RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

三星與SK海力士攜手推進LPDDR6-PIM產(chǎn)品標準化

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 2024-12-03 10:42 ? 次閱讀

據(jù)外媒最新報道,韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結盟,共同致力于推動LPDDR6的存內計算(Processing In Memory,簡稱PIM)產(chǎn)品的標準化進程。此舉旨在加速人工智能AI)專用低功耗DRAM的標準化,從而更好地適應當前“端側AI”(on-device AI)的發(fā)展趨勢。

面對未來市場對高性能、低功耗AI芯片的巨大需求,三星電子與SK海力士認為,只有通過合作與結盟,才能更有效地將下一代DRAM產(chǎn)品商品化,滿足市場需求。據(jù)了解,雙方的合作目前正處于早期階段,但已經(jīng)開展了一系列初步工作,為在JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,聯(lián)合電子設備工程委員會)注冊標準化奠定基礎。

在合作過程中,三星與SK海力士正積極討論各標準化項目的適當規(guī)格,以確保LPDDR6-PIM產(chǎn)品能夠滿足未來AI應用對于高性能和低功耗的雙重需求。值得注意的是,與傳統(tǒng)的內存產(chǎn)品相比,采用PIM技術的LPDDR6需要考慮更多不同的技術特性。例如,其更注重內存“內部帶寬”的優(yōu)化,而非傳統(tǒng)上關注的處理器與內存之間的“外部帶寬”。

此次三星電子與SK海力士的攜手合作,不僅展現(xiàn)了韓國存儲芯片行業(yè)在技術創(chuàng)新和標準化方面的強大實力,也為全球AI芯片市場的發(fā)展注入了新的活力。隨著雙方合作的深入,LPDDR6-PIM產(chǎn)品的標準化進程有望加速推進,為全球AI技術的普及和應用提供更加堅實的基礎。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15859

    瀏覽量

    180983
  • 存儲芯片
    +關注

    關注

    11

    文章

    896

    瀏覽量

    43132
  • SK海力士
    +關注

    關注

    0

    文章

    958

    瀏覽量

    38475
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    三星SK海力士市值份額差距縮至13年最小

    韓國交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星電子與SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來的最低水平。
    的頭像 發(fā)表于 10-28 15:44 ?499次閱讀

    SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導體

    隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第季度初步財務報告,市場焦點轉向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預期差距如何進一步拉大。   SK
    的頭像 發(fā)表于 10-08 15:58 ?660次閱讀

    三星、SK海力士及美光正全力推進HBM產(chǎn)能擴張計劃

    近期,科技界傳來重要消息,三星SK海力士及美光大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存(HBM)的產(chǎn)能擴張計劃。據(jù)預測,至2025年,這一領域的
    的頭像 發(fā)表于 08-29 16:43 ?873次閱讀

    三星、SK海力士探索激光解鍵合技術

    在半導體技術的浩瀚星空中,三星電子與SK海力士攜手點亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲器(HBM)晶圓工藝技術的重大革新。據(jù)韓媒最新報道,這兩家行業(yè)巨頭已正式邁入下一代HBM的技術探索之
    的頭像 發(fā)表于 07-12 09:29 ?746次閱讀

    三星SK海力士啟動芯片浸沒式液冷測試

    近日,科技界迎來了一則重要消息:三星電子與SK海力士攜手啟動芯片產(chǎn)品對浸沒式液冷的兼容測試。這一舉措旨在響應服務器運營方對于建立浸沒式液冷
    的頭像 發(fā)表于 07-02 10:24 ?548次閱讀

    TLB成功開發(fā)出CXL內存模塊PCB,并向三星SK海力士提供首批樣品

    近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:30 ?806次閱讀

    三星SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

    在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產(chǎn)能,進而推動了通用內存需求的短暫上升。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 14:54 ?564次閱讀

    三星SK海力士未恢復增產(chǎn)并計劃限制DRAM產(chǎn)量

     根據(jù)行業(yè)預估,三星SK海力士有望在今年擴展產(chǎn)量以應對逐步好轉的半導體市場環(huán)境。然而,他們在今年一季度財政報告會上均表示,DRAM產(chǎn)量可能會受到制約。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 14:49 ?592次閱讀

    三星SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內存

    近日,三星SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應DDR3內存,轉向利潤更高的DDR5內存和HBM系列高帶寬內存。此舉標志著內存行業(yè)的一次重要轉型。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 10:12 ?658次閱讀

    剛剛!SK海力士出局!

    在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經(jīng)向
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:12 ?605次閱讀

    三星追趕AI芯片競賽,計劃采用海力士制造技術

    三星必須采取一些措施來提高其HBM產(chǎn)量......采用MUF技術對三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 11:00 ?706次閱讀

    OpenAI首席執(zhí)行官會見三星SK海力士高管

    近日,OpenAI的首席執(zhí)行官Sam Altman前往韓國,與三星電子和SK海力士的高管進行了會面。據(jù)報道,這次會面的主要議題是探討建立一個AI半導體聯(lián)盟以及投資機會的可能性。
    的頭像 發(fā)表于 01-30 18:23 ?1086次閱讀

    三星加大投資提升HBM產(chǎn)能,與SK海力士競爭加劇

    近日,據(jù)報道,三星電子正計劃大規(guī)模擴大其HBM(高帶寬內存)產(chǎn)能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
    的頭像 發(fā)表于 01-26 15:33 ?758次閱讀

    三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元 推進“超級集群”計劃

    三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元,推進“超級集群”計劃。
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:35 ?645次閱讀

    三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

    數(shù)據(jù)顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設備采購;此外,三星SK海力士計劃加強DRAM技術
    的頭像 發(fā)表于 01-08 10:25 ?989次閱讀
    RM新时代网站-首页