晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：

厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割；

厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時(shí)，生產(chǎn)效率將大大降低；

厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會(huì)對(duì)晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復(fù)雜；

在晶圓切割過程中，事先會(huì)在晶圓上貼敷膠膜，以便保證更安全的“切單”，其主要作用有下面幾個(gè)方面。

固定和保護(hù)晶圓在劃片操作時(shí)，需要對(duì)晶圓進(jìn)行精確切割。晶圓通常很薄且脆，UV 膠帶能將晶圓牢固地粘貼在框架或載片臺(tái)上，防止晶圓在切割過程中發(fā)生位移、晃動(dòng)，確保切割的精度和準(zhǔn)確性。 它可以為晶圓提供良好的物理保護(hù)，避免切割過程中可能出現(xiàn)的外力沖擊、摩擦等對(duì)晶圓造成損傷，如產(chǎn)生裂紋、崩邊等缺陷，保護(hù)晶圓表面的芯片結(jié)構(gòu)及電路完好。

便于切割操作UV 膠帶具有合適的彈性和柔韌性，在切割刀片切入時(shí)能夠適度變形，使切割過程更加順暢，減少切割阻力對(duì)刀片和晶圓的不良影響，有助于提高切割質(zhì)量和刀片的使用壽命。 其表面特性能夠使切割產(chǎn)生的碎屑較好地附著在膠帶上，而不會(huì)四處飛濺，便于后續(xù)對(duì)切割區(qū)域的清理，保持工作環(huán)境相對(duì)清潔，也避免了碎屑對(duì)晶圓及其他設(shè)備造成污染或干擾。

易于后續(xù)處理在晶圓切割完成后，通過照射特定波長和強(qiáng)度的紫外線，可以使 UV 膠帶的粘性迅速降低甚至完全失去粘性，從而能夠輕松地將切割后的芯片從膠帶上分離下來，方便進(jìn)行芯片的后續(xù)封裝、測(cè)試等工藝流程，而且這種分離過程對(duì)芯片的損傷風(fēng)險(xiǎn)極小。