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ESD HBM測(cè)試差異較大的結(jié)果分析

上海季豐電子 ? 來(lái)源:上海季豐電子 ? 2024-11-18 15:17 ? 次閱讀

ESD HBM測(cè)試結(jié)果差異較大的原因,通常包括設(shè)備/儀器差異、?校準(zhǔn)和維護(hù)水平不同、?環(huán)境條件差異、?測(cè)試樣本差異、?測(cè)試操作員技能和經(jīng)驗(yàn)差異以及測(cè)試方法選擇的不同。

其中,可能導(dǎo)致結(jié)果差異較大的首先應(yīng)屬于設(shè)備和儀器差異,其次是測(cè)試操作員技能和經(jīng)驗(yàn),其他原因一般不會(huì)導(dǎo)致特別大的差異。

季豐電子ESD實(shí)驗(yàn)室已通過(guò)ANSI20.20的環(huán)境認(rèn)證、CNAS、IEC17025等管理體系的認(rèn)證,實(shí)驗(yàn)室對(duì)設(shè)備校準(zhǔn)和環(huán)境的管理十分嚴(yán)格,可以有效保證檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和時(shí)效性。

案例分析

案例描述:OUT 管腳對(duì)VDD管腳打負(fù)向靜電,一個(gè)結(jié)果PASS -6000V,一個(gè)結(jié)果-2500V失效,同批次的芯片經(jīng)過(guò)了功能篩選,使用的同一家品牌的設(shè)備測(cè)試HBM,同一家實(shí)驗(yàn)室,然而出現(xiàn)了結(jié)果差異較大的問(wèn)題。

有了以上的信息支撐,實(shí)驗(yàn)室在對(duì)比了測(cè)試程序,測(cè)試方案及方法,同一個(gè)程序,同一個(gè)設(shè)備,同樣的測(cè)試規(guī)范,沒(méi)有發(fā)現(xiàn)有什么問(wèn)題。最后確認(rèn)是使用了不同的通道導(dǎo)致的差異。問(wèn)題是,到底是測(cè)試板的問(wèn)題還是放電通道的問(wèn)題,是不是通道放電異常導(dǎo)致的呢?實(shí)驗(yàn)室直接抓取了兩個(gè)測(cè)試板使用的對(duì)應(yīng)通道的短路放電電流波形,如下所示:

如圖AB,從圖中可得知

放電能力相當(dāng),而懷疑點(diǎn)恰恰在于上升沿Tr參數(shù)有略差,A 圖中Tr 為8.793ns, B圖中Tr為6.520ns,雖有差異,但均是符合Js001的測(cè)試規(guī)范。

對(duì)比了兩塊測(cè)試板的通道位置的距離,A板是跨通道板走線稍長(zhǎng),B板則是在同一通道板走線較近一些,所以這個(gè)Tr的不同也可以理解,懷疑是芯片對(duì)Tr是比較敏感的,所以果斷通過(guò)TLP測(cè)試的驗(yàn)證。

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圖A

ae5ae0f4-a337-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

圖B

如圖TLP-A,TLP-B

可以清楚地看出,在圖TLP-A 上升沿采用的是10ns,結(jié)果2.7A還沒(méi)有出現(xiàn)失效,但是在圖TLP-B中,上升沿采用的是2ns,結(jié)果1.6A就出現(xiàn)了失效;

所以經(jīng)過(guò)折算到HBM來(lái)看,此兩次測(cè)試的HBM結(jié)果不同,結(jié)論是因?yàn)樾酒瑢?duì)靜電的上升沿非常敏感導(dǎo)致。

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圖TLPA

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圖TLPB

季豐電子

季豐電子成立于2008年,是一家聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域,深耕集成電路檢測(cè)相關(guān)的軟硬件研發(fā)及技術(shù)服務(wù)的賦能型平臺(tái)科技公司。公司業(yè)務(wù)分為四大板塊,分別為基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)室、軟硬件開(kāi)發(fā)、測(cè)試封裝和儀器設(shè)備,可為芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、材料裝備等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領(lǐng)域公司提供一站式的檢測(cè)分析解決方案。

季豐電子通過(guò)國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、上海市“科技小巨人”、上海市企業(yè)技術(shù)中心、研發(fā)機(jī)構(gòu)、公共服務(wù)平臺(tái)等企業(yè)資質(zhì)認(rèn)定,通過(guò)了ISO9001、 ISO/IEC17025、CMA、CNAS、IATF16949、ISO/IEC27001、ISO14001、ANSI/ESD S20.20等認(rèn)證。公司員工近1000人,總部位于上海,在浙江、北京、深圳、成都等地設(shè)有子公司。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:技術(shù)分享 | ESD HBM測(cè)試差異較大的結(jié)果分析

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