1.電阻器

舉例：

RJ76表示精密金屬膜電阻器

R——電阻器（第一部分）

J——金屬膜（第二部分）

7——精密（第三部分）

6——序號（第四部分）

2.電容器

國外電容器命名規(guī)則不一，國外部分知名廠家命名規(guī)則如下：

(1)日本村田(muRata)

(2)日本TDK

(3)日本京瓷(Kyocera)

(4)日本羅姆(ROHM)

(5)日本松下旗下三洋電機(Panasonic)

(6)韓國三星(SAMSUNG)

(7)美國基美(KEMET)

(8)英國Syfer

(9)中國***國巨(YAGEO)

(10)中國***華新科技(WALSIN)

3.電感器

4.變壓器

5.二極管

6.三極管

7.發(fā)光二極管

8.揚聲器

9.電聲器件

10晶閘管

11.繼電器

國外：

1.國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件命名法

國際電子聯(lián)合會晶體管型號命名法的特點：

1)這種命名法被歐洲許多國家采用。因此，凡型號以兩個字母開頭，并且第一個字母是A，B，C，D或R的晶體管，大都是歐洲制造的產(chǎn)品，或是按歐洲某一廠家專利生產(chǎn)的產(chǎn)品。

2)第一個字母表示材料（A表示鍺管，B表示硅管），但不表示極性（NPN型或PNP型）。

3)第二個字母表示器件的類別和主要特點。如C表示低頻小功率管，D表示低頻大功率管，F(xiàn)表示高頻小功率管，L表示高頻大功率管等等。若記住了這些字母的意義，不查手冊也可以判斷出類別。例如，BL49型，一見便知是硅大功率專用三極管。

4)第三部分表示登記順序號。三位數(shù)字者為通用品；一個字母加兩位數(shù)字者為專用品，順序號相鄰的兩個型號的特性可能相差很大。例如，AC184為PNP型，而AC185則為NPN型。

5)第四部分字母表示同一型號的某一參數(shù)（如hFE或NF）進行分檔。

6)型號中的符號均不反映器件的極性（指NPN或PNP）。極性的確定需查閱手冊或測量。

2.美國半導(dǎo)體器件型號命名法

美國晶體管或其它半導(dǎo)體器件的型號命名法較混亂。這里介紹的是美國晶體管標準型號命名法，即美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）規(guī)定的晶體管分立器件型號的命名法。如下表：

美國晶體管型號命名法的特點：

1)型號命名法規(guī)定較早，又未作過改進，型號內(nèi)容很不完備。例如，對于材料、極性、主要特性和類型，在型號中不能反映出來。例如，2N開頭的既可能是一般晶體管，也可能是場效應(yīng)管。因此，仍有一些廠家按自己規(guī)定的型號命名法命名。

2)組成型號的第一部分是前綴，第五部分是后綴，中間的三部分為型號的基本部分。

3)除去前綴以外，凡型號以1N、2N或3N......開頭的晶體管分立器件，大都是美國制造的，或按美國專利在其它國家制造的產(chǎn)品。

4)第四部分數(shù)字只表示登記序號，而不含其它意義。因此，序號相鄰的兩器件可能特性相差很大。例如，2N3464為硅NPN，高頻大功率管，而2N3465為N溝道場效應(yīng)管。

5)不同廠家生產(chǎn)的性能基本一致的器件，都使用同一個登記號。同一型號中某些參數(shù)的差異常用后綴字母表示。因此，型號相同的器件可以通用。

6)登記序號數(shù)大的通常是近期產(chǎn)品。

3.日本半導(dǎo)體器件型號命名法

日本半導(dǎo)體分立器件（包括晶體管）或其它國家按日本專利生產(chǎn)的這類器件，都是按日本工業(yè)標準（JIS）規(guī)定的命名法（JIS－C－702）命名的。

日本半導(dǎo)體分立器件的型號，由五至七部分組成。通常只用到前五部分。前五部分符號及意義如下表所示。第六、七部分的符號及意義通常是各公司自行規(guī)定的。第六部分的符號表示特殊的用途及特性，其常用的符號有：

M－松下公司用來表示該器件符合日本防衛(wèi)廳海上自衛(wèi)隊參謀部有關(guān)標準登記的產(chǎn)品。

N－松下公司用來表示該器件符合日本廣播協(xié)會（NHK）有關(guān)標準的登記產(chǎn)品。

Z－松下公司用來表示專用通信用的可靠性高的器件。

H－日立公司用來表示專為通信用的可靠性高的器件。

K－日立公司用來表示專為通信用的塑料外殼的可靠性高的器件。

T－日立公司用來表示收發(fā)報機用的推薦產(chǎn)品。

G－東芝公司用來表示專為通信用的設(shè)備制造的器件。

S－三洋公司用來表示專為通信設(shè)備制造的器件。

第七部分的符號，常被用來作為器件某個參數(shù)的分檔標志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作為直流放大系數(shù)hFE的分檔標志。

日本半導(dǎo)體器件型號命名法有如下特點：

1)型號中的第一部分是數(shù)字，表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如，用“1”表示二極管，用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。

2)第二部分均為字母S，表示日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品，而不表示材料和極性。

3)第三部分表示極性和類型。例如用A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場效應(yīng)三極管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。

4)第四部分只表示在日本工業(yè)協(xié)會（EIAJ）注冊登記的順序號，并不反映器件的性能，順序號相鄰的兩個器件的某一性能可能相差很遠。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW，而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是，登記順序號能反映產(chǎn)品時間的先后。登記順序號的數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。

5)第六、七兩部分的符號和意義各公司不完全相同。

6)日本有些半導(dǎo)體分立器件的外殼上標記的型號，常采用簡化標記的方法，即把2S省略。例如，2SD764，簡化為D764，2SC502A簡化為C502A。

7)在低頻管（2SB和2SD型）中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻率fT為100MHz，所以，它們也可當高頻管用。

8)日本通常把Pcm≥1W的管子，稱做大功率管。