產(chǎn)品簡述

MS41949 是一款四通道、低壓 5V 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動芯片，可

以驅(qū)動四個步進(jìn)電機(jī)。通過具有電流細(xì)分的電壓驅(qū)動方式以及

扭矩紋波修正技術(shù)，實現(xiàn)超低噪聲微步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動。

芯片另外內(nèi)置一個 5V 直流電機(jī)驅(qū)動器，上下開關(guān)的電阻

之和低至 1Ω。

主要特點

?電壓驅(qū)動方式，256 細(xì)分微步進(jìn)驅(qū)動電路

（四通道八個 H 橋）每個 H 橋最大驅(qū)動電流±0.8A

?四線串行總線通信控制電機(jī)

?負(fù)載電壓范圍 2.7V?5.5V

?內(nèi)置直流電機(jī)驅(qū)動，最大驅(qū)動電流±0.5A

?QFN48 封裝（背部散熱片）

應(yīng)用

?機(jī)器人，精密工業(yè)設(shè)備

?攝像機(jī)

?監(jiān)控攝像機(jī)

產(chǎn)品規(guī)格分類

管腳圖

管腳說明

內(nèi)部框圖

極限參數(shù)

絕對最大額定值

芯片使用中，任何超過極限參數(shù)的應(yīng)用方式會對器件造成永久的損壞，芯片長時間處于極限工作

狀態(tài)可能會影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測試得出，并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

注：1. 絕對最大額定值，是指在容損范圍內(nèi)使用的場合。

2. 容損值，是指在 Ta = 85°C 時封裝單體的值。實際使用時，希望在參考技術(shù)資料和 PD – Ta 特性圖的

基礎(chǔ)上，依據(jù)電源電壓、負(fù)荷、環(huán)境溫度條件，進(jìn)行不超過容損值的散熱設(shè)計。

3. 容損值，工作環(huán)境溫度，以及存儲溫度的項目以外，所有溫度為 Ta = 25°。

4. 輸入電壓(DVDD+0.3)電壓不可超過 6.0V。

5. 出于散熱考慮，芯片恒定工作的平均總電流不要超過 2A，如果超過 2A，對 PCB 的散熱要求更高。

工作電源電壓范圍

注：DVDD 一般情況下為 5V 供電，如果使用 3.3V 供電，OSC 系統(tǒng)時鐘最高頻率 20MHz，推薦使用

16MHz。

端子容許電流電壓范圍

注意： —應(yīng)用中任何情況下都不允許超過下表中的最大額定值

—額定電壓值，是指對 GND 的各端子的電壓。GND 是指 AGND、DGND、MGNDx 的電壓。

—在下面沒有記述的端子以外，嚴(yán)禁從外界輸入電壓和電流。

—關(guān)于電流，“+”表示流向 IC 的電流，“-”表示從 IC 流出的電流。

注：(DVDD + 0.3)電壓不可超過5.5V。

電氣參數(shù)

MVCCx=VDD5=5V, AVDD=3.3V, DVDD=5V

注意：沒有特別規(guī)定，環(huán)境溫度為 Ta = 25°C ±2°C。

直流電機(jī)驅(qū)動（DC motor E路）

攝像機(jī)中常用于IR-CUT

測試條件：如無其他說明 MVCCE=5V，RL=20Ω，T=25°C

功能描述

1. 串行接口

注：1. 讀寫模式中，每個周期 CS 默認(rèn)都是從 0 開始的。

2. 寫模式時，必須從 OSCIN 端輸入系統(tǒng)時鐘。

電氣參數(shù)（設(shè)計參考值）

MVCCx = 5V, DVDD = 5V, AVDD = 3.3V

注意：沒有特別規(guī)定，環(huán)境溫度為 Ta = 25°C ±2°C。本特性為設(shè)計參考值，僅供參考。

1. 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換在 CS 的上升沿開始，在 CS 的下降沿停止。

2. 一次轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)流單位是 24 位。

3. 從 SIN 引腳輸入地址和數(shù)據(jù)時，在 CS = 1 的條件下，時鐘信號 SCK 保持一致。

4. 在 SCK 信號的上升沿，數(shù)據(jù)被打入 IC。同時，數(shù)據(jù)輸出時，在 SOUT 引腳讀出（數(shù)據(jù)在 SCK 的上升

沿輸出）。

5. 當(dāng) CS=0 時，SOUT 輸出高阻態(tài)。并且當(dāng) CS=1 時，輸出“0”除非有數(shù)據(jù)讀出。

6. 當(dāng) CS=0 時，復(fù)位整個串行接口控制。

C0：寄存器讀寫選擇： 0：寫模式；1：讀模式

C1：不使用

A5?A0：寄存器地址

D15?D0：寫入寄存器的數(shù)據(jù)

* 0→1：起作用于DT1x；1→0:起作用于DT2x

原則上來說，用于細(xì)分步進(jìn)的寄存器的建立，應(yīng)該在起始點延時的這段時間段內(nèi)執(zhí)行完（參考18

頁圖）。在起始點延時這段時間外，寫入的數(shù)據(jù)也能被存入寄存器。然而，如果寫操作在刷新時間后

繼續(xù)執(zhí)行的話，好比在起始點激勵延時的最后，建立刷新時刻不會在計劃的時刻有效。舉例說明：如

果在起始點激勵延時后更新的數(shù)據(jù)1?4如下圖一樣被寫入，數(shù)據(jù)1和2在a時刻立即被更新，數(shù)據(jù)3和4在b

時刻被更新。即使數(shù)據(jù)是連續(xù)寫入的，更新的時間間隔了1個VFx的周期。

由于上述原因，為了數(shù)據(jù)及時更新，寄存器數(shù)據(jù)的建立需要在起始點延時的這段時間段執(zhí)行完。

2. VFx信號內(nèi)部處理

這個系統(tǒng)中，步進(jìn)電機(jī)的反應(yīng)時間和旋轉(zhuǎn)時間分別基于VFx的上升沿。VFx的極性能通過下面的寄

存器設(shè)置。

寄存器細(xì)節(jié)描述

MODESEL_FZ （VFx 極性選擇）

3. 步進(jìn)電機(jī)細(xì)分步進(jìn)驅(qū)動

上圖中模塊是一個步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動內(nèi)部示意圖。下面的一些設(shè)置可以用來執(zhí)行一系列的控制

（下面是對 A 通道步進(jìn)電機(jī)：H 橋驅(qū)動器 α/β 的描述。通道 B，C，D 與通道 A 電機(jī)執(zhí)行一樣的算法）

主要的設(shè)置參數(shù)：

相位矯正：驅(qū)動器 α 和驅(qū)動器 β 的相位差目標(biāo)在 90°；

可以實現(xiàn)-22.5°? +21.8°的相位修正 。 ——>PHMODx[5:0]

幅度設(shè)置：能獨(dú)立設(shè)置驅(qū)動器 α/β 的負(fù)載驅(qū)動電流 ——>PPWAα[7:0],PPWAβ[7:0]

PWM 頻率：驅(qū)動器輸出的 PWM 波頻率設(shè)置 ——>PWMMODEAB[4:0],PWMRESAB[1:0]

微步進(jìn)分頻數(shù)：微步數(shù)能設(shè)置成 64,128 和 256 微步進(jìn)模式 ——>MICROAB[1:0]

步進(jìn)周期：電機(jī)旋轉(zhuǎn)速度設(shè)置。

電機(jī)旋轉(zhuǎn)速度與正弦波的的微步進(jìn)模式無關(guān) ——>INTCTA[15:0]

3.2 相關(guān)設(shè)置的建立時刻

建立時刻和相關(guān)時間如下所示

地址 07h 到 0Ah 的設(shè)置同 02h 到 05h 的設(shè)置相同，所以 07h 到 0Ah 的描述就省略了。如果相關(guān)寄

存器被刷新，則每一個 VF 周期來到時，會實現(xiàn)一次設(shè)置的加載刷新。當(dāng)同樣的設(shè)置被執(zhí)行時超過 2 個

VF 脈沖時，沒有必要在每個 VF 脈沖都寫入寄存器數(shù)據(jù)。

DT1AB[7:0]（起始點延時，地址 20h）

更新數(shù)據(jù)時間設(shè)置。在系統(tǒng)硬件復(fù)位后（48 引腳 RSTB：低→高），開始激勵和驅(qū)動電機(jī)前

（DT1AB 結(jié)束），必須設(shè)置此項。

由于這個設(shè)置在每次 VF 脈沖來到時更新，沒有必要一定在起始點延遲時間段內(nèi)寫入。

PWMMODEAB[4:0],PWMRESAB[1:0]（微步進(jìn)輸出 PWM 波頻率，地址 20h）

設(shè)置微步進(jìn)輸出 PWM 波頻率。需要在開始激勵和驅(qū)動電機(jī)前設(shè)置執(zhí)行（DT1AB 結(jié)束）。

DT2A[7:0]（起始點激勵延時，地址 22h）

更新數(shù)據(jù)時間設(shè)置。復(fù)位后（48 引腳 RSTB：低→高），需要在開始激勵和驅(qū)動電機(jī)前被設(shè)置執(zhí)行

（DT1AB 結(jié)束）。

PHMODA[5:0]（相位矯正，地址 22h）

通過矯正線圈 α 和 β 的相位差，驅(qū)動器產(chǎn)生的噪聲會減少。合適的相位矯正必須依據(jù)于電機(jī)的旋

轉(zhuǎn)方向和速度，此設(shè)置需要隨著旋轉(zhuǎn)方向 (CCWCWA)或者旋轉(zhuǎn)速度 (INTCTA)的變化而改變。

PPWAα[7:0],PPWAβ[7:0]（峰值脈沖寬度，地址 23h）

設(shè)置 PWM 最大占空比。設(shè)置需要在開始激勵和驅(qū)動電機(jī)前被設(shè)置執(zhí)行（DT1AB 結(jié)束）。

PSUMA[7:0]（步進(jìn)電機(jī)步進(jìn)數(shù)，地址 24h）

1 個 VFx 的時間間隔內(nèi)的電機(jī)的轉(zhuǎn)動次數(shù)設(shè)置。

每次 VFx 脈沖輸入時，電機(jī)轉(zhuǎn)動所設(shè)置的次數(shù)。因此，設(shè)置次數(shù)為“0”是可以停止電機(jī)的轉(zhuǎn)動。當(dāng)

設(shè)置的轉(zhuǎn)動次數(shù)總額超過了 1 個 VFx 脈沖的時間，超出部分會被取消。

CCWCWA（轉(zhuǎn)動方向，地址 24h）

電機(jī)轉(zhuǎn)動方向設(shè)置，只要在選擇轉(zhuǎn)動方向前設(shè)置即可。

BRAKEA(電機(jī)剎車設(shè)置，地址 24h）

剎車時設(shè)置電流為 0。由于執(zhí)行此設(shè)置時，很難得到電機(jī)的最終位置，所以此設(shè)置一般用于立即

停止電機(jī)。

ENDISA（電機(jī)工作 Enable/Disable，地址 24h）

設(shè)置電機(jī)工作使能。當(dāng)設(shè)置為不使能時，電機(jī)引腳輸出高阻態(tài)，電機(jī)正在轉(zhuǎn)動時不要設(shè)置成

disable。

MICROA[1:0]（正弦波分頻數(shù)，地址 24h）

設(shè)置正弦波的分頻數(shù)。這個設(shè)置不改變轉(zhuǎn)動次數(shù)和轉(zhuǎn)動速度。只有當(dāng)轉(zhuǎn)速達(dá)不到要求時，才需要

設(shè)置此項。復(fù)位后（48 引腳 RSTB：低→高），設(shè)置有效。

INTCTA[15:0]（脈沖周期，地址 25h）

脈沖周期設(shè)置。轉(zhuǎn)動速度決定于這個設(shè)置。

3.3 步進(jìn)電機(jī)微步進(jìn)驅(qū)動時，如何調(diào)整寄存器值

在每個同步信號 VF，步進(jìn)電機(jī)控制需要設(shè)置電機(jī)轉(zhuǎn)動次數(shù)和轉(zhuǎn)動速度。相關(guān)設(shè)置的轉(zhuǎn)動次數(shù)和速

度的寄存器為：

INTCTx[15:0]:設(shè)置每一步的時間（相應(yīng)的，即轉(zhuǎn)動速度）

PSUMx[7:0]：每個 VF 時段內(nèi)轉(zhuǎn)動總步數(shù)

當(dāng)在連續(xù)的 VF 時段內(nèi)持續(xù)驅(qū)動電機(jī)，需要設(shè)置持續(xù)轉(zhuǎn)動時間以適應(yīng) VF 周期。

以下是電機(jī)轉(zhuǎn)動時計算 INTCTx[15:0]和 PSUMx[7:0]的方法

1） 計算 INTCTx[15:0]（決定電機(jī)轉(zhuǎn)動速度）

INTCTx[15:0] × 768 = OSCIN 頻率 / 轉(zhuǎn)動頻率

2） 由 INCTx[15:0]計算 PSUMx[7:0]。不能只看 PSUMx[7:0]的值。

下面的等式成立時，持續(xù)轉(zhuǎn)動時間和 VF 時間相同，電機(jī)實現(xiàn)均勻轉(zhuǎn)動

INTCTx[15:0] × PSUMx[7:0] × 24 = OSCIN 頻率 / VF 頻率

3） PSUMx[7:0]設(shè)置完成后，由上式重新計算 INTCTx[15:0]

舉例說明 OSCIN 頻率 = 27 MHz，VF 頻率 = 60Hz

計算 PSUMx[7:0]和 INTCTx[15:0]，使電機(jī)在 800pps（1-2 相位）轉(zhuǎn)動，每步兩拍，轉(zhuǎn)化為相電

流，正弦波頻率 800pps = 100Hz，所以

INTCTx[15:0] = 27MHz / (100Hz × 768) =352

相應(yīng)的

PSUMx[7:0] = 1/(60Hz)×27MHz/ (352 ×24) = 53

重新計算 INTCTxx[15:0]得：

INTCTx[15:0] = 1/(60Hz)×27MHz/ (53 ×24) = 354

如果上述 2）中等式左邊比右側(cè)小，轉(zhuǎn)動時間比 VF 時段小會引起不連續(xù)的轉(zhuǎn)動。反之，超過 VF

時段的轉(zhuǎn)動會被取消。

3.4 寄存器細(xì)節(jié)描述

注：（1） 通道 AB 與 CD 是設(shè)置是一樣的，只是寄存器的地址分別是 0Xh 與 2Xh 的區(qū)別，CD 通道

不做重復(fù)描述，如 DT1AB 做了描述，DT1CD 沒有描述。

（2）通道 A 與通道 B 為鏡像通道，同名寄存器如 PPWAα 與 PPWBα，DT2A 與 DT2B 設(shè)置方法也一

致，也不做重復(fù)描述。

DT1AB[7:0]（A 與 B 通道電機(jī)起始點等待時間）

DT1AB[7:0]設(shè)置數(shù)據(jù)寫入系統(tǒng)的延時時間（起始點等待時間）

電機(jī)可以精確地在起始點等待時間從“1”到“0”翻轉(zhuǎn)后被激活。起始點等待時間從視頻同步信號

(VFx)的上升沿開始計算。

由于起始點延時時間是主要是用來等待串行數(shù)據(jù)的寫入。應(yīng)該設(shè)置寄存器值大于“0”，如果是“0”

的話，相應(yīng)的數(shù)據(jù)不能更新。

參考第 18 頁 VF 和起始點等待時間的關(guān)系。

DT2A[7:0]和 DT2B[7:0]設(shè)置通道 A 電機(jī)和通道 B 電機(jī)開始轉(zhuǎn)動前的等待延遲時間。

在起始點激勵等待時間從“1”到“0”翻轉(zhuǎn)后，電機(jī)開始轉(zhuǎn)動。起始點激勵等待時間是在起始點等待

時間結(jié)束時刻開始計算。

這個信號是 A，B 通道的單獨(dú)延遲。應(yīng)該設(shè)置寄存器值大于“0”，如果是“0”的話，相應(yīng)的數(shù)據(jù)不能

更新。

參考第 18 頁 VF 和起始點激勵等待時間的關(guān)系。

PWMMODEAB[4:0]通過設(shè)置系統(tǒng)時鐘 OSCIN 的分頻數(shù)來設(shè)置微步進(jìn)輸出 PWM 的頻率。

PWMMODEAB[4:0]能在 1?31 的范圍內(nèi)設(shè)置，PWM 波的頻率在 PWMMODE = 0 和 PWMMODE = 1

時候的取值是一樣的。

PWMRESAB[1:0]與 PWMMODEAB[4:0]一起決定 PWM 頻率。

PWM 頻率由下面的式子進(jìn)行計算

PWM 頻率 = OSCIN 頻率 / ((PWMMODE × 23 ) × 2PWMRES)

步進(jìn)電機(jī)兩相線圈之間的相位差一般為 90°。但是，因為電機(jī)的不同或者工藝偏差，相位差也會

偏移出 90°。因此，即使驅(qū)動波形電流的相位差 90°，但是電機(jī)本身不是相差 90°，也會產(chǎn)生轉(zhuǎn)矩紋

波，噪聲還是存在的。

這個設(shè)置主要是減少由于電機(jī)變化時產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩紋波。

PPWAx[7:0]到 PPWDx[7:0]設(shè)置 PWM 波的最大占空比，決定驅(qū)動器 A 到 D 兩相輸出電流峰值的位置。

最大占空比由下式進(jìn)行計算：

驅(qū)動器 X 最大占空比 = PPWxx/ (PWMMODExx × 8)

當(dāng) PPWxx = 0，線圈電流為 0。

舉例，當(dāng) PPWAx[7:0] = 200，PWMMODEAB[4:0] = 28，最大占空比為：

200 / (28 × 8) = 0.89

根據(jù) PWMMODExx 和 PPWxx 的值，最大占空比可能超過 100%，

實際中，PWM 中占空比當(dāng)然不可能超過 100% ，正弦波峰值點會被削去如下圖所示：

舉例說明，當(dāng) PWMMODExx = 10，PPWxx = 96，

最大占空比 = 90/(10 × 8) = 120%

目標(biāo)電流的波形如下顯示：

當(dāng) INTCTA[15:0]=0，只要 PWM 最大占空比不為 0，電機(jī)就保持在釋放時狀態(tài)。

舉例說明：當(dāng) INTCTA[15:0]=400 時，64 細(xì)分下每步周期：

12×400/27MHz=0.178ms

因此，每個正弦波周期為 0.178x64=11.4ms (87.9Hz)；同樣計算，128 細(xì)分與 256 細(xì)分下也為 11.4ms。

步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動（64 細(xì)分微步進(jìn)電流曲線）

6. 直流電機(jī) E 驅(qū)動電路

直流電機(jī)（攝像機(jī)中用于 IR-CUT）驅(qū)動采用 SPI 輸入控制方式，通過寫寄存器 2CH 來控制 H 橋的輸出:

SWICH 寄存器：寄存器 REG_2CH<2> bit2，上電默認(rèn)為‘0’’

IN1 寄存器：寄存器 REG_2CH<1>bit1，上電默認(rèn)為‘0’

IN2 寄存器：寄存器 REG_2CH<0>bit0 ，上電默認(rèn)為‘0’

輸入輸出真值表如下：

直流電機(jī) SPI 模式下的延遲時間

由于 SPI 串行輸入寫寄存器，每次寫 22 個數(shù)據(jù)，還有 3 個控制位，所以從寫寄存器 2CH，到控制

時間真正起作用的傳輸延遲約為 Tsclk×25，如寫數(shù)據(jù)串行時鐘采用 0.5MHz，則數(shù)字延遲時間為

25×1/0.5M=50μs ，此時 H 橋最大輸出頻率 10kHz。

典型應(yīng)用電路圖

1. MS41949 具有背部散熱片 PAD，大功率應(yīng)用時必須接地。

2. 在 OSCIN 管腳(PIN41)與 OSCOUT(PIN42)之間，內(nèi)置放大電路與 SMIT 電路，所以 OSCIN 與 OSCOUT 之

間可以使用低成本的無源晶振；也可以在 OSCIN 管腳接有源晶振的輸出（OSCOUT 懸空），或者其他

MCU 的 CLK 輸出，直流輸入與交流輸入幅度要求有差異。

封裝外形圖

QFN48 (07X07)（背部帶散熱片）

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇