本文介紹了一種先進的利用電流檢測端子實現(xiàn)的全SiC模塊過流和短路保護方法。同時給出了采用新開發(fā)的驅(qū)動器進行測試的結(jié)果。新開發(fā)的驅(qū)動器集成了過流保護、軟關(guān)斷和有源箝位等功能。
1. 引 言
全SiC模塊FMF800DX-24A (1200V/800A)主要應(yīng)用于高頻(開關(guān)頻率30kHz~100kHz)、高效率或者高功率密度的場合。
相對于硅器件,全SiC模塊可以大幅減小開關(guān)損耗。另一方面,通態(tài)損耗在保證短路能力的情況下做到最優(yōu)化。SiC MOSFET芯片的導(dǎo)通電阻與其短路耐量成反比例。圖1為SiC MOSFET芯片的導(dǎo)通電阻(RDS(on))與其短路耐量(ESC)的折衷曲線。
圖1 SiC MOSFET芯片的導(dǎo)通電阻與其短路耐量的折衷曲線
因為SiC MOSFET芯片的可承受短路耐量有限(數(shù)us),為了減少短路發(fā)生時的響應(yīng)時間和降低短路能量,采用獨立的電流檢測端子是個很好的選擇。這樣,SiC MOSFET芯片的導(dǎo)通電阻可以設(shè)計得比較小。同時,過流保護閾值可以任意調(diào)整,并能夠很容易被檢測到,且在驅(qū)動電路中可采用合適的措施用于短路關(guān)斷。從而,短路電流值和短路能量都可以得到顯著降低。
2. 全SiC MOSFET 短路耐量
FMF800DX-24A內(nèi)部采用8片100A SiC MOSFET芯片并聯(lián),其柵極閾值電壓VGS(th)的典型值為1V。對其短路耐量來說,必須考慮VGS(th)的分布。圖2給出了FMF800DX-24A的短路阻值與VGS(th)的關(guān)系曲線。實際測量的最大可承受短路時間(圖2實線)為3~4us,最大短路能量是18.4J。而FMF800DX-24A規(guī)格書定義的最大可承受短路時間為tsc(max)=2us,在使用時不能超過此值。當(dāng)短路發(fā)生時,如果采用傳統(tǒng)的退飽和電壓檢測的方法,很難保證在如此短的時間內(nèi)關(guān)斷FMF800DX-24A。因此,推薦使用模塊的電流檢測端子來設(shè)計更為先進的短路保護措施。
圖2 FMF800DX-24A的短路耐量與VGS(th)的關(guān)系曲線(VDD=850V,Tj=150℃,VGS=+15V)
3. 先進的過流和短路檢測方法
FMF800DX-24A所使用的100A/200V SiC MOSFET芯片金屬化源極上有一個隔離的區(qū)域,并且會連接到電流檢測端子。這樣,電流檢測端子的電流和主電路電流成一定比例。圖3給出了MOSFET芯片圖片及其簡化等效電路。(左側(cè)為等效電路圖,右側(cè)為芯片照片。)
圖3集成電流檢測端子的SiC MOSFET芯片
圖3所示的檢測電阻RS上面的電壓VS可以用于過流檢測。檢測電阻流過的電流與主電路的比例關(guān)系1:61500。檢測電阻RS上面的電壓VS與結(jié)溫Tj的關(guān)系如圖4所示。考慮電流關(guān)系和溫度影響后,便可選擇合適的檢測電阻RS來設(shè)置需要的過流保護閾值。
圖4漏極電流與檢測電壓之間的關(guān)系
4. FMF800DX-24A驅(qū)動器保護功能的實現(xiàn)
采用電流檢測并用于FMF800DX-24A的先進保護方法是通過參考設(shè)計RDHP-1417來實現(xiàn)的(其采用驅(qū)動核2SC0435T)[4][5],并包括過壓保護和過流保護。內(nèi)部集成的有源箝位電路實現(xiàn)過壓保護,而過流保護則是通過設(shè)定檢測電壓來觸發(fā)門極驅(qū)動的軟關(guān)斷功能來實現(xiàn)的。所采用驅(qū)動器的等效原理圖如圖5所示。
圖5驅(qū)動器的照片(右)及其等效電路框圖(左)
5. 過壓保護
在大電流且較大di/dt關(guān)斷器件時,將導(dǎo)致其承受過大的電壓尖峰。如果器件工作在過流保護閾值以下時,建議驅(qū)動器增加額外的措施來抑制關(guān)斷電壓尖峰,以保證其小于1200V。比較好的措施是采用集成dv/dt反饋的有源箝位電路(不會主動關(guān)斷模塊,且不會產(chǎn)生故障信號)。
圖6所示為FMF800DX-24A在800A和1600A的關(guān)斷波形。通過波形可以看出,過壓保護將VDS電壓安全地限制在1200V以下。
圖6 FMF800DX-24A在額定電流和2倍額定電流下的關(guān)斷波形(VDD=850V,Tj=25℃)
6. 過流保護
所評價驅(qū)動器的過流保護閾值為2000A(2.5倍額定電流)。當(dāng)電流超過此值時,驅(qū)動器將主動進行軟關(guān)斷,并反饋故障信號給控制器。圖7給出了關(guān)斷電流略小于過流保護閾值時的波形,并與過電流時軟關(guān)斷的波形進行對比。從中可以看出,軟關(guān)斷時功率模塊上并無明顯過電壓產(chǎn)生。
圖7過流保護及2.5倍額定電流關(guān)斷波形(VDD=850V,Tj=25℃)
7. 短路保護
在母線電壓VDD=850V和短路回路電感值LSC=170nH的條件下進行短路測試,以驗證驅(qū)動器的短路保護功能。圖8給出了相應(yīng)測試結(jié)果。當(dāng)電流大約為2000A時,檢測為過流并立即進行軟關(guān)斷。短路時間大約為1us,而短路能量為0.65J。這兩次指標(biāo)均明顯低于模塊的上限值,小于器件的設(shè)計界限。通過采用軟關(guān)斷功能,短路時的電壓尖峰可以很好地控制在1000V以下。
圖8 FMF800DX-24A短路測試波形(VDD=850V,Tj=25℃)
8. 結(jié) 論
三菱電機為高效、超緊湊型變換器(數(shù)百kW)提供了一種可靠的新器件解決方案:FMF800DX-24A。針對此全SiC器件,PI公司開發(fā)了相應(yīng)的驅(qū)動器參考設(shè)計(RDHP-1417)。通過利用模塊的鏡像電流端子,能夠有效地進行短路等情況下的過流保護。同時,該驅(qū)動器集成了有源電壓箝位和軟關(guān)斷功能,可以有效地抑制大電流關(guān)斷時的電壓尖峰。
-
電流
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
6846瀏覽量
132108 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7156瀏覽量
213140 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2804瀏覽量
62606
原文標(biāo)題:大電流全SiC模塊的驅(qū)動保護
文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論