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佳友實(shí)現(xiàn)150超低磁導(dǎo)率納米晶磁環(huán)批量生產(chǎn)

Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 來(lái)源:Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 作者:Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 2024-12-18 15:35 ? 次閱讀

在800V電驅(qū)系統(tǒng)趨勢(shì)下,納米晶材料將逐步替代傳統(tǒng)材料,佳友作為專業(yè)生產(chǎn)非晶納米晶的磁性材料企業(yè),在納米晶領(lǐng)域?qū)⒔o我們帶來(lái)什么驚喜?

納米晶材料因其性能優(yōu)越,在電動(dòng)車的車載充電器、逆變器、電機(jī)軸承保護(hù)和充電站等場(chǎng)景的應(yīng)用廣泛,常做成電感、扼流圈、CT和磁環(huán)等組件。

但隨著新能源汽車向高性能、高集成度方向發(fā)展,對(duì)納米晶材料的性能要求越來(lái)越高,有些納米晶材料難以滿足終端車載應(yīng)用的要求。

如在DC-DC模塊中的低壓側(cè)功率電感中,一般使用低磁導(dǎo)率的鎳鋅鐵氧體,但隨著DC-DC模塊的功率不斷提升,鎳鋅鐵氧體的抗飽和特性的表現(xiàn)已不再足夠。因此,磁性材料行業(yè)迫切需要開(kāi)發(fā)出在高頻環(huán)境下具備高阻抗、高抗飽和能力,以及在高低溫、受應(yīng)力狀態(tài)下的穩(wěn)定性的納米晶材料。

本文通過(guò)采訪安陽(yáng)佳友非晶科技有限公司(下稱“佳友”)的銷售經(jīng)理郭振偉,闡述在800V電驅(qū)系統(tǒng)下,對(duì)納米晶材料提出的技術(shù)要求、趨勢(shì)以及佳友在納米晶材料方面做出的行業(yè)范例。

800V高壓平臺(tái)對(duì)磁材提出更高要求

在800V高壓平臺(tái)下,EMC技術(shù)面臨以下挑戰(zhàn):

1、碳化硅器件因其高開(kāi)關(guān)速度和高電壓特性,容易產(chǎn)生高頻共模噪聲。

2、系統(tǒng)耦合干擾問(wèn)題導(dǎo)致兼容性設(shè)計(jì)難度增加。

3、充電功能復(fù)用導(dǎo)致EMC濾波挑戰(zhàn)增大。

4、濾波設(shè)計(jì)的迭代周期長(zhǎng)且成本高。

為了應(yīng)對(duì)上述挑戰(zhàn),車企在應(yīng)用800V高壓平臺(tái)技術(shù)時(shí),需要對(duì)電驅(qū)、OBC(車載充電器)、DC-DC模塊等核心三電系統(tǒng)的EMC濾波系統(tǒng)進(jìn)行重新設(shè)計(jì),這增加了對(duì)磁環(huán)設(shè)計(jì)和相關(guān)納米晶材料設(shè)計(jì)的高要求。在大功率應(yīng)用場(chǎng)景中,需要使用抗飽和特性更好的磁性材料。

磁性材料的抗飽和特性與其磁導(dǎo)率有關(guān)。理論上,磁導(dǎo)率越高,材料在較高磁場(chǎng)下工作時(shí)越不易磁飽和。然而,當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到一定程度時(shí),即使是高磁導(dǎo)率材料也可能磁飽和,導(dǎo)致磁導(dǎo)率下降。

在直流偏置電流作用下,磁芯的磁導(dǎo)率會(huì)因飽和作用而減小。磁導(dǎo)率越低的材料,在不平衡電流或直流時(shí)的衰退越少。

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不同磁導(dǎo)率的材料在磁場(chǎng)中的磁化特性 供圖:佳友

納米晶材料在小型化、輕量化、高效能等方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。其優(yōu)勢(shì)包括緊湊、高效、穩(wěn)定。緊湊性體現(xiàn)在納米晶材料高飽和磁密,同樣的性能下相比其他軟磁材料體積更小巧;高效性體現(xiàn)在高磁導(dǎo)率和低損耗,有效抑制電磁干擾;穩(wěn)定性體現(xiàn)在居里溫度高,溫度系數(shù)低,可靠性更強(qiáng)。

在車載應(yīng)用中,比如大功率OBC模塊中的三相共模電感,電驅(qū)中使用的納米晶濾波磁環(huán),都存在不平衡電流的情況,使高磁導(dǎo)納米晶磁環(huán)進(jìn)入飽和狀態(tài),引起發(fā)熱甚至燒機(jī)。所以,大電流應(yīng)用中如何降低納米晶磁環(huán)的磁導(dǎo)率特性來(lái)提高它的抗飽和特性成為納米晶行業(yè)的技術(shù)難點(diǎn)。

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DC-DC模塊中的低磁導(dǎo)納米晶磁芯 供圖:佳友

目前業(yè)界一般采用調(diào)整材料配方和通過(guò)恒張力加工這兩種方式生產(chǎn)低磁導(dǎo)納米晶。然而,調(diào)整納米晶材料配方一般難以做到磁導(dǎo)率2000以下,而且靈活性比較差。因此,佳友采用恒張力的方案,通過(guò)高精度的張力調(diào)整配合溫度曲線調(diào)整,實(shí)現(xiàn)磁導(dǎo)率從μ150-10000快速可調(diào),充分滿足了下游客戶設(shè)計(jì)快速調(diào)整需求。目前國(guó)內(nèi)恒張力的方式一般最低能做到磁導(dǎo)率500左右,再低比較難批量。佳友通過(guò)自研高精度、高穩(wěn)定性恒張力退火設(shè)備,已經(jīng)能做到批量生產(chǎn)μ=150產(chǎn)品,并且在實(shí)驗(yàn)室對(duì)更低的磁導(dǎo)率發(fā)起沖擊。

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低磁導(dǎo)納米晶的曲線 供圖:佳友

為滿足車載納米晶材料需求,佳友采用新型設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)

傳統(tǒng)納米晶一般是針對(duì)10kHz-100kHz頻率設(shè)計(jì)的,但現(xiàn)在電機(jī)控制器模塊中高次諧波干擾越來(lái)越高頻化,意味著納米晶濾波磁環(huán)要有更好的高頻阻抗,更寬的頻率范圍才能滿足EMC的要求。

所以,佳友未來(lái)的主要研究目標(biāo)為納米晶材料在高頻下的高阻抗,更好的抗飽和能力,以及在高低溫、受應(yīng)力狀態(tài)下的穩(wěn)定性。

在設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)上,由于納米晶是由帶材繞制而成,因此對(duì)應(yīng)力比較敏感。為了保持納米晶材料性能穩(wěn)定,制造過(guò)程中需要盡量降低應(yīng)力。而環(huán)形在制造過(guò)程中是受應(yīng)力作用最小的,其次是跑道形,最后是矩形。所以傳統(tǒng)應(yīng)用中環(huán)形納米晶比較多。

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環(huán)形和跑道形納米晶磁芯 供圖:佳友

然而,盡管環(huán)形納米晶磁芯性能優(yōu)越,但由于其空間利用率不足,現(xiàn)在在汽車行業(yè)內(nèi)不算太常用。跑道形由于在狹小空間內(nèi)性能比較好,現(xiàn)在應(yīng)用比較多,其次是矩形。一些大功率的場(chǎng)景還會(huì)用到C型切割磁環(huán)。由于這些形狀是環(huán)形形變而成,如何保持形狀的前提下消除磁環(huán)應(yīng)力影響,保持磁環(huán)穩(wěn)定性是主要問(wèn)題。

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跑道形納米晶磁芯 供圖:佳友

佳友非晶通過(guò)幾年的實(shí)驗(yàn)和沉淀,優(yōu)化了固化配方,相比傳統(tǒng)的固化工藝性能衰減更?。煌瑫r(shí)通過(guò)更優(yōu)化的強(qiáng)磁場(chǎng)熱處理工藝,使磁環(huán)本身的抗應(yīng)力能力更強(qiáng)。同時(shí),針對(duì)異形的鐵芯,佳友還使用疊塊和沖片的方式來(lái)加工,大大增加了納米晶材料的應(yīng)用場(chǎng)景。

未來(lái),佳友將持續(xù)朝著以下幾個(gè)方面努力:

一是優(yōu)化現(xiàn)有納米晶產(chǎn)品性能:持續(xù)投入研發(fā)資源,對(duì)現(xiàn)有的納米晶磁芯等產(chǎn)品進(jìn)行性能優(yōu)化。例如,進(jìn)一步提高磁芯的高頻磁導(dǎo)率、降低損耗,以增強(qiáng)新能源汽車電氣系統(tǒng)的電磁兼容性和能量轉(zhuǎn)換效率,提升車輛的續(xù)航能力和整體性能。

二是拓展納米晶產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:積極拓展納米晶材料在車載充電器、逆變器等更多關(guān)鍵部件中的應(yīng)用。開(kāi)發(fā)適配不同車型、不同功率需求的定制化產(chǎn)品,滿足市場(chǎng)多樣化需求。

三是開(kāi)發(fā)新納米晶產(chǎn)品系列:基于市場(chǎng)趨勢(shì)和技術(shù)發(fā)展,研發(fā)具有更高性能和附加值的納米晶材料新產(chǎn)品系列。如開(kāi)發(fā)納米晶與其他材料的復(fù)合產(chǎn)品、開(kāi)發(fā)圓形截面鐵芯、非晶一體注塑等。

四是設(shè)備方面計(jì)劃引進(jìn)國(guó)內(nèi)外先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備及檢驗(yàn)設(shè)備,由設(shè)備團(tuán)隊(duì)進(jìn)行升級(jí)改造,期望是實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過(guò)程的自動(dòng)化、智能化控制,提高產(chǎn)品的一致性和穩(wěn)定性。

本文為嗶哥嗶特資訊原創(chuàng)文章,未經(jīng)允許和授權(quán),不得轉(zhuǎn)載

審核編輯 黃宇

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