RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Littelfuse發(fā)布超級結(jié)X4-Class功率MOSFET

力特奧維斯Littelfuse ? 來源:力特奧維斯Littelfuse ? 作者:力特奧維斯Littel ? 2024-11-26 14:21 ? 次閱讀

提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻,使電池儲能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計(jì)更加簡化,性能得到提升。

Littelfuse隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結(jié)X4-Class功率MOSFET

超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET

這些新器件在當(dāng)前200V X4-Class超級結(jié)MOSFET的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)展,有些具有最低導(dǎo)通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值,設(shè)計(jì)人員能夠用來替換多個(gè)并聯(lián)的低額定電流器件,從而簡化設(shè)計(jì)流程,提高應(yīng)用的可靠性和功率密度。此外,SOT-227B封裝的螺釘安裝端子可確保安裝堅(jiān)固穩(wěn)定。

這些新的200V MOSFET提供最低的導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)并補(bǔ)充了現(xiàn)有的Littelfuse X4-Class超級結(jié)系列產(chǎn)品組合。與當(dāng)下最先進(jìn)的X4-Class MOSFET解決方案相比,這些MOSFET的額定電流最高可提高約2倍,導(dǎo)通電阻值最高可降低約63%。

新型MOSFET非常適合必須最大限度降低導(dǎo)通損耗的一系列低壓功率應(yīng)用,包括:

電池儲能系統(tǒng)(BESS)

電池充電器

電池成型

DC/電池負(fù)載開關(guān),以及

電源

“新器件將允許設(shè)計(jì)人員用一個(gè)器件解決方案取代多個(gè)并聯(lián)的低額定電流器件。”Littelfuse全球產(chǎn)品營銷工程師Sachin Shridhar Paradkar表示,“這種獨(dú)特的解決方案簡化了柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì),提高了可靠性,改善了功率密度和PCB空間利用率?!?/p>

超級結(jié)X4級功率MOSFET具有以下主要性能優(yōu)勢:

低傳導(dǎo)損耗

最少的并行連接工作量

驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)簡化,驅(qū)動(dòng)器損耗最小

簡化的熱設(shè)計(jì)

功率密度增加

為什么對于看重極小導(dǎo)通損耗的應(yīng)用來說具有低導(dǎo)通電阻的MOSFET是首選?

對于看重極小導(dǎo)通損耗的應(yīng)用來說,具有低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是理想選擇。這類器件能顯著降低工作期間的功耗,從而降低傳導(dǎo)損耗,提高效率,并減少發(fā)熱。因此,它們非常適合電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池供電設(shè)備等功率敏感型應(yīng)用,在這些應(yīng)用中,保持高效率和熱管理至關(guān)重要。

性能指標(biāo)

5f907334-ab94-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

供貨情況

超級結(jié)X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供貨??赏ㄟ^Littelfuse全球各地的授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。如需了解Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷商名單,請?jiān)L問 Littelfuse.com。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7156

    瀏覽量

    213138
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27286

    瀏覽量

    218065
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    126

    文章

    7873

    瀏覽量

    142893
  • Littelfuse
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    235

    瀏覽量

    96533

原文標(biāo)題:【新品介紹】?Littelfuse推出高性能超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET

文章出處:【微信號:Littelfuse_career,微信公眾號:力特奧維斯Littelfuse】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化

    結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?
    的頭像 發(fā)表于 11-28 10:33 ?268次閱讀

    結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢

    在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識。
    的頭像 發(fā)表于 10-15 14:47 ?371次閱讀
    超<b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢

    評估超結(jié)功率 MOSFET 的性能和效率

    作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美編輯 2024-06-12 長期以來,超結(jié)功率 MOSFET 在高電壓開關(guān)應(yīng)用中一直占據(jù)主導(dǎo)地位,以至于人們很容易認(rèn)為一定有更好的替代
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:51 ?438次閱讀
    評估超<b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的性能和效率

    Littelfuse發(fā)布高頻MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器新品

    Littelfuse公司近日宣布推出兩款創(chuàng)新產(chǎn)品——IX4341與IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高頻應(yīng)用精心打造。這兩款新品進(jìn)一步豐富了Littelfuse的IX434
    的頭像 發(fā)表于 09-20 16:33 ?454次閱讀

    英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

    英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛
    的頭像 發(fā)表于 09-03 14:50 ?515次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體G2超結(jié)MOSFET在軟硬開關(guān)中的應(yīng)用

    根據(jù)Global Market Insights的調(diào)查,超級結(jié)MOSFET在去年在能源和電力領(lǐng)域中的市場份額超過30%,覆蓋了電動(dòng)車充電樁、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源、LED驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、家電控制等多個(gè)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)到2032年,全
    的頭像 發(fā)表于 07-29 14:38 ?388次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體G2超<b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在軟硬開關(guān)中的應(yīng)用

    使用快速恢復(fù)二極管MOSFET在電源中的應(yīng)用

    超級結(jié)”技術(shù)由于其優(yōu)越的品質(zhì)因數(shù),已經(jīng)在擊穿電壓超過600V的功率MOSFET市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。在設(shè)計(jì)基于超級
    的頭像 發(fā)表于 06-14 11:35 ?559次閱讀
    使用快速恢復(fù)二極管<b class='flag-5'>MOSFET</b>在電源中的應(yīng)用

    功率 MOSFET、其電氣特性定義

    依賴性該特性是用于設(shè)計(jì)在預(yù)定工作電流Id的情況下在什么柵極驅(qū)動(dòng)電壓下影響V_DS(on)區(qū)域(導(dǎo)通電阻區(qū)域)的特性曲線。對于功率MOSFET,根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)工作電流生產(chǎn)10V驅(qū)動(dòng)元件、4V驅(qū)動(dòng)元件、
    發(fā)表于 06-11 15:19

    Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    近日,Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:34 ?733次閱讀

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:26 ?796次閱讀

    威世科技發(fā)布創(chuàng)新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET

    威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型
    的頭像 發(fā)表于 05-10 10:48 ?813次閱讀

    利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)

    盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進(jìn)步,但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化,因此局限性仍然存在。本文將講解超級結(jié)MOSFET(例如意法半導(dǎo)體的MDmesh技術(shù))通過晶
    的頭像 發(fā)表于 04-23 10:49 ?405次閱讀
    利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN <b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>結(jié)</b>

    P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用

    隨著現(xiàn)代低壓應(yīng)用的發(fā)展,Littelfuse P溝道功率MOSFET滿足了當(dāng)今電力電子不斷發(fā)展所需的通用功能。Littelfuse P溝道MOSFETs的廣泛應(yīng)用,為工業(yè)和汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)
    的頭像 發(fā)表于 04-07 18:29 ?1477次閱讀
    P溝道<b class='flag-5'>功率</b>MOSFETs及其應(yīng)用

    Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析

    Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加, P溝道功率MOSFET的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 04-02 14:27 ?1436次閱讀
    <b class='flag-5'>Littelfuse</b> N溝道和P溝道<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的比較分析

    掃描 MOSFET控制器TLC696x0 TLC696x2/4/8數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《掃描 MOSFET控制器TLC696x0 TLC696x2/4/8數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-22 16:42 ?0次下載
    掃描 <b class='flag-5'>MOSFET</b>控制器TLC696<b class='flag-5'>x</b>0 TLC696<b class='flag-5'>x</b>2/<b class='flag-5'>4</b>/8數(shù)據(jù)表
    RM新时代网站-首页