恩智浦半導體在6月12日宣布推出用于實現(xiàn)5G基礎設施的新型射頻前端解決方案。恩智浦的產(chǎn)品組合解決了在開發(fā)用于5G大規(guī)模多輸入多輸出（mMIMO）的蜂窩基礎設施時，涉及的幾個最棘手的問題，包括功率放大器集成、不斷縮小的電路板空間、實際占位面積以及不同型號之間的引腳兼容性。

mMIMO是5G的重要基礎，因為它能夠滿足網(wǎng)絡對射頻（RF）技術的需求，以應對5G即將帶來的數(shù)據(jù)使用量激增。mMIMO在特定頻譜中傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量遠多于當前和傳統(tǒng)的無線電技術。

恩智浦在本周的國際微波研討會（IMS2018）上推出面向5G的新型前端解決方案，旨在應對開發(fā)外形尺寸最小的經(jīng)濟高效型高性能解決方案的關鍵挑戰(zhàn)，為蜂窩基礎設施提供新一代有源天線系統(tǒng)（AAS）。簡而言之：將mMIMO需要的一切功能集成到盡可能小的器件中。

恩智浦推出了高度集成且外形尺寸更小的解決方案組合來應對這一挑戰(zhàn)，因而對客戶來說更加易用和經(jīng)濟高效，并在所有頻段和功率水平之間實現(xiàn)即插即用。恩智浦前端解決方案產(chǎn)品線總監(jiān)Mario Bokatius表示：“開發(fā)這些器件的目的是讓客戶能夠以盡可能低的成本設計他們的系統(tǒng)?！?/p>

恩智浦前端解決方案覆蓋了對早期5G蜂窩網(wǎng)絡開發(fā)最關鍵的頻率范圍，即2.3 GHz至5 GHz。

用于5G實現(xiàn)的恩智浦前端解決方案包括對開發(fā)mMIMO射頻前端最關鍵的三種不同功能：

· 高效率功率放大器模塊（PAM），在輸入端和輸出端完全匹配至50 Ohm，實現(xiàn)了占位面積和引腳兼容，覆蓋廣泛的功率水平范圍和頻段，并采用相同的板設計；

· 前置驅(qū)動器放大器模塊，具有超低的功耗，覆蓋從2.3 GHz到5 GHz的整個頻率范圍，在器件系列內(nèi)部實現(xiàn)完全的占位面積和引腳兼容；

· 接收器前端模塊，提供集成的時分雙工（TDD）切換和用于信號接收的低噪聲放大（LNA）功能。

Bokatius表示：“我們在不影響高性能要求的前提下提供最高的集成度，但這只是一個開始。展望未來，隨著恩智浦繼續(xù)致力于提供業(yè)界占位面積最小、成本最低的解決方案，我們還將實現(xiàn)更多的集成。”

恩智浦充分利用硅基LDMOS技術，為射頻產(chǎn)品客戶提供最有利的成本結(jié)構。自從幾十年前問世以來，LDMOS經(jīng)歷了持續(xù)創(chuàng)新。LDMOS能夠提供持續(xù)提高的高功率水平，具有很高的增益和效率，再結(jié)合出色的耐用性和低發(fā)熱特征，這些優(yōu)點使得它成為射頻功率放大器應用中的主導器件技術，適用于從1 GHz以下到3 GHz的頻率范圍。恩智浦的LDMOS技術現(xiàn)在將其領先地位擴展到高達5 GHz的頻率范圍。使用LDMOS技術，這些解決方案能夠提供與非硅基射頻功率晶體管同等的高性能，而且可靠性更高，成本更低。

恩智浦資深副總裁兼射頻功率事業(yè)部總經(jīng)理Paul Hart表示：“憑借我們的領先優(yōu)勢和在無線通信行業(yè)的雄厚技術實力，我們在作為合作伙伴繼續(xù)為客戶提供5G解決方案方面處于非常有利的地位。”