'>雙</b>極<b class='flag-5'>結(jié)</b>型<b class='flag-5'>晶體管</b>的類型和構(gòu)造

    異質(zhì)結(jié)雙極晶體管

    異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
    發(fā)表于 08-20 08:57

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)
    發(fā)表于 11-05 17:16

    極性晶體管的基本原理是什么?

    NPN型極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極接合在一起。在極性晶體管的正常工作狀態(tài),基極
    發(fā)表于 09-26 09:00

    什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)

    類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的結(jié)晶體管(BJT),因此有時(shí)被稱為功率BJT。特點(diǎn):電壓高,
    發(fā)表于 02-03 09:36

    PNP晶體管的工作原理,如何識(shí)別PNP晶體管

    一、引言PNP 晶體管結(jié)晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。
    發(fā)表于 02-03 09:44

    關(guān)于PNP晶體管的常見問題

    PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP
    發(fā)表于 02-03 09:45

    結(jié)晶體管/絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管/PN結(jié)晶體管習(xí)題集

    結(jié)晶體管/絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管/PN結(jié)晶體管習(xí)題集:第二章 PN結(jié)填空題1、若某硅突變PN
    發(fā)表于 06-05 10:30 ?13次下載

    異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思

    異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(Hetero-junction Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)
    發(fā)表于 03-05 10:56 ?5217次閱讀

    一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的GaAsSb異質(zhì)結(jié)雙極晶體管

    一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的GaAsSb異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù) Abstract— 一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū),InP集電區(qū) DHBT I
    發(fā)表于 05-04 09:58 ?1655次閱讀
    一種<b class='flag-5'>用于</b>射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的GaAsSb<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>異質(zhì)結(jié)雙極晶體管</b>集

    NE4210S01異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

      NE4210S01是一種利用異質(zhì)結(jié)產(chǎn)生高遷移率電子的異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。其優(yōu)良的低噪聲和相關(guān)增益使其適
    發(fā)表于 07-21 08:00 ?3次下載
    NE4210S01<b class='flag-5'>異質(zhì)</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

    NE3512S02異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

    本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是NE3512S02異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
    發(fā)表于 07-22 08:00 ?8次下載
    NE3512S02<b class='flag-5'>異質(zhì)</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

    詳解結(jié)晶體管的工作原理

    結(jié)晶體管(BJT或極型晶體管,通常稱為三極)是一種
    的頭像 發(fā)表于 06-12 14:45 ?3892次閱讀

    結(jié)晶體管的定義及工作原理

    結(jié)晶體管(BJT或極型晶體管,通常稱為三極)是一種
    的頭像 發(fā)表于 06-17 09:04 ?5812次閱讀
    RM新时代网站-首页