控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法主要包括以下幾種：

一、采用先進(jìn)的拋光設(shè)備和技術(shù)

雙面拋光設(shè)備：

使用雙面拋光設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行加工，這種設(shè)備能同時(shí)控制工件的兩面，有效地避免應(yīng)力差與粘結(jié)誤差引起的變形問題。

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)：

CMP技術(shù)結(jié)合了化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的雙重作用，可以在晶圓表面形成一層化學(xué)反應(yīng)層，并通過機(jī)械研磨去除這層反應(yīng)層，從而實(shí)現(xiàn)晶圓表面的平坦化。

采用CMP技術(shù)時(shí)，需要精確控制拋光液的濃度、流速、pH值以及拋光墊的材料等參數(shù)，以獲得最佳的拋光效果。

二、優(yōu)化拋光工藝參數(shù)

拋光時(shí)間：

拋光時(shí)間的長短直接影響晶圓表面的平坦度。需要根據(jù)晶圓的初始狀態(tài)和目標(biāo)平坦度要求，合理設(shè)定拋光時(shí)間。

壓力控制：

在拋光過程中，晶圓和拋光墊之間的壓力是影響拋光效果的關(guān)鍵因素之一。需要精確控制拋光壓力，以確保晶圓表面各處的拋光速率一致。

旋轉(zhuǎn)速度：

拋光時(shí)晶圓和拋光墊的旋轉(zhuǎn)速度也會(huì)影響拋光效果。需要合理設(shè)定旋轉(zhuǎn)速度，以獲得均勻的拋光效果。

三、采用獨(dú)特的加工工藝

分階段研磨：

采用多個(gè)研磨階段，如粗研磨、精研磨和拋光等，逐步去除晶圓表面的不平整部分，最終實(shí)現(xiàn)高平坦度。

特殊拋光液：

使用特制的拋光液，如含有特定顆粒大小和濃度的拋光粉，以優(yōu)化拋光效果。

拋光墊選擇：

選擇合適的拋光墊材料，如聚氨酯拋光墊，并根據(jù)拋光需求調(diào)整拋光墊的硬度和粗糙度。

四、質(zhì)量控制與監(jiān)測(cè)

在線監(jiān)測(cè)：

在拋光過程中，采用非接觸式在線測(cè)量裝置對(duì)晶圓厚度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，以確保拋光過程的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。

最終檢驗(yàn)：

對(duì)拋光后的晶圓進(jìn)行嚴(yán)格的檢驗(yàn)和測(cè)試，如使用掃描電子顯微鏡（SEM）或原子力顯微鏡（AFM）等工具檢查晶圓表面的形貌和粗糙度，以確保其質(zhì)量符合要求。

綜上所述，控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度需要綜合考慮拋光設(shè)備、拋光工藝參數(shù)、加工工藝以及質(zhì)量控制等多個(gè)方面。通過采用先進(jìn)的拋光設(shè)備和技術(shù)、優(yōu)化拋光工藝參數(shù)、采用獨(dú)特的加工工藝以及加強(qiáng)質(zhì)量控制與監(jiān)測(cè)等措施，可以實(shí)現(xiàn)高平坦度的雙面拋光晶圓的生產(chǎn)。

五、高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術(shù)指標(biāo)。

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù)，傳統(tǒng)上下雙探頭對(duì)射掃描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片，一次性測(cè)量所有平面度及厚度參數(shù)。

1,靈活適用更復(fù)雜的材料，從輕摻到重?fù)?P 型硅 (P++)，碳化硅，藍(lán)寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重?fù)叫凸瑁◤?qiáng)吸收晶圓的前后表面探測(cè)）

粗糙的晶圓表面，（點(diǎn)掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測(cè)方案，不易受到光譜中相鄰單位的串?dāng)_噪聲影響，因而對(duì)測(cè)量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對(duì)偏振效應(yīng)的補(bǔ)償，加強(qiáng)對(duì)低反射晶圓表面測(cè)量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時(shí)測(cè)量多層結(jié)構(gòu)，厚度可從μm級(jí)到數(shù)百μm 級(jí)不等。

可用于測(cè)量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm ，精度可達(dá)1nm。

1，可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強(qiáng)，一改過去傳統(tǒng)晶圓測(cè)量對(duì)于“主動(dòng)式減震平臺(tái)”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運(yùn)動(dòng)控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測(cè)量。